Срок доставки товара в течении 1-3 дней !!!
|
|
Оперативная память для ноутбука DDR3. Как правильно выбрать? Озу ddr3
Оперативная память для ноутбука DDR3. Как правильно выбрать?
Ноутбуки - мобильные компьютеры, которые в последнее время становятся популярнее классических персональных компьютеров и моноблоков. Ничего удивительного в этом нет, ибо пользователь получает сопоставимое по мощности, транспортабельное устройство по принципу "все-в-одном". Здесь уже есть и веб-камера, и Wi-Fi передатчик, и Bluetooth. Ноутбуки еще и гораздо удобнее обычных ПК. А некоторые из них даже могут быть подвергнуты "апгрейду" (улучшению). Об этом и пойдет речь. А конкретно - о том, какая оперативная память для ноутбука будет предпочтительнее. На что следует обратить внимание при покупке "оперативки"?
Разница между DDR3 и DDR2
В принципе, DDR3 - уже довольно устаревший стандарт. Но большинство устройств пока используют его, поскольку четвертая версия не настолько распространена. Главное отличие "тройки" от предыдущего поколения - скорость работы. Оперативная память этого стандарта показывает чудеса производительности по сравнению со своими "прародителями". Да и рабочие частоты заметно увеличились, что не могло не сказаться на скорости. Но главное различие - в таймингах и оптимизации. На данный момент DDR3 - самая производительная "оперативка" (за исключением "четверки"). Именно поэтому оперативная память для ноутбука - DDR3. И никакая другая.
Стоит еще учесть, что между модулями памяти для стационарного ПК и ноутбука существует различие, которое выражается в размерах самого модуля и рабочих микросхем. Поэтому "ноутбучная" версия памяти, как правило, несколько слабее "полноразмерной". Но сие не так важно. Итак, что нужно знать, чтобы правильно выбрать такой компонент, как оперативная память для ноутбука DDR3? Рассмотрим нужные характеристики.
На что обратить внимание при покупке памяти?
Выбирая модуль памяти, следует ориентироваться на тот диапазон частот и объем, который поддерживается вашей материнской платой. Узнать всю информацию о плате можно при помощи программы AIDA64. Оперативная память для ноутбука DDR3 4GB (или больше) может и не подойти вашей машине по частотам. Хотя, если брать во внимание современные лэптопы, то с этим параметром проблем быть не должно. Обычная рабочая частота самой простой "оперативки" - 1066 мегагерц. Но это далеко не предел. Часто бывает, что такие ограничения условны. Память запросто сможет работать и на 1333 мегагерцах.
Также важно знать максимальный объем оперативной памяти, который можно установить в ваш ноутбук. Стандартный объем для бюджетных устройств - 16 гигабайт. Если вы собираетесь установить два модуля (а двухканальный режим всегда лучше) общим объемом 8 Гигабайт, то обязательное условие - оперативная память DDR3 4 Гб для ноутбука должна быть от одного производителя (оба модуля). Иначе возможен конфликт компонентов. Также нужно запомнить, что в бюджетные ноутбуки поставить модуль памяти с собственным радиатором не получится. Так что не стоит и переплачивать. А теперь рассмотрим лучшие варианты от известнейших производителей.
Kingston ValueRAM 8GB DDR3
Это хороший модуль памяти, работающей на частоте 1600 мегагерц. Этим и объясняется его относительно высокая стоимость. Но эта оперативная память для ноутбука DDR3 обеспечит нереальное быстродействие вашей машины. Особенно два таких модуля, работающих в двухканальном режиме. Память способна выдержать даже "разгон". И это ее главное преимущество. Многие также выбирают эти модули памяти из-за исключительной надежности. Известно, что эта оперативная память способна пережить многое.
Kingston 4GB DDR3 PC3-10600
Оперативная память для ноутбука DDR3 - 1333 мегагерц. Причем этот бюджетный модуль может использоваться в самых дешевых моделях. Он без труда устанавливается даже в самый замысловатый корпус и способен обеспечить плавную работу любой операционной системы. Однако для требовательных игр сего модуля не хватит. Да и объем маловат - всего 4 гигабайта. Даже с двумя аналогичными модулями общий объем составит всего 8 гигабайт, что очень мало для современных игр. Но для работы такого модуля за глаза хватит.
