Как выставить частоту оперативной памяти в биосе? Настройка оперативной памяти в биосе

Как правильно установить, настроить и разогнать оперативную память

Не все знают, что оперативную память недостаточно просто установить в компьютер. Её полезно настроить, разогнать. Иначе она будет давать минимально заложенную в параметры эффективность. Здесь важно учесть, сколько планок установить, каким образом распределять их по слотам, как проставить параметры в БИОСе. Ниже вы найдёте советы по установке RAM, узнаете, как правильно установить, настроить и разогнать оперативную память.

Узнайте, как правильно установить, настроить и разогнать оперативную память самому

Совмещение разных модулей

Первый вопрос, возникающий при желании повысить производительность, быстродействие ОЗУ у пользователей, — возможно ли установить в компьютер модули памяти разного производства, отличающиеся частотой? Решая, как установить оперативную память в компьютер, приобретайте лучше модули одного производства, с одной частотностью.

Теоретически, если установить модули разночастотные, оперативная память работает, но на характеристиках самого медленного модуля. Практика же показывает, что зачастую возникают проблемы несовместимости: не включается ПК, происходят сбои ОС.

Следовательно, при планах установить несколько планок покупайте набор в 2 либо 4 модуля. В одинаковых планках чипы обладают одинаковыми параметрами разгонного потенциала.

Полезность многоканального режима

Современный компьютер поддерживает многоканальность в работе оперативной памяти, минимально оборудованы 2 канала. Есть процессорные платформы с трёхканальным режимом, есть с восемью слотами памяти для четырёхканального режима.

При включении двухканального режима прибавляется 5–10% производительности процессору, графическому же ускорителю — до 50%. Потому при сборке даже недорогого игрового устройства рекомендуется установка минимум двух модулей памяти.

Если подключаете два модуля ОЗУ, а плата, установленная в компьютер, снабжена 4 слотами DIMM, соблюдайте очерёдность установки. Для включения двухканального режима ставьте в компьютер модули, чередуя разъёмы платы через один, т. е. поставьте в 1 и 3 либо задействуйте разъёмы 2 и 4. Чаще удобен второй вариант, ведь нередко первый слот для ОЗУ перекрывается кулером процессора. Если радиаторы низкопрофильные, подобной проблемы не возникнет.

Ставить два модуля памяти в системном блоке, конечно же, есть смысл, поскольку сразу производительность

Проконтролировать, подключился ли двухканальный режим, сможете через приложение AIDA64. Пройдите в нём в пункт «Тест кэша и памяти». Утилита поможет вам также просчитать быстродействие RAM до разгона, понаблюдать, как изменилась память, её характеристики после процедуры разгона.

Настройка частоты, таймингов

Для разгона ОЗУ, нужно знать, как настроить оперативную память в БИОСе. Когда только поставите ОЗУ в компьютер, оперативка будет работать, скорее всего, на минимально возможной частоте, имеющейся в техпараметрах процессора. Максимальную частоту нужно установить, настроить через BIOS материнки, можно вручную, для ускорения существует технология Intel XMP, поддерживаемая практически всеми платами, даже AMD.

Когда поставите вручную 2400 МГц, память станет функционировать на стандартных таймингах для этой частоты, которые составляют 11-14-14-33. Но модули HyperX Savage справляются со стабильной работой при меньших таймингах на высокой частоте в 2400 МГц, такое соотношение (низкие тайминги с высокой частотностью) являются гарантией высокого быстродействия ОЗУ.

Полезная технология, разработанная корпорацией Intel — Extreme Memory Profile — позволяет избежать ручного проставления каждого тайминга, в два клика выбираете оптимальный профиль из приготовленных производителем.

В Биосе во вкладке Ai Tweaker в опции Ai Overclock Tuner находится вкладка Авто, щёлкаем на Авто левой мышью и в появившемся меню выбираем X.M.P.

Разгон памяти

Мы выше говорили, что установить, даже правильно, планки оперативки — недостаточно. Включив двухканальный, лучше четырёхканальный режим, подберите оптимальные настройки частоты, соотносимые с таймингом. Помните, прежде всего, что гарантию разгона вам никто не даст, одну память получится разогнать отлично, такую же другую — неудачно. Но не бойтесь, что память может выйти из строя, когда будете разгонять: при слишком высоко задранной она всего лишь не запустится.

Что делать, если разгон оказался неудачным? Обычно материнки снабжены функцией автоотката настроек, которую используйте, когда несколько раз после разгона компьютер не запустится. Сбросить настройки сможете также вручную, для чего примените перемычку Clear CMOS (она же JBAT).

С помощью перемычки Clearing CMOS можно очистить содержимое параметров CMOS, в частности вернуть параметры BIOS к заводским установкам по умолчанию

Подбирается частота экспериментально, так же ставят напряжение питания, тайминги. Разумеется, нет гарантии, что подобранное соотношение будет лучше, чем на максимальном XMP-профиле. Часто при максимальном разгоне частоты приходится повышать тайминги.

Обязательно протестируйте утилитой AIDA64 Cache & Memory Benchmark получившийся у вас результат. Разгон может привести к падению скорости, став практически бесполезным. Обычно у низкочастотных версий потенциал выше, чем у топовых.

Установить память, её разгон — процессы несложные, особенно когда RAM поддерживает XMP-профили, уже готовые. Помните, что покупать ОЗУ на компьютер практичнее комплектом, чтобы получить прирост быстродействия от двухканального режима, не только от разгона. Советуем приобретать на компьютер низкопрофильную оперативку для избегания несовместимости, когда стоит крупноразмерный процессорный кулер. Следуйте советам, тогда сможете разогнать максимально быстродействие оперативки.

nastroyvse.ru

Как выставить частоту оперативной памяти в биосе?

