Спецификации DDR5: некоторые подробности. Ddr 5 дата выхода

JEDEC анонсировала разработку памяти DDR5, которая будет вдвое быстрее нынешней DDR4

Организация JEDEC, занимающаяся стандартизацией в микроэлектронной отрасли, сообщила, что разработка спецификаций DDR5 SDRAM и NVDIMM-P идет по плану – оба стандарта будут приняты в 2018 году.

Память DDR5 придет на смену нынешней памяти DDR4, которая широко применяется в современных ПК и серверах. Новая память стандарта DDR5 будет вдвое быстрее, а также значительно энергоэффективнее текущей DDR4. Также сообщается о превосходстве по удельной емкости — вдвое выше, чем у DDR4.

Не лишним будет отметить, что аналитики и вовсе не ожидали появления DDR5. Они были уверены, что на DDR4 все и закончится. Но за последние годы конструкция ПК и серверов не претерпела каких-то существенных изменений, так что DDR5 потенциально может пользоваться большим спросом. Пока не ясно, когда на рынке появятся первые модули памяти, соответствующие пока еще не утвержденному стандарту DDR5, но вполне вероятно, что, как и в случае с DDR4, изначально выйдут решения для серверов и высокопроизводительных ПК, а затем новая память доберется до ноутбуков. Для мобильных устройств будет разработана специальная версия LPDDR с низким энергопотреблением. Напомним, сейчас последним стандартом является LPDDR4. Недавно выпущенные смартфоны Samsung Galaxy S8 оснащаются именно такой памятью.

Отдельно стоит упомянуть о необходимости соответствующей поддержки со стороны производителей микросхем памяти и системных плат. Этот процесс может занять больше года после утверждения финальных спецификаций DDR5.

В последнее время активно разрабатываются новые типы памяти, призванные заменить DDR5. Компания Intel в следующем году планирует приступить к поставкам модулей памяти Optane, выполненных в форм-факторе DIMM, которые могут заменить DDR DRAM. Одним из преимуществ памяти Optane является возможность сохранять данные даже когда ПК находится в выключенном состоянии. Помимо Optane есть и другие альтернативы, например, HBM2 (High-Bandwidth Memory) и GDDR5X, которые характеризуется высокой производительностью и в основном используются в видеокартах. Есть еще 3D-память HMC (Hybrid Memory Cube), которую можно обнаружить в узкоспециальных ускорителях Intel Xeon Phi.

Технология вычислений в оперативной памяти In-Memory Processing все чаще используется для обслуживания огромных баз данных и компании вроде Dell и Hewlett Packard Enterprise, реагируя на эту тенденцию, удваивают объемы ОЗУ в своих серверах. Собственно, это может неслабо подстегнуть спрос на DDR5.

Одновременно JEDEC анонсировала разработку нового стандарта энергонезависимой памяти NVDIMM-P (Non-volatile DIMM), который призван объединить энергонезависимую флэш-память и энергозависимую память DRAM. Этот тип памяти нацелен на использование в дата-центрах, где для обработки и кэширования данных одновременно используются SSD-накопители и модули ОЗУ.

Подробнее о DDR5 SDRAM и NVDIMM-P расскажут 19 июня этого года на мероприятии Server Forum.

Источник: pcworld

itc.ua

Спецификации DDR5: некоторые подробности

Совсем недавно мы писали о том, что комитет инженерной стандартизации полупроводниковой продукции (JEDEC), в числе прочего ответственный за разработку спецификаций новых поколений полупроводниковой памяти DRAM, планирует завершить подготовку стандарта DDR5 в 2018 году. Но DDR5 — это не просто более высокая скорость передачи данных в сравнении с DDR4, основным стандартом оперативной памяти сейчас. Это ещё и ряд новых технологий на стыке DRAM и энергонезависимой памяти; такое сочетание уже получило устоявшееся название NVDIMM, хотя текущие реализации далеки от идеала.