Corsair Mac Memory 4GB DDR3 PC3-8500
Оперативная память для ноутбука DDR3 - 1066 мегагерц. Наверное, самый дешевый модуль из всех ныне существующих. Его стоимость, вероятно, соответствует его рабочей частоте - 1066 мегагерц. Эта оперативная память может использоваться только в старых ноутбуках. В новые модели ее, конечно, можно установить, но вместо прироста производительности пользователь получит ее спад. Ибо рабочие частоты сильно различаются. Итак, целевая аудитория этого модуля - владельцы устаревших машин, которые используют свои лэптопы исключительно для работы.
Kingston HyperX Impact 8GB DDR3 PC3-17000
А вот это самая "крутая" оперативная память для ноутбука DDR3. Ее особенность заключается в рабочей частоте. Она составляет целых 2133 мегагерц. Это абсолютный рекорд в мире мобильных компьютеров. Неудивительно, что стоит такой модуль приличных денег. Его объема в 8 гигабайт хватит для всего. Особенно в том случае, если установить два таких модуля и заставить оперативную память работать в двухканальном режиме. Прирост производительности будет просто фантастическим. Если позволит видеокарта, то запустить современные игрушки не составит никакого труда.
Заключение
Оперативная память для ноутбука DDR3 - сейчас самый распространенный тип памяти в мире мобильных компьютеров. Эти модули могут функционировать на нереально высокой частоте, способны иметь внушительный объем и прекрасно показывают себя, работая в многоканальном режиме. Линейка модулей весьма обширна. Она включает в себя как бюджетные низкочастотные модели, так и дорогие "планки" с высокой частотой работы и возможностью разгона. Выбор какой-то конкретной модели целиком и полностью зависит от пользователя и его финансовых возможностей.
fb.ru
В чем разница в типах оперативной памяти DDR3 и DDR3L
Оперативное запоминающее устройство, или ОЗУ, — это микросхемы для оперативного или временного хранения информации. Информация в ОЗУ сохраняется, пока на микросхему подается питание. При отключении питания информация теряется. Введи здесь текст
В англоязычной технической литературе такие устройства называют RAM — Random Access Memory, или памятью произвольного доступа.
Статические и динамические ОЗУ
Существует два типа ОЗУ: статические и динамические.
Элементарной ячейкой статического ОЗУ является триггер. Триггер состоит из двух транзисторных ключей, включенных навстречу друг другу так, что из состояния взаимно противоположны — когда открыт один ключ, второй закрыт и наоборот. Без внешнего сигнала переключения ключи остаются в неизменном состоянии пока на триггер подается питание. Для реализации триггера необходимо как минимум два транзистора на кристалле.
Элементарной ячейкой динамического ОЗУ является конденсатор. Заряженный конденсатор хранит 1, разряженный — 0. В качестве запоминающего конденсатора можно использовать собственную емкость затвора полевого транзистора, таким образом, появляется возможность реализовать ячейку памяти всего на одном транзисторе. Более высокая плотность размещения ячеек памяти на кристалле и определила использование динамической памяти для построения ОЗУ большого объема.
Конденсатор постепенно теряет свой заряд, поэтому его необходимо поддерживать в заряженном состоянии, или< как говорят — регенерировать. Поэтому в динамической памяти, кроме обычных операций чтения и записи, появляется еще и операция регенерации.
Типы динамических ОЗУ
Первоначально и статические и динамические устройства были асинхронными, то есть не требовали для своей работы тактовой частоты. Быстродействие было примерно одинаковым и единственным существенным различием была необходимость регенерации в динамических ОЗУ. Со временем быстродействие транзисторных ключей росло, а быстродействие динамической памяти ограничивалось тем, что заряд и разряд запоминающего конденсатора требует определенного времени. Динамическая память стала отставать от статической.
Разработчикам динамической памяти пришлось пойти на усложнение своих микросхем. Микросхемы динамической памяти получили на кристалле довольно сложную обвязку и устройство управления, для работы которого необходима подача тактовой частоты. Динамические ОЗУ стали синхронными и получили название SDRAM — Synchronous Dynamic RAM.
За счет различных схемотехнических ухищрений эффективное быстродействие SDRAM стало превышать пропускную способность шины памяти и шина стала узким местом. Обычно в синхронных устройствах передача информации происходит по определенному фронту синхроимпульса — переднему (нарастающему) или заднему (спадающему).Появились микросхемы DDR SDRAM, у которых в отличие от обычных SDRAM передача информации по шине осуществляется как по обоим фронтам синхроимпульса. Это позволило увеличить пропускную способность шины памяти вдвое. DDR и означает Double Data Rate, или удвоенную скорость данных.