Иногда у пользователей возникает вопрос, как изменить частоту оперативной памяти в биосе? Как правило, этот параметр биос выставляет автоматически, исходя из номинальных показателей модулей памяти. Но случаются ситуации, когда нужно вручную выставить частоту оперативной памяти, которая отличается от предложенных показателей. Для этого в биосе существуют определенные опции, которые помогут вам это сделать.

Давайте рассмотрим, с какой целью этот параметр нужно изменять. Во-первых, для повышения производительности компьютера. Такие действия обычно увеличивают скорость работы вашего ПК на 10-20 процентов. Но, стоит учитывать, что для стабильной работы компьютера, возможно, потребуется настроить и другие параметры модулей оперативной памяти, такие как частоту и напряжение.

Частоту оперативной памяти компьютера нужно настраивать лишь с помощью соответствующих опций BIOS. Но, не все системные платы поддаются изменениям данного параметра. И если вам «повезло», и у вас именно такая плата, то изменить частоту оперативной памяти вы попросту не сможете, ее значение будет соответствовать номинальной величине.

А теперь приступим к делу. Безусловно, необходимо зайти в биос. Для этого, при перезапуске компьютера нажимаем клавишу «Delete». Далее, в зависимости от версии BIOS, ищем раздел Advanced или Memory Frequency. Еще он может называться Memory Clock, Dram Clock или DRAM Frequency. Короче говоря, ищите опцию, в которой будут слова DRAM, Memory, SDRAM или Mem и Clock или Frequency. как изменить частоту оперативной памяти в биосе

Увеличить частоту памяти в биосе можно двумя способами: указав ее значение или указав соотношение между частотой системной шины, а также частотой шины памяти. Как правило, эти действия производятся в разделе FSB/Memory Ratio либо в разделе с похожим названием, в котором встречается слово Ratio.

В этом разделе устанавливаем параметр Manual вместо, установленного по умолчанию, Auto. Теперь можно менять значения частоты и множителя. Попробуйте увеличить частоту шины оперативной памяти на 30-50 Герц.

Сохранив все изменения, перезагружаем компьютер. Иногда нужно повышать частоту оперативной памяти несколько раз, для выявления самого оптимального значения, при котором работа компьютера будет устойчивой.

Чтобы проверить стабильность оперативной памяти, необходимо зайти в «Панель управления» и в пункте «Система и безопасность» выбрать «Администрирование», а в нем открыть «Средство проверки памяти Windows». Чтобы система проверила состояние оперативной памяти, подтверждаем перезагрузку компьютера. Если результаты проверки показывают хорошие результаты, то повышаем частоту до тех пор, пока система не выдаст ошибку. После этого пробуем уменьшать задержки памяти, понизив поочередно четыре вида таймингов. Эти действия производим в пункте Advanced Settings.

Бывает, что после таких действий компьютер дает сбой и перестает загружаться, тогда вытащите BIOS-батарейку и, тем самым, восстановите заводские настройки.

Стоит отметить, что нельзя устанавливать параметры частоты, которые значительно превышают номинальные, так как это может повлечь за собой выход из строя модулей ОЗУ, а также, приводит к повышению тепловыделения, вследствие чего необходимо дополнительное охлаждение системного блока.

Резюмируя сказанное, хочется отметить, что в тех случаях, когда необходимо максимально увеличить производительность компьютера, вам поможет разгон оперативной памяти. Этот процесс осуществляется изменениями настроек частоты в опциях биоса, который достаточно прост и не требует много времени. Но, следует помнить, что если значения неправильно выбраны, то это повлечет за собой некорректную работу ПК, зависания системы и выход из строя модулей памяти. Надеемся, что мы ответили на интересующий вас вопрос и разобрались, как выставить тайминги оперативной памяти в биосе.

komp.site

BIOS: настройка оперативной памяти (часть вторая)

CPU/Memory Frequency Ratio

С помощью опции CPU/Memory Frequency Ratio можно установить соотношение рабочей частоты шины оперативной памяти и тактовой частоты процессора. Опция используется только в случае использования процессором и ОЗУ асинхронного режима работы.

Значения опции:

Auto – соотношение рабочей частоты шины оперативной памяти и тактовой частоты процессора будет определяться автоматически;

1:1 – соотношение рабочей частоты шины оперативной памяти и тактовой частоты процессора равно 1:1;

3:4 – соотношение рабочей частоты шины оперативной памяти и тактовой частоты процессора равно 3:4.

CPU-DRAM Back-Back Transaction

Опция CPU—DRAM Back—Back Transaction позволяет повысить производительность системы путем использования режима быстрой записи данных от процессора в ОЗУ.

Значения опции:

Enabled – использовать режим быстрой записи данных от процессора в ОЗУ;

Disabled – отключить опцию.

CPU—to—Dram Page Mode

Опция CPU—to—Dram Page Mode позволяет увеличить производительность оперативной памяти путем использования режима, при котором контроллер памяти после доступа к странице памяти оставляет ее открытой на некоторое время, что позволяет при повторном обращении к данной странице сэкономить время и повысить тем самим производительность системы.

Значения опции:

Enabled – использовать данную опцию;

Disabled – отключить.

Опция также может иметь другие названия:

DRAM Page Mode

DRAM Paging

DRAM Paging Mode

SDRAM Page Control

Data Integrity (PAR/ECC)

Опция Data Integrity (PAR/ECC) позволяет включить использование режима обнаружения ошибок (коррекцию ошибок/контроль четности) в оперативной памяти.

