Самая быстрая память оперативная память: Самая быстрая оперативная память в мире

Содержание

У какого Android-смартфона самая быстрая память?

Представленный недавно смартфон Galaxy Note 10 станет первым устройством Samsung, использующим память стандарта UFS 3.0. Однако интереснее здесь то, что, согласно проведённым тестам, скорость памяти в еще не вышедшем флагмане значительно превосходит таковую у конкурентов. Как Samsung удалось добиться таких результатов и зачем вообще нужна быстрая память в смартфоне, мы расскажем в этом материале.

Первый смартфон Samsung с памятью UFS 3.0

Известный инсайдер Ice Universe поделился в сети фотографиями с тремя современными флагманами, на которых запущен тест памяти AndroBench. Прежде чем раскрыть имена этих флагманов, хочу напомнить, что однажды заголовки СМИ уже пестрили заявлениями о «первом смартфоне Samsung с быстрой памятью стандарта UFS 3.0». Было это несколько месяцев назад и речь тогда шла о Galaxy Fold. Первый складной смартфон южнокорейского гиганта с гибким экраном постигла незавидная участь из-за конструкционных особенностей. Так что до сих пор он не поступил в продажу и никакой достоверно точной информации о его дальнейшей судьбе нет.

Три флагмана, прошедшие тест на скорость памяти: OnePlus 7 Pro, Galaxy Note 10 и Galaxy Fold. Победителем, как уже понятно, оказался Galaxy Note 10, обогнавший действующего рекордсмена OnePlus 7 Pro и, что интереснее, своего брата по крови Galaxy Fold. Самый премиальный смартфон Samsung хоть пока и не вышел, но когда-нибудь точно выйдет. И когда он выйдет, он должен будет оказаться самым совершенным из того, что делала Samsung, сосредоточением всех передовых технологий, апогеем конструкторской мысли южнокорейского гиганта. Но как же у Galaxy Fold это получится, если у Galaxy Note 10 память уже быстрее?

Samsung может перевести Galaxy Fold на новую файловую систему обновлением

Все проще, чем кажется. Дело в том, что многие смартфоны-флагманы в современной индустрии использую память стандарта UFS 3.0, однако в Note 10 она быстрее лишь потому, что Samsung использует в нем новую файловую систему. Файловая система определяет, как данные хранятся на вашем устройстве, а также как они перемещаются из одной директории в другую. На протяжении всего своего жизненного цикла Android устройства под управлением этой ОС использовали файловую систему EXT3 и пришедшую ей на смену EXT4. Однако, начиная с Galaxy Note 10, Samsung хочет перевести свои (как минимум, премиальные) устройства на файловую систему F2FS. Samsung не первая с подобными идеями, ведь ранее перевести на F2FS свои смартфоны пыталась OnePlus, однако затем снова вернулась к EXT4. Так вот, простота и изящество всех этих манипуляций заключается в том, что перевести устройство с одной файловой системы на другую можно обычным обновлением.

Правда, с изяществом этого метода я бы поспорил, так как при смене файловой системы все данные со смартфона удаляются. Это означает, что переводить устройства, которые уже на руках у пользователей, Samsung навряд ли станет.

Читайте также: LPDDR5, UFS 3.0 и SD Express – стандарты памяти для смартфонов 2019 года

К слову, файловая система стандарта EXT4 считаетесь наиболее стабильной. Стабильная она как минимум потому, что существует уже много лет и работает все это время без нареканий на миллионах устройств. Файловая система F2FS высокой стабильностью хоть и не отличается, но зато может похвастаться большей скоростью. Только вот зачем, вообще, смартфону нужна быстрая память?

Зачем смартфону быстрая память?

Тут все довольно банально. В наш мир уже давно пришли AR и VR, а они требуют от смартфонов быстрых накопителей. Качество камер растёт не по дням, а по часам, современные фотографии, сделанные на них, весят очень много, а видео длительностью в 10 минут может весить как полнометражный фильм в хорошем качестве 10 лет назад. Многие вещи, которые происходят в современной мобильной ОС требуют для плавной работы такую же современную и быструю память. В сравнении со своим предшественником UFS 2.0 стандарт UFS 3.0 удвоил скорость передачи данных, подняв ее до 23,2 гигабит в секунду. Стоит понимать, что это теоретический максимум. На деле скорость не такая высокая, но все равно значительно выше, чем у UFS 2. 0.

Делитесь своим мнением в комментариях под этим материалом и в нашем Telegram-чате.

Теги
  • OnePlus 7 Pro

Лонгриды для вас

Чем OnePlus 7 Pro отличается от OnePlus 7

Несмотря на явную переоцененность обновлений для Android, для многих пользователей регулярный выход новых версий операционной системы является важным критерием при выборе смартфона. По этому параметру сильно выделяются не только смартфоны линейки Google Pixel, но и устройства OnePlus, которая всего пару месяцев назад показала свои новые смартфоны — OnePlus 7 и Oneplus 7 Pro. В Сети в основном освещались особенности именно старшей версии, мы же посмотрим, чем она отличается от обычной, и есть ли смысл переплачивать.