Технология DDR развивалась и появились новые поколения этих устройств, сначала DDR2, затем DDR3. Последним поколением на сегодняшний день является DDR4, но оно еще не получило широкого распространения и самым распространенным типом остается DDR3 .
Обзор оперативной памяти DDR3
DDR3 SDRAM означает синхронную динамическую память третьего поколения с удвоенной скоростью передачи по шине данных. Память выпускается в виде модулей — печатных плат прямоугольной формы, на одной из длинных сторон которых располагаются контактные площадки для соединения с разъемами материнской платы.
В зависимости от исполнения контактов модули разделяются на два типа — SIMM и DIMM. SIMM или Single In line Memory Module — означает модуль памяти с одним рядом контактов. DIMM — модуль с двумя рядами контактов. У обоих типов модулей контактные площадки расположены на двух сторонах платы, но в модулях SIMM противоположные контакты соединены.
Модули памяти DDR2 и DDR3 имеют по 240 контактов. На контактной стороне модулей имеется специальный вырез — ключ. На модулях DDR2 и DDR3 ключи располагаются по-разному, что исключает установку одного модуля вместо другого. Выпускаются модули уменьшенного габарита для ноутбуков, которые обозначаются SoDIMM, So в обозначении расшифровывается как Small Outline, то есть малый наоборот.
Характеристики DDR3
Основные характеристики любого типа памяти — объем и быстродействие. Объем выпускаемых в настоящее время модулей составляет от 1 до 16 ГБ для стандартных модулей и до 8 ГБ для SoDIMM.
Быстродействие синхронной памяти определяется тактовой частотой шины и задержками в цикле обращения к памяти, которые характеризуют быстродействие самих микросхем памяти и называются латентностями (от английского Latency — задержка) или таймингами. Разных задержек указывается несколько — иногда до пяти. Для выбора модуля DDR3 можно не обращать особого внимания на задержки.
В системах DDR данные буферизуются, используется конвейерный ввод-вывод, при этом значение задержек собственно микросхем компенсируется. Кроме того, современные процессоры имеют на кристалле такие объемы быстродействующих статических ОЗУ в кеш-памяти второго и даже третьего уровня, что подкачка страниц между внутренним кешем и внешним ОЗУ происходит довольно редко. Поэтому в современных компьютерах быстродействие оперативной памяти престало играть определяющую роль.
Главная характеристика быстродействия памяти DDR3 — частота передачи по шине данных. Для DDR3 она может быть в диапазоне от 800 до 2400 МГц. Частота шины в два раза ниже, поскольку передача данных идет два раза за цикл по обоим фронтам тактового сигнала. За счет буферизации еще делится на 4, то есть сама память работает на частоте в 4 раза ниже частоты шины.
Быстродействие модулей измеряется в мегабайтах за секунду. Поскольку шина имеет ширину в 64 бита или 8 байт в секунду, значение скорости обмена данными для модуля DDR3 будет в 8 раз больше частоты передачи по шине.
Самый медленный модуль с частотой данных на шине 800 МГц будет иметь скорость 2400 МБ в секунду и иметь обозначение PC3−2400.
Самый, быстрый модуль с частотой данных 2400 МГц будет иметь скорость 19200 МБ в секунду и обозначение будет выглядеть как PC3−19200.
При выборе модуля, надо обязательно убедиться что тактовая частота шины модуля соответствует тактовой частоте процессорной шины вашего компьютера.
Снижение напряжения питания микросхем
Современные микросхемы изготавливаются по технологии КМОП. Транзисторный ключ в этой технологии состоит из двух полевых транзисторов, включенных по двухтактной схеме. В любом состоянии ключа один транзистор полностью открыт, другой — закрыт. В закрытом состоянии полевой транзистор практически не пропускает тока. То есть, в стабильном состоянии КМОП ключ не потребляет ток от источника питания. Но у затворов полевых транзисторов есть емкость. И она имеет существенную величину. При переключении ключа происходит перезаряд затворных емкостей. А конденсатор, как известно, запасает энергию в виде электрического поля. И эта энергия пропорциональна величинам емкости и напряжения.
Мощность определяет скорость изменения энергии и пропорциональна в нашем случае частоте переключения. Получается, что вся энергия источника питания расходуется на перезаряд затворных емкостей. И потребляемая мощность растет линейно с ростом тактовой частоты. Есть два пути понижения потерь мощности на перезаряд паразитных конденсаторов:
- Уменьшить их емкость.