Значения опции:

Enabled – использовать функцию обнаружения ошибок (коррекцию ошибок/контроль четности) в оперативной памяти;

Disabled – отключить функцию.

Опция также может иметь другие названия:

Memory Parity/ECC Check

DDR Command Rate

С помощью опции DDR Command Rate можно увеличить задержку при обмене командами между контроллером памяти чипсета и оперативной памятью.

Значения опции:

Auto (или By SPD) – автоматическое определение задержки, исходя из информации о режимах работы ОЗУ из микросхемы SPD;

Enabled (или 1Т, или 1T CMD, или Normal) – задержка при обмене командами между контроллером памяти чипсета и оперативной памятью равна одному такту;

Disabled (или 2Т, или 2T CMD, или Delay 1T) – задержка при обмене командами между контроллером памяти чипсета и оперативной памятью увеличена и составляет два такта.

Опция также может иметь другие названия:

1T CMD Support

1T/2T

1T/2T Memory Timing

2T Command

Addressing Mode

Command Per Clock

Command Per Clock (CMD)

DDR 1T/2T Item

DDR SDRAM Command Rate

DRAM 1T/2T Command

DRAM Command Rate

MA 1T/2T Select

MEM Addr/Cmd Setup Time

SDRAM 1T Command

SDRAM Command Rate

DDR Reference Voltage

С помощью DDR Reference Voltage опции можно изменять напряжения питания модулей оперативной памяти.

Значения опции:

Auto – номинальное напряжение питания модулей оперативной памяти;

2.85V; 2.75V; 2.65V; 2.55V – значения напряжения питания модулей оперативной памяти.

DDR VTT Voltage

Опция DDR VTT Voltage позволяет изменить напряжение питания модулей оперативной памяти типа DDR SDRAM.

Опция также может иметь другие названия:

DDR Voltage

Decoupled Refresh

Опция Decoupled Refresh позволяет увеличить быстродействие компьютера путем использования раздельной регенерации оперативной памяти и шины ISA.

Значения опции:

Enabled – использовать опцию;

Disabled – отключить опцию.

DIMM Voltage

С помощью опции DIMM Voltage можно изменять напряжения питания модулей оперативной памяти.

Значения опции:

Default – номинальное напряжение питания модулей оперативной памяти;

Значения напряжения питания модулей оперативной памяти.

DRAM Ahead Refresh

С помощью опции DRAM Ahead Refresh можно повысить быстродействие системы включив режим, при котором регенерация оперативной памяти будет выполняться на несколько системных тактов позже от требуемого момента времени. Опцию актуально включать только для качественных модулей ОЗУ.

Значения опции:

Enabled – использовать опцию;

Disabled – отключить.

DRAM Bus Selection

Опция DRAM Bus Selection позволяет разрешить использование двухканального режима работы оперативной памяти. Данный режим повышает быстродействие работы ОЗУ, но его использование возможно только при наличии более одного модуля памяти.

Значения опции:

Auto – автоматическое определение режима (одноканальный или двухканальный) работы оперативной памяти;

Single Channel – использовать одноканальный режим работы оперативной памяти;

Dual Channe – использовать двухканальный режим работы оперативной памяти.

DRAM CAS# Latency

Опция DRAM CAS# Latency позволяет установить задержку времени (в системных тактах), которая происходит с момента получения сигнала CAS до начала получения данных из памяти. Увеличение времени ожидания понижает скорость обмена данными, но повышает стабильность работы оперативной памяти.

Auto (или By SPD) – автоматическое определение времени задержки, исходя из информации о режимах работы ОЗУ из микросхемы SPD;

Значения опции: 3T; 4T; 5T; 6T…

Опция также может иметь другие названия:

(Tcl) CAS# Latency

CAS Latency

CAS# Latency Cloks

CAS Latency (CL)

CAS Latency Setting

CAS Latency Time

CAS Read Latency

CAS# Latency

CAS# Latency (Tcl)

DDR CAS# Latency

DDR2 CAS Latency

DRAM CAS Latency

DRAM CAS Select

DRAM CAS# Latency

RAM CAS# Latency

SDRAM CAS Latency

SDRAM CAS Latency [DDR/DDR2]

SDRAM CAS Latency Time

SDRAM CAS# Latency Time

SDRAM CAS# Latency

SDRAM Cycle Length

T (CAS)

tCL (CAS Latency)

DRAM Clock

Опция DRAM Clock позволяет установить частоту шины памяти. Опция используется только для асинхронных чипсетов.

Значения опции:

Auto (или By SPD) – автоматическое определение частоты шины памяти, исходя из информации о режимах работы ОЗУ из микросхемы SPD;

Набор частот для шины памяти.

Опция также может иметь другие названия:

DDR Clock at Next Boot is

DDR Clock Delay

DRAM Clock

DRAM Clock By

DRAM Frequency

MEM (DDR), MHz

MEM Clock Setting

Memclock index value (Mhz)

Memclock index value or Limit

Memclock Value

Memory Clock (Mhz)

Memory clock Value or Limit

Memory Frequency

New MEM Speed (DDR)

SDRAM Frequency

System Memory Frequency

DRAM Data Integrity Mode

Опция Dram Data Integrity Mode выполняет управление механизмом контроля и коррекции ошибок (ECC) оперативной памяти. Данный механизм позволяет обнаруживать и исправлять однобитные ошибки в оперативной памяти. В случае возникновения ошибок, которые не может исправить механизм контроля и коррекции ошибок, на экран монитора будет выводится соответствующее сообщение.