Технически объявленное «удвоение характеристик» означает создание чипов DDR5 ёмкостью 32 Гбит со скоростью передачи данных 4266‒6400 мегатранзакций в секунду на контакт. Если модули DDR5 сохранят разрядность шины 64 бита на модуль, это означает появление односторонних модулей DDR5-6400 ёмкостью 32 Гбайт со скоростью передачи данных 51,2 Гбайт/с. «Дружественный пользователю интерфейс» может означать новую, более удобную систему фиксации модуля в системной плате. На сегодня в этом плане сложно придумать что-то действительно новое, но, возможно, инженерам JEDEC удастся всех удивить.

JEDEC обещает решить и проблему падения эффективности подсистем памяти, которая в пересчёте на канал падает по мере увеличения количества каналов, но пока не известно, как именно это будет сделано. Более подробная информация ожидается на мероприятии Server Forum, которое состоится в Санта-Кларе, штат Калифорния, США, и начнётся 19 июня. В числе планируемых к 2018 году стандартов относится и новое поколение энергонезависимых модулей памяти NVDIMM-P, которое не будет ограничено объёмом, диктуемым технологиями DRAM. Ёмкость таких модулей может достигать единиц терабайт, но при этом в жертву приносится латентность, составляющая сотни наносекунд.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

3dnews.ru

Cadence показала прототип DDR5-4400

Вывод на рынок оперативной памяти нового поколения — DDR5 — ожидается в следующем году, после того как летом JEDEC утвердит финальную спецификацию соответствующего стандарта, а разработчики и производители RAM предоставят клиентам микросхемы и контроллеры DDR5. Подготовка к серии релизов ведётся непрерывно. Компания Cadence, желая продемонстрировать успехи в работе с оперативной памятью нового поколения, показала прототип устройства DDR5-4400. В его основу легли 7-нм микроконтроллер Cadence и 8-Гбит чипы Micron DDR5.

Получившийся у Cadence прототип напоминает что угодно, кроме модуля оперативной памяти, тем не менее компактное исполнение решений DDR5 в целом не является проблемой.

Устройство обеспечивает передачу данных со скоростью 4400 МТ/с (DDR-4400) в сочетании с высокой CAS-латентностью (CL) — 42 такта. Впрочем, с ростом пропускной способности RAM обычно увеличиваются и тайминги. Типичные значения CAS-латентности для DDR составляли 2,5–3 такта, для DDR2 — 4–6, для DDR3/DDR3L — 9–11, для DDR4 — 15–17. Значение CL у DDR5 в 42 такта несколько удручает, но в серийных продуктах задержки могут быть снижены.

Напряжение памяти нового типа на 8,3 % ниже, чем у DDR4 — 1,1 В, допустимое отклонение составляет всего 0,033 В в большую или меньшую сторону. В JEDEC рассчитывают, что со временем DDR5 достигнет скорости передачи данных в 6400 МТ/с (DDR5-6400). В свою очередь, специалисты Cadence полагают, что на первых порах оперативная память DDR пятого поколения будет работать в режиме 4400 МТ/с из-за ограничений со стороны контроллера.

Разработчик делает акцент на том, что технология DDR5 позволит увеличить ёмкость микросхем с нынешних 4–16 Гбит (512 Мбайт — 2 Гбайт) до 16–32 Гбит (2–4 Гбайт). Соответственно, максимальный объём двустороннего модуля RAM данного типа для настольных ПК составит 64 Гбайт. Помимо этого, стоит отметить, что в DDR5 улучшены алгоритмы загрузки каналов памяти и энергосбережения, а также предусмотрена возможность интеграции контроллера напряжения.

График Cadence, иллюстрирующий соотношение разных типов оперативной памяти на рынке в 2012–22 гг., указывает на то, что в эру DDR5 низковольтные чипы (LPDDR5) будут распространены больше, чем обычные. В 2019–20 гг. влияние DDR5 на рынок вычислительных устройств будет небольшим, но уже в 2021 году DDR5 и LPDDR5 сравняются по объёмам выпуска с нынешним дуэтом DDR4 и LPDDR4, а ещё через год DDR пятого поколения станет доминирующим типом оперативной памяти.

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

3dnews.ru