- Уменьшить напряжение перезаряда — понизить напряжение питания.
С каждым новым шагом в совершенствовании технологического процесса изготовления интегральных микросхем линейные размеры транзисторов уменьшаются. Уменьшается и площадь паразитных конденсаторов, а соответственно и их емкость. Но и число транзисторов на кристалле тоже увеличивается.
Значит, надо добиться работы микросхем при как можно более низком напряжении питания. В результате с каждым новым поколением микросхем напряжение их питания уменьшается.
- DDR — 2, 5 В.
- DDR2 — 1, 8 В.
- DDR3 — 1, 5 В.
- DDR4 — 1, 2 В.
В чем отличие DDR3 и DDR3l
На рынке можно найти модули с микросхемами DDR3l и DDR3. Разница в том, что DDR3L — это модернизированная версия DDR3. L- означает Low или по-русски низкий, пониженный. Микросхемы DDR3l могут работать на пониженном напряжении 1,35 В. Но могут работать и при обычном для DDR3 напряжении 1,5 В. Лучше использовать соответствующие модули по своему прямому назначению.
DDR3L может устанавливаться вместо DDR3, а наоборот — нет. Если напряжения питания модулей памяти равно 1,35 в, то такая материнская плата предполагает использование только модулей DDR3L, и установка обычных модулей DDR3 невозможна.
komp.guru
Какую оперативную память DDR3 выбрать? Современный рынок оперативной памяти
Стоимость оперативной памяти DDR3 снижается в связи с тем, что ее выпуск освоило много производителей, при этом она выпускается на наиболее тонком технологическом процессе среди всех существующих модулей. Тем самым, себестоимость выпуска данной памяти наиболее низка. В течение ближайшего времени стоимость планок DDR3 должна упасть еще на 4%, тем самым модули объемом в 4 Гб будут предлагаться за смехотворные 15-17 долларов США. Пожалуй, именно описанный факт снижения стоимости памяти практически не ставит перед пользователем вопрос: "Какой объем оперативной памяти необходимо покупать современному компьютеру?" Всех интересует ответ на вопрос: "Какие модули оперативной памяти DDR3 покупать для своего нового компьютера?"
-- Картинка кликабельна --
Действительно, вопрос выбора производителя планок оперативной памяти всегда стоял наиболее остро. На сегодняшний день данный выбор осложнился тем, что даже в регионах стали широко доступными оверклоккерские модули оперативной памяти, которые ранее были доступны только в столице нашей страны. Еще три-четыре года назад в регионах с трудом можно было найти оперативную память с радиаторами охлаждения, а на сегодняшний день пользователь может приобрести любую память, даже с максимально заниженным уровнем таймингов и высокими рабочими частотами.
-- Картинка кликабельна --
Следует отметить, что, несмотря на существование множества марок оперативной памяти, настоящих производителей чипов не так-то много. Наиболее крупным производителем сегодняшнего дня является корпорация Samsung, которая находится на истоках выпуска чипов DDR3. Также распространенными чипами на отечественном рынке оперативной памяти являются чипы от компании Hynix и Micron. На складах имеется большой запас продукции японской Elpida, которая переживает очередную стадию процедуры банкротства. По последним данным, данный производитель будет поглощен американской Micron, - осталось согласовать все тонкости в антимонопольном комитете США. На рынке существуют планки памяти под маркой Samsung, Hynix, Micron. Как правило, раскрученные бренды OCZ, G.Skill, Corsair основываются на тех же чипах, а радиаторы на каждый модуль крепятся больше для того, чтоб скрыть маркировку производителей чипов, а не отвода тепла с модулей памяти. Следует понимать, что при штатном рабочем напряжении оперативная память DDR3 греется не существенно.