Значения опции:

ECC – включить контроль и коррекцию ошибок (ECC) оперативной памяти;

Non—ECC – не использовать данную функцию.

Опция также может иметь другие названия:

Data Integrity (PAR/ECC)

DRAM Data Integrity

DRAM ECC Enable

DRAM ECC Mode

DRAM Integrity Mode

Memory Configuration

Memory Correction

Memory ECC Mode

Memory Parity/ECC Check

SDRAM ECC Setting

DRAM ECC/Parity Select

С помощью опции DRAM ECC/Parity Select можно установить на выбор режим проверки модулей ОЗУ.

Значения опции:

Parity – использовать простую проверку;

ECC – использовать режим контроля четности/коррекции ошибок.

DRAM Interleave Time

Опция DRAM Interleave Time позволяет установить задержку перед чтением данных из следующего банка при использовании режима чередования банков оперативной памяти.

Значения опции:

0 ms – не использовать задержку перед чтением данных из следующего банка при использовании режима чередования банков оперативной памяти;

Значение задержки.

xiod.ru

Оперативная память - Настройка BIOS

Оперативная память (Random Access Memory, RAM, системная память) – это энергозависимая компьютерная память, которая предназначена для временного хранения активных программ и данных, используемых процессором во время выполнения операций. По сути, оперативная память является временным хранилищем информации, поскольку программы и данные хранятся в ней, если компьютер включен.

Сегодня наиболее распространенна синхронная оперативная память с произвольным доступом SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory). На данный момент используются ее спецификации DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM.

Технически оперативная память реализована в виде модулей.

Модуль оперативной памяти (ОЗУ – оперативное запоминающее устройство) – это печатная плата с контактами, на которой расположены чипы оперативной памяти, объединенные в единую логическую схему.

Поскольку запоминающим элементом динамической оперативной памяти является конденсатор, его необходимо время от времени подзаряжать (обновлять содержимое ячеек), чтобы избежать потери информации (данных). Этот процесс называется регенерацией. Регенерация – процесс восстановление заряда ячеек динамической памяти. При регенерации данные ячеек памяти считываются в буферный усилитель, а потом записываются обратно. Процессом регенерации управляет специальный контроллер, который может быть установлен на системной плате или на кристалле процессора. В случае обращения к ячейке оперативной памяти процесс регенерации выполняется автоматически.

Модули оперативной памяти имеют встроенную микросхему SPD (Serial Presence Detect). Микросхема SPD – это специальная микросхема, в которой хранятся данные о параметрах модуля оперативной памяти (ёмкость, тип, временные характеристики, рабочее напряжение, число банков, серийный номер модуля, дату изготовления модуля). Во время включения компьютера BIOS настраивает параметры работы системной памяти, согласно информации, отображенной в микросхеме SPD.

Контроллер памяти может быть интегрирован в северный мост или в процессор.

Для обмена информацией с другими устройствами, оперативная память задействует три шины:

Адресная шина. Данная шина предназначена для передачи адреса ячейки, к которой обращается контроллер;
Шина данных. Предназначена для непосредственной передачи данных;
Командная шина. По командной шине из системной памяти поступают команды, выполняемые процессором.

Логически оперативная память разбивается на четное количество банков, которые состоят из страниц. Банки оперативной памяти могут работать независимо. Страница оперативной памяти реализована у виде матриц. Матрица состоит из отдельных ячеек памяти, способных вмещать один бит данных – элементарную единицу информации. Ячейка состоит из конденсатора и транзистора. Каждая ячейка имеет координаты: по вертикали (столбцы-Column) и горизонтали (Row-строки).

Доступ к ячейкам памяти осуществляется с помощью указания адреса строки (с помощью сигнала выбора строки RAS# (Row Access Strobe)) и адреса столбца (с помощью сигнала выбора столбца CAS# (Column Access Strobe)).

CAS (Column Access Strobe) – это сигнал выборки столбца матрицы данных. Появление сигнала CAS означает, что будет вводиться адрес столбца матрицы данных.

RAS (Row Access Strobe) – это сигнал выборки строки матрицы данных. Появление сигнала RAS означает, что будет вводиться адрес строки матрицы данных.

Обращение к ячейке оперативной памяти происходит следующим образом:

На адресную шину микросхемы оперативной памяти подается номер строки, вследствие чего активизируется сигнал выбора строки RAS#;
После стабилизации сигнала выбора строки RAS#, содержимое строки перемещается в буферный усилитель уровня;
На адресную шину микросхемы оперативной памяти подается номер столбца, вследствие чего активизируется сигнал выбора столбца CAS#.
После стабилизации сигнала выбора столбца CAS#, модуль оперативной памяти может определить адрес ячейки (по номеру столбца и строки в матрице). Выполняется перемещение содержимого ячейки оперативной памяти на шину данных, которая используется для непосредственной передачи данных;
Сигнал CAS# дезактивируется, что сигнализирует о завершении операций чтения/записи;
Сигнал RAS# дезактивируется, что сигнализирует о прекращении работы со строкой матрицы данных модуля оперативной памяти. Данные из буферного усилителя уровня возвращаются в массив ячеек строки, восстанавливая его прежнее логическое состояние. Этот процесс называется предварительным зарядом по сигналу RAS#.

Параметром, который наиболее влияет на работу оперативной памяти, является рабочая частота памяти (эффективная частота обмена данными).

Эффективная частота обмена данными памяти типа DDR SDRAM может составлять 200/266/333/400 МГц (при тактовых частотах шины памяти 100/133/166/200МГц соответственно).