Читать далее

Когда смартфоны OnePlus получат Android 10

У пользователей смартфонов OnePlus никогда не было проблем с обновлениями. Мало того, что компания старается поддерживать фирменные аппараты как можно дольше, так ещё и выпускает апдейты гораздо раньше своих конкурентов. Но, понятное дело, что с течением времени соответствовать статусу производителя самых обновляемых смартфонов становится всё сложнее. Сказывается постоянное расширение ассортимента и ежегодное устаревание сразу двух флагманов, от поддержки которых OnePlus вынуждена отказываться.

Читать далее

Как установить сервисы Google на Huawei и Android 11: итоги недели

На этой неделе Дональд Трамп опять передумал и разрешил Huawei пользоваться сервисами Google. Кроме этого, Google рассказала об Android 11, а создатель Android показал свой новый смартфон. Как думаете, какая из этих новостей самая интересная? Если не знаете, то советуем прочитать их и другие новости этой недели, собранные в нашем итоговом выпуске. Начинаем?

Читать далее

Новый комментарий

Новости партнеров

  • Официально: старая версия Сбербанк Онлайн на iPhone перестанет работать 16 января. Что теперь делать

  • Как сделать звук студийного качества через нейросеть Enhance Speech от Adobe

  • Как пользоваться двумя сим-картами на Айфоне

  • Стоит ли покупать iPhone X в 2023 году? Спойлер: он лучше дешевых Андроид-смартфонов

Обзор новых типов памяти для серверов и систем хранения данных

Классификация типов памяти для вычислений

Память для серверов и систем хранения по функциональному устройству можно разделить на два основных вида: внутреннюю (первичную) и внешнюю (вторичную).

Классификация памяти компьютера

  • К первичной памяти относится память, располагающаяся непосредственно на главной плате или навесных платах (картах) внутри устройства.
  • Ко вторичной памяти относятся различного вида внешние накопители: серверные накопители на жестких дисках HDD (Hard Disk Drive), серверные накопители SSD (Solid State Drive). Они также расположены внутри системного блока, но выполняют роль внешних носителей информации. А также ко вторичной памяти можно отнести различного рода накопители, подключаемые к компьютеру через разъем, и конструктивно с ним раздельные: компакт-диски (магнитные и оптические), которые в последнее время практически вытеснены USB-флешками. SSD-память также называют часто флэш-памятью (flash).

Вторичная память относится скорее не к памяти, а к системам хранения данных (storage) СХД. СХД с памятью соотносятся примерно так же, как книжный шкаф с рабочим столом, на котором мы держим книги (данные) и с ними работаем (не перевелись еще, слава Богу, любители читать бумажные книги), а закончив работу, убираем их обратно в шкаф.

Часто под словом «память» подразумевают только первичную оперативную память, выполненную на полупроводниковых микросхемах. Она подразделяется на два основных вида: нестираемую (non-volatile) и стираемую (volatile).

  • Постоянное запоминающее устройство ПЗУ, нестираемая память или ROM (Read-Only Memory). Она выполняет роль хранилища программ, которые записываются на более-менее длительный период и, в общем, перезаписи не подлежат. Они могут сохранять информацию длительное время, практически на весь срок службы компьютера. Это может быть, например, BIOS (Basic Input/Output System), в которой хранится небольшая программа по запуску основных систем сервера при его включении. Сейчас микросхемы ПЗУ можно «перепрошивать», но подобные операции производятся, нечасто, и выполняются, как правило, квалифицированным персоналом.
  • Оперативное запоминающее устройство ОЗУ, стираемая память, RAM (Random Access Memory). Это быстродействующая память, в которую загружаются рабочие программы из внешних накопителей для исполнения процессором. Серверная ОЗУ работает очень быстро, операции чтения-записи не требуют много энергии, но и информация в ней пропадает после отключения питания, и кроме того, ее приходится постоянно обновлять, примерно 100 раз в секунду.

RAM бывают двух основных видов: статические (SRAM) и динамические (DRAM). В серверах сейчас для оперативной памяти используется DRAM различных типов, а SRAM используется для кэширования данных процессора.

Память класса СХД

Правда в последнее время эта стройная иерархия стала немного нарушаться под воздействием процессов разработки новых типов памяти, что привело к постепенному сближению SSD и RAM. Быстродействие SSD повышается и приближается к DRAM, энергопотребление SSD снижается и также приближается к DRAM. Это привело к созданию нового класса памяти: SCM (Storage Class Memory), что можно перевести как «память класса СХД». Хотя можно и наоборот: «СХД-класс памяти».