-- Картинка кликабельна --
А вот при разгоне оперативной памяти приходится повышать ее рабочее напряжение, именно за счет этого она начинает покорять более высокие частоты. При этом тепловыделение у чипов повышается и для сохранения стабильности работы рекомендуется использовать самые различные пассивные и активные схемы охлаждения.Говоря о разгоне оперативной памяти, следует отметить, что ранее, когда контроллер находился в отдельном серверном мосте - разгонный потенциал во многом зависел от материнской платы. На сегодняшний день данная тенденция сломлена, разгонный потенциал зависит от модулей памяти и центрального процессора, так как именно в него интегрирован контроллер памяти. Первопроходцем в сфере интегрирования контроллера оперативной памяти в процессор является компания AMD. Видимо, именно на платформах под управлением данных процессоров удается достичь наиболее высокого разгонного потенциала. К примеру, недавно на платформе на базе материнской платы Gigabyte GA-A75-UD4H и процессора AMD A8-3870K оверклоккеру Christian Ney удалось достичь частоты свыше 1900 Мгц - 1938 Мгц. Это позволяет надеяться на то, что в скором времени память типа DDR3 все же сможет покорить частоту в 2000 Мгц и получить маркировку DDR3-4000.
-- Картинка кликабельна --
Отдельным особняком стоят модули оперативной памяти DDR3 для ноутбуков. Данные модули имеют уменьшенные размеры и маркируются как SO-DIMM DDR3. Тут выбор ограничен. Практически нет модулей с высокими рабочими частотами и все они трудятся при стандартном напряжении 1,5 вольта, реже встречаются модули с напряжением 1,35 вольт. Связано это с тем, что БИОСы ноутбуков не позволяют как-либо разгонять свои компоненты и пользователи чаще докупают память или заменяют ее, в то время как персональные компьютеры собираются с "нуля" или производится их практически полный "апгрейд". Совет по выбору модулей памяти для ноутбуков прост - откройте заднюю крышку, узнайте какая память стоит и на каких чипах, затем постарайтесь найти аналогичную. Если не нашли, берете стандартный планки hynix или Samsung, которые запускаются в 98% современных ноутбуках, в том числе от Apple.
-- Картинка кликабельна --
Ключевыми принципом выбора планок оперативной памяти должно быть - какой канальности контроллер оперативной памяти у процессора - столько и нужно покупать. На сегодняшний день существуют одноканальные, двухканальные, трехканальные, четырехканальные контроллеры. В большинстве случаев пользователи имеют дело с двухканальными контроллерами. Данные контроллеры имеют процессоры для сокетов AMD AM2, AM3, AM3+, FM1, а также процессоры Intel для сокетов LGA 775, LGA 1155, LGA 1156. Трехканальный контроллер имеет лишь платформа Intel с сокетом LGA 1366, а четырехканальный контроллер также за Intel в рамках платформы LGA 2011. Как правило, материнские платы поддерживают работу с несколькими модулями оперативной памяти. Например, двухканальные платформы разрешают установку до 4-х планок, трехканальные до 6-ти, четырехканальные до 8-ми. Стремиться к их заполнению не надо - это не даст прироста производительности. В двухканальные следует устанавливать два модуля, в трехканальные три модуля, в четырехканальные восемь модулей. Увеличение количества планок приводит к увеличению числа комплектующих, чипов, что может ограничить разгонный потенциал и в повысить риск появления нестабильности при нестандартных режимах работы.На сегодняшний день планки DDR3 существуют объемом до 8 гигабайт. Установка двух планок - это уже 16 гигабайт, вполне хватающих любому домашнему пользователю. В любом случае - выбор за вами.
Современные платформы поддерживают так называемый Flex режим работы при установке трех модулей, на нем мы не останавливаемся, так как для домашнего персонального компьютера мы считаем его избыточным. Flex режим больше подходит для ноутбуков, где производители стремятся за красивыми цифрами и уменьшением издержек.
Также при выборе модулей оперативной памяти следует выбирать полностью идентичные решения. Если вы купили две или четыре планки от одного производителя, например, Samsung и они построены на разных чипах - вы рискуете не только не реализовать двухканальный или четырехканальный режим, но также можете трудиться на более низких рабочих частотах, нежели стандартные. Принцип выбора нескольких планок памяти всегда стандартен - модули должны быть максимально идентичны. Если вы докупаете оперативную память к старому компьютеру, то проследите, чтоб количество докупленных модулей было кратным канальности контроллера, чипы памяти располагались также с одной или двух сторон, объем их был идентичным, а рабочая частота такой же при аналогичных таймингах. Допускается покупать модули памяти работающие на большей частоте, в данном случае вы просто не раскроете их рабочий потенциал.
Заключение На этом мы заканчиваем нашу первую статью, посвященную из цикла посвященному оперативной памяти. Все возникающие вопросы вы можете задавать в специальной форме и на нашем форуме Мега Обзор.megaobzor.com