Эффективная частота обмена данными памяти типа DDR2 SDRAM может составлять 400/533/667/800/1066 МГц (при тактовых частотах шины памяти 200/266/333/400/533МГц соответственно).

Эффективная частота обмена данными памяти типа DDR3 SDRAM может составлять 800/1066/1333/1600/1800/2000/2133/2200/2400Мгц (при тактовых частотах шины памяти 400/533/667/800/1800/1000/1066/1100/1200 МГц соответственно).

Работа оперативной памяти сопровождается таймингами. Тайминги – это временные задержки, которые возникают при любых операциях с ячейками оперативной памяти. Единицей измерения таймингов является такт. Чем меньше величина таймингов, тем оперативная память более быстродействующая.

Рассмотрим тайминги, которые в наибольшей мере влияют на производительность оперативной памяти.

CAS# Latency (tCL) – это задержка сигнала CAS# (задержка чтения). Один из наиболее важных таймингов. Задержка между подачей команды чтения (отправкой в память адреса столбца) и началом передачи данных. Другими словами, CAS# Latency – это время от открытия строки до чтения первого бита из памяти.

RAS#-to-CAS# Delay (tRCD) – это задержка между вводом номера (адреса) строки и столбца. Другими словами, tRCD – это временной интервал между подачей команд RAS и CAS.

RAS# Precharge Time (tRP) – это время предварительного заряда банка. Другими словами, tRP – время, необходимое на перезарядку ячеек памяти после закрытия банка.

Row Active Time, (tRAS) – это время между командой на открытие банка и командой на предварительный заряд банка. Другими словами, tRAS это время, на протяжении которого банк системной памяти не требует перезарядки (т.е.остается открытым).

Command Rate 1/2T (tCR) – это минимальное время, которое необходимое контроллеру для декодирования команд и адресов.

Тайминги записывают в виде: «3-3-3-3-3», где первым идет тайминг CAS# Latency, вторым – RAS#-to-CAS# Delay, третьим – RAS# Precharge Time, четвертым – Row Active Time, пятым – Command Rate 1/2T.

Оперативная память может работать в одноканальном и двуканальном режиме.

Dual Channel – это двухканальный режим работы оперативной памяти. Особенностью данного режима есть то, что модули оперативной памяти объединены в пары (первый модуль с третьим, а второй с четвертым). Каждая пара модулей работает на своем канале (отсюда и прирост производительности). Использование двухканального режима работы оперативной памяти возможно только при наличии чётного числа модулей памяти.

Single Channel – это одноканальный режим работы оперативной памяти. Особенностью данного режима есть то, что модули оперативной памяти обслуживаются одновременно одним контроллером (работают на одном канале).

Опции BIOS Setup для настройки оперативной памяти можно найти здесь.

Еще по настройке БИОС (БИОЗ) плат:

PCI Express, (или PCIe, или PCI-E) – это компьютерная шина расшир...
PCI (Peripheral Component Interconnect) – это компьютерная шина в...
FSB (Front Side Bus, системная шина) – это шина (набор сигнальных...
Чипсет (chipset) – это набор микросхем (размещенных на системной ...
Центральный процессор (ЦП, CPU) – это микросхема, которая явля...

www.nastrojkabios.ru

Как настроить оперативную память в биосе?

BIOS многих фирм имеет встроенную программу настройки, благодаря которой можно легко менять конфигурацию системы, в том числе настраивать режимы работы оперативной памяти. Данная информация записывается в специальную область энергонезависимой памяти на материнской плате, называемой CMOS. Настройка оперативной памяти средствами BIOS Setup достаточно проста и интуитивно понятна.

Вам понадобится

Инструкция

Изменение настроек оперативной памяти происходит путем установки соответствующих значений в программу настройки BIOS c последующим их сохранением. Часто установка режима работы оперативной памяти по умолчанию означает стабильную работу системы. Но в некоторых случаях требуется повысить скорость работы системы, для этого и делают настройку оперативной памяти в BIOS Setup. Это вполне реально и обычно никак не сказывается на стабильности работы компьютера.

Чтобы начать настраивать оперативную память, вначале зайдите в BIOS Setup. Обычно это осуществляется нажатием кнопки Delete, для BIOS других производителей может потребоваться нажатие другой клавиши или сочетания клавиш, например, F2 или CTRL-ALT-ESC.

Все нужные параметры, которые управляют режимами работы памяти, сосредоточены в меню BIOS Setup, называемом Advanced Chipset Setup. Зайдите в него, чтобы настроить параметры оперативной памяти. Все нужные параметры указаны ниже.

Auto Configuration – автоматическая установка параметров работы оперативной памяти, рекомендуется использовать если в процессе экспериментов была внесена некорректная настройка, но вспомнить какая не удается. Для внесения коррекции в настройки RAM (оперативной памяти) выключите данную опцию. DRAM Read Timing – показывает количество циклов в процессе обращения к RAM, чем оно меньше, тем выше производительность системы. CAS Delay – суть данного параметра хоть и отличается от предыдущего, но смысл в задании минимального значения для максимизации производительности также остается.

При настройке знайте меру – слишком агрессивное снижение циклов (таймингов) и задержек может негативно сказаться на стабильности работы компьютера, поэтому лучше для экспериментов выбирать качественную память с запасом по скорости работы. После окончания процесса изменения конфигурации памяти не забудьте сохранить настройки в BIOS Setup. После этого можно перезагрузить компьютер.

Оцените статью!

imguru.ru

Тайминг оперативной памяти. Оперативная память компьютера :: SYL.ru

Основные характеристики оперативной памяти (ее объем, частота, принадлежность к одному из поколений) могут быть дополнены еще одним важнейшим параметром - таймингами. Что они представляют собой? Можно ли их изменять в настройках BIOS? Как это делать наиболее корректным, с точки зрения стабильной работы компьютера, образом?