SCM (Storage Class Memory), «память класса СХД»

Такая память занимает промежуточное место между RAM и внешними накопителями SSD/HDD.

Первичная память

Первичная (внутренняя) память подразделяется на два вида: статическую SRAM (Static Random Access Memory) и динамическую DRAM (Dynamic Random Access Memory).

Иногда к первичной памяти относят и SSD (Flash), поскольку как отмечалось выше, она стала выполнять обязанности первичной. Однако эти виды памяти имеют комплиментарные.

характеристики. Поэтому DRAM используется для оперативной памяти сервера, а SSD в большинстве случаев используется для кэширования в системах хранения данных.

Каждая из этих технологически близких видов памяти имеет свои недостатки.

Flash-память обычно создается на полевых МОП-транзисторах (металл-окисел-полупроводник) или MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor). Они имеют т. н. плавающий затвор FG (floating gate), в котором на достаточно долгое время сохраняется заряд, количество которого определяет бит информации. Этот затвор изолируется от истока (source) и стока (drain) транзистора слоями окисла металла.

Структура полевых МОП-транзисторов

Запись и стирание информации в такой структуре требует приложения высокого напряжения к затвору (до 20 В). Процесс изменения заряда в затворе относительно медленный и связан с возникновением ошибок при передаче через диэлектрик (окисел). Именно этим вызвано ограничение на количество циклов перезаписи в SSD, что является их недостатком перед HDD, где количество циклов перезаписи магнитного диполя практически не ограничено. С другой стороны, чтобы прочитать информацию, высокое напряжение не требуется, нужно только проверить состояние проводимости диффузного канала. Такой метод называется неразрушающим считыванием (non-destructive read), поскольку на заряд в затворе он практически не влияет.

По сравнению с SSD все виды битовых операций в DRAM производятся сравнительно быстро, поэтому такая память используется для загрузки рабочих приложений в сервере и во время работы процессор обращается именно к этой памяти. Однако при считывании данные из ячейки памяти DRAM исчезают. Более того, конденсаторы, хранящие заряд «бита» в ячейках DRAM, быстро разряжаются, и поэтому данные в DRAM нужно «обновлять» примерно 100 раз в секунду, посылая в ячейки «освежающие» импульсы.

SRAM – это наиболее быстрая память, имеющая лучшую сохранность данных, по сравнению с DRAM, однако, в каждой ее ячейке используется шесть транзисторов (в DRAM – один транзистор и один конденсатор). То есть SRAM занимает много места на чипе и по возможному объему она значительно проигрывает DRAM.

Поэтому все время разрабатываются и выпускаются различные вариации технологий памяти: память с ловушкой заряда CTM (Charge trap memory), память с изменением фазового состояния PCM (Phase-change memory) или PRAM, сегнетоэлектрическая память FRAM или FeRAM (ferroelectric RAM), резистивная память RRAM (resistive RAM), память с проводниковым проходом CBRAM (conductive bridge RAM), магниторезистивная память MRAM (magnetoresistive RAM), память с переносом момента спина электрона STT RAM (Spin-transfer torque RAM) и другие. Все эти виды активно разрабатываются и исследуются в ведущих мировых университетах и научных центрах, поскольку создание оптимального варианта памяти, сочетающего в себе достоинства как DRAM, так и SSD, для компьютерной отрасли очень актуально.

Позиционирование различных видов внутренней памяти по характеристикам

Разрыв между RAM и SSD

Между стираемой (volatile) памятью RAM и нестираемой (non-volatile) SSD Flash существует ощутимый разрыв по трем параметрам:

  • выносливость, максимально допустимое число циклов стирания-записи в ячейку;
  • время доступа, время считывания данных из ячейки;
  • площадь, занимаемая ячейкой на чипе микросхемы памяти.

RAM опережает флэш-память по всем этим параметрам на несколько порядков: выдерживает практически неограниченное число циклов перезаписи (особенно SRAM), информация из ячеек RAM считывается гораздо быстрее, чем Flash (хотя и она значительно быстрее, чем жесткие диски HDD), а также занимает немного места на чипе микросхемы.

Разрыв параметров между RAM и SSD флэш

Поэтому многие исследователи и разработчики поставили себе задачу создать память, которая бы заполняла этот разрыв и сочетала в себе все достоинства как RAM, так и SSD:

  • выносливость, то есть число циклов перезаписи достаточно высокое, чтобы использовать эту память в серверах дата-центров, где информация может перезаписываться на всем чипе по нескольку десятков и сотен раз за день;
  • небольшое время доступа при неразрушающем считывании;
  • небольшое напряжение импульса записи данных, то есть низкие энергозатраты;
  • сохранность информации при считывании, то есть принадлежность к классу non-volatile;
  • длительный период хранения информации, не короче, чем у SSD;
  • высокая плотность размещения ячеек на чипе