Что такое тайминги ОЗУ?

Тайминг оперативной памяти - это временной интервал, за который команда, отправляемая контроллером ОЗУ, выполняется. Измеряется эта единица в количестве тактов, которые пропускаются вычислительной шиной, пока идет обработка сигнала. Сущность работы таймингов проще понять, если разобраться в устройстве микросхем ОЗУ.

Оперативная память компьютера состоит из большого количества взаимодействующих ячеек. Каждая имеет свой условный адрес, по которому к ней обращается контроллер ОЗУ. Координаты ячеек, как правило, прописываются посредством двух параметров. Условно их можно представить как номера строк и столбцов (как в таблице). В свою очередь, группы адресов объединяются, чтобы контроллеру было "удобнее" находить конкретную ячейку в более крупную область данных (иногда ее называют "банком").

Таким образом, запрос к ресурсам памяти осуществляется в две стадии. Сначала контроллер отправляет запрос к "банку". Затем он запрашивает номер "строки" ячейки (посылая сигнал типа RAS) и ждет ответа. Длительность ожидания - это и есть тайминг оперативной памяти. Его общепринятое наименование - RAS to CAS Delay. Но это еще не все.

Контроллеру, чтобы обратиться к конкретной ячейке, нужен также и номер приписанного к ней "столбца": посылается другой сигнал, типа CAS. Время, пока контроллер ждет ответа, - это тоже тайминг оперативной памяти. Он называется CAS Latency. И это еще не все. Некоторые IT-специалисты предпочитают интерпретировать такое явление, как CAS Latency, несколько иначе. Они полагают, что этот параметр указывает, сколько должно пройти единичных тактов в процессе обработки сигналов не от контроллера, а от процессора. Но, как отмечают эксперты, речь в обоих случаях, в принципе, идет об одном и том же.

Контроллер, как правило, работает с одной и той же "строкой", на которой расположена ячейка, не один раз. Однако, прежде чем обратиться к ней повторно, он должен закрыть предыдущую сессию запроса. И только после этого возобновлять работу. Временной интервал между завершением и новым вызовом строки - это тоже тайминг. Называется он RAS Precharge. Уже третий по счету. На этом все? Нет.

Поработав со строкой, контроллер должен, как мы помним, закрыть предыдущую сессию запроса. Временной интервал между активацией доступа к строке и его закрытием - это тоже тайминг оперативной памяти. Его наименование - Active to Precharge Delay. В принципе, теперь все.

Мы насчитали, таким образом, 4 тайминга. Соответственно, записываются они всегда в виде четырех цифр, например, 2-3-3-6. Кроме них, к слову, есть еще один распространенный параметр, которым характеризуется оперативная память компьютера. Речь идет о значении Command Rate. Оно показывает, какое минимальное время тратит контроллер на то, чтобы переключиться от одной команды к другой. То есть, если для CAS Latency значение - 2, то временная задержка между запросом от процессора (контролера) и ответом модуля памяти составит 4 такта.

Тайминги: порядок расположения

Каков порядок расположения в этом числовом ряду каждого из таймингов? Он практически всегда (и это своего рода отраслевой "стандарт") таков: первая цифра - это CAS Latency, вторая - RAS to CAS Delay, третья - RAS Precharge и четвертая - Active to Precharge Delay. Как мы уже сказали выше, иногда используется параметр Command Rate, его значение пятое в ряду. Но если для четырех предыдущих показателей разброс цифр может быть достаточно большим, то для CR возможно, как правило, только два значения - T1 или T2. Первый означает, что время с момента, когда память активируется, до наступления ее готовности отвечать на запросы должен пройти 1 такт. Согласно второму - 2.

О чем говорят тайминги?

Как известно, объем ОЗУ - один из ключевых показателей производительности этого модуля. Чем он больше - тем лучше. Другой важный параметр - это частота оперативной памяти. Здесь тоже все однозначно. Чем она выше, тем ОЗУ будет работать быстрее. А что с таймингами?

В отношении них закономерность иная. Чем меньше значения каждого из четырех таймингов - тем лучше, тем производительнее память. И тем быстрее, соответственно, работает компьютер. Если у двух модулей с одинаковой частотой разные тайминги оперативной памяти, то и их производительность будет отличаться. Как мы уже определили выше, нужные нам величины выражаются в тактах. Чем их меньше, тем, соответственно, быстрее процессор получает ответ от модуля ОЗУ. И тем скорее он может "воспользоваться" такими ресурсами, как частота оперативной памяти и ее объем.

"Заводские" тайминги или свои?

Большинство пользователей ПК предпочитает использовать те тайминги, которые установлены еще на конвейере (либо в опциях материнской платы выставлена автонастройка). Однако на многих современных компьютерах есть возможности для того, чтобы выставить нужные параметры вручную. То есть, если нужны более низкие значения - их, как правило, можно проставить. Но как изменить тайминги оперативной памяти? Причем сделать это так, чтобы система работала стабильно? А еще, быть может, есть случаи, при которых лучше выбрать увеличенные значения? Как выставить тайминги оперативной памяти оптимальным образом? Сейчас мы попробуем дать ответы на эти вопросы.

Настраиваем тайминги

Заводские значения таймингов прописываются в специально отведенной области микросхемы ОЗУ. Называется она SPD. Используя данные из нее, система BIOS адаптирует оперативную память к конфигурации материнской платы. Во многих современных версиях BIOS настройки таймингов, выставленные по умолчанию, можно корректировать. Практически всегда это осуществляется программным методом - через интерфейс системы. Изменение значений как минимум одного тайминга доступно в большинстве моделей материнских плат. Есть, в свою очередь, производители, которые допускают тонкую настройку модулей ОЗУ при задействовании гораздо большего количества параметров, чем четыре указанных выше типа.

Чтобы войти в область нужных настроек в BIOS, нужно, зайдя в эту систему (клавиша DEL сразу после включения компьютера), выбрать пункт меню Advanced Chipset Settings. Далее в числе настроек находим строку DRAM Timing Selectable (может звучать несколько по-другому, но похоже). В нем отмечаем, что значения таймингов (SPD) будут выставляться вручную (Manual).

Как узнать тайминг оперативной памяти, установленный в BIOS по умолчанию? Для этого мы находим в соседствующих настройках параметры, созвучные CAS Latency, RAS to CAS, RAS Precharge и Active To Precharge Delay. Конкретные значения таймингов, как правило, зависят от типа модулей памяти, установленных на ПК.

Выбирая соответствующие опции, можно задавать значения таймингов. Эксперты рекомендуют понижать цифры очень постепенно. Следует, выбрав желаемые показатели, перезагружаться и тестировать систему на предмет устойчивости. Если компьютер работает со сбоями, нужно вернуться в BIOS и выставить значения на несколько уровней выше.

Оптимизация таймингов

Итак, тайминги оперативной памяти - какие лучше значения для них выставлять? Почти всегда оптимальные цифры определяются в ходе практических экспериментов. Работа ПК связана не только с качеством функционирования модулей ОЗУ, и далеко не только скоростью обмена данными между ними и процессором. Важны многие другие характеристики ПК (вплоть до таких нюансов, как система охлаждения компьютера). Поэтому практическая результативность изменения таймингов зависит от конкретной программно-аппаратной среды, в которой пользователь производит настройку модулей ОЗУ.

Общую закономерность мы уже назвали: чем ниже значения таймингов, тем выше скорость работы ПК. Но это, конечно, идеальный сценарий. В свою очередь, тайминги с пониженными значениями могут пригодиться при "разгоне" модулей материнской платы - искусственном завышении ее частоты.

Дело в том, что если придать микросхемам ОЗУ ускорение в ручном режиме, задействовав слишком большие коэффициенты, то компьютер может начать работать нестабильно. Вполне возможен сценарий, при котором настройки таймингов будут выставлены настолько некорректно, что ПК и вовсе не сможет загрузиться. Тогда, скорее всего, придется "обнулять" настройки BIOS аппаратным методом (с высокой вероятностью обращения в сервисный центр).

В свою очередь, более высокие значения для таймингов могут, несколько замедлив работу ПК (но не настолько, чтобы скорость функционирования была доведена до режима, предшествовавшего "разгону"), придать системе стабильности.

Некоторыми IT-экспертами подсчитано, что модули ОЗУ, обладающие CL в значении 3, обеспечивают примерно на 40 % меньшую задержку в обмене соответствующими сигналами, чем те, где CL равен 5. Разумеется, при условии, что тактовая частота и на том, и на другом одинаковая.

Дополнительные тайминги

Как мы уже сказали, в некоторых современных моделях материнских плат есть возможности для очень тонкой настройки работы ОЗУ. Речь, конечно, не идет о том, как увеличить оперативную память - этот параметр, безусловно, заводской, и изменению не подлежит. Однако в предлагаемых некоторыми производителями настройках ОЗУ есть очень интересные возможности, задействуя которые, можно существенно ускорить работу ПК. Мы же рассмотрим те, что относятся к таймингам, которые можно конфигурировать в дополнение к четырем основным. Важный нюанс: в зависимости от модели материнской платы и версии BIOS, названия каждого из параметров могут отличаться от тех, которые мы сейчас приведем в примерах.

1. RAS to RAS Delay

Этот тайминг отвечает за задержку между моментами, когда активизируются строки из разных областей консолидации адресов ячеек ("банков" то есть).

2. Row Cycle Time

Этот тайминг отражает временной интервал, в течение которого длится один цикл в рамках отдельной строки. То есть от момента ее активизации до начала работы с новым сигналом (с промежуточной фазой в виде закрытия).

3. Write Recovery Time

Данный тайминг отражает временной интервал между двумя событиями - завершением цикла записи данных в память и началом подачи электросигнала.

4. Write To Read Delay

Данный тайминг показывает, сколько должно пройти времени между завершением цикла записи и моментом, когда начинается чтение данных.

Во многих версиях BIOS также доступен параметр Bank Interleave. Выбрав его, можно настроить работу процессора так, чтобы он обращался к тем самым "банкам" ОЗУ одновременно, а не по очереди. По умолчанию этот режим функционирует автоматически. Однако можно попробовать выставить параметр типа 2 Way или 4 Way. Это позволит задействовать 2 или 4, соответственно, "банка" одновременно. Отключение режима Bank Interleave используется довольно редко (это, как правило, связано с диагностикой ПК).

Настройка таймингов: нюансы

Назовем некоторые особенности, касающиеся работы таймингов и их настройки. По мнению некоторых IT-специалистов, в ряду из четырех цифр наибольшее значение имеет первая, то есть тайминг CAS Latency. Поэтому, если у пользователя немного опыта в "разгоне" модулей ОЗУ, эксперименты, возможно, следует ограничить выставлением значений только для первого тайминга. Хотя эта точка зрения не является общепринятой. Многие IT-эксперты склонны считать, что три других тайминга не менее значимы с точки зрения скорости взаимодействия между ОЗУ и процессором.

В некоторых моделях материнских плат в BIOS можно настроить производительность микросхем оперативной памяти в нескольких базовых режимах. По сути, это выставление значений таймингов по шаблонам, допустимым с точки зрения стабильной работы ПК. Эти опции обычно соседствуют с параметром Auto by SPD, а режимы, о которых идет речь, - Turbo и Ultra. Первый подразумевает умеренное ускорение, второй - максимальное. Эта возможность может быть альтернативой выставлению таймингов вручную. Похожие режимы, к слову, есть во многих интерфейсах усовершенствованной системы BIOS - UEFI. Во многих случаях, как отмечают эксперты, при включении опций Turbo и Ultra достигается в достаточной мере высокая производительность ПК, а его работа при этом стабильна.

Такты и наносекунды

Реально ли выразить тактовые циклы в секундах? Да. И для этого существует очень простая формула. Такты в секундном выражении считаются делением единицы на фактическую тактовую частоту ОЗУ, указываемую производителем (правда, этот показатель, как правило, нужно делить на 2).

То есть, например, если мы хотим узнать такты, формирующие тайминги оперативной памяти DDR3 или 2, то мы смотрим на ее маркировку. Если там указана цифра 800, то фактическая частота ОЗУ будет равна 400 МГЦ. Это значит, что длительность такта составит значение, получаемое в результате деления единицы на 400. То есть 2,5 наносекунды.

Тайминги для модулей DDR3

Одни из самых современных модулей ОЗУ - микросхемы типа DDR3. Некоторые специалисты считают, что в отношении них такие показатели, как тайминги, имеют гораздо меньшее значение, чем для чипов предыдущих поколений - DDR 2 и более ранних. Дело в том, что эти модули, как правило, взаимодействуют с достаточно мощными процессорами (такими как, например, Intel Core i7), ресурсы которых позволяют не столь часто обращаться к ОЗУ. Во многих современных чипах от Intel, так же, как и в аналогичных решениях от AMD, есть достаточная величина собственного аналога ОЗУ в виде L2- и L3-кэша. Можно сказать, что у таких процессоров есть свой объем оперативной памяти, способный выполнять значительный объем типовых для ОЗУ функций.

Таким образом, работа с таймингами при использовании модулей DDR3, как мы выяснили, - не самый главный аспект "разгона" (если мы решим ускорить производительность ПК). Гораздо большее значение для таких микросхем имеют как раз-таки параметры частоты. Вместе с тем, модули ОЗУ вида DDR2 и даже более ранних технологических линеек сегодня все еще ставятся на компьютеры (хотя, конечно, повсеместное использование DDR3, по оценке многих экспертов, - более чем устойчивый тренд). И потому работа с таймингами может пригодиться очень большому количеству пользователей.

www.syl.ru

Управление параметрами памяти в BIOS

Как известно, в BIOS содержаться настройки, которые влияют на инициализацию устройств так и на их дальнейшую работу. Поэтому неудивительно, что оперативная память также имеет некоторые настройки, которые доступны в BIOS.

В настройках можно изменить частоту работы ОЗУ, установить тайминги, иногда даже увеличить напряжение. Именно эти настройки наиболее часто используют те, кто занимаются разгоном, в том числе и оперативной памяти.

Если ваш компьютер периодически зависает, происходят внезапные перезагрузки, система выдает сообщения об ошибке чтения данных, то возможно это из-за неполадок оперативной памяти. Они могут возникать при внештатной работе ОЗУ, при более высокой температуре.

Первое, что может помочь, так это сбить настройки памяти в BIOS (вернуть по умолчанию). Если есть возможность, то установить режим работы ОЗУ в Auto.

В BIOS можно зайти в течении примерно двух секунд после включения компьютера, но для этого необходимо нажать определенную клавишу. У каждого производителя она может быть разная, но в основном это F2 или Delete. Обычно при отображении заставки BIOS, в нижней части экрана будет написано какую необходимо нажать клавишу (BIOS Setup).

Сегодня интерфейс BIOS на почти всех современных платах очень отличается от того, который был раньше. Он теперь представлен графической оболочкой производителя платы, доступно управление мышкой. Кроме этого, настроек стало намного больше, появились разделы которое относятся только к разгону, в том числе и на многих бюджетных платах.

К сожалению нет универсального раздела, который бы имел одно и тоже название во многих BIOS материнских плат. Тем не менее, название раздела могут быть следующими: Advanced, Chipset Setting, Advanced Chipset Features, Memory Configuration, DRAM Configuration, OverClocking Features, MB Intelligent Tweake.

Настройки таймингов ОЗУ обычно имеют такие названия как CAS# Latency Time, RAS# to CAS# Delay, RAS# Prechange, RAS# Activate to Precharge, Memory Timing, 1T/2T Memory Timing. Принцип изменения настроек прост — чем меньше значение, тем быстрее работает память. Но для увеличения стабильности, эти параметры можно немного увеличить. Разницу между «разогнанной» памятью и обычной рядовой пользователя вряд ли заметит.

За напряжение питания отвечают настройки схожие с таким названием как DDR2 OverVoltage Control, DIMM Voltage, DRAM Voltage, VDIMM. Эти настройки стоит изменять только в том случае, если вы в этом уверенны. Слишком высокое напряжение может просто вывести из строя память. При возможности установите напряжение в режим Auto или Default.

Изменяйте настройки ОЗУ только при необходимости, если действительно есть такая потребность. Современная память и без настройки достаточно быстрая, при этом потребляет намного меньше чем предыдущие типы.

Вернуться на главную!

shte.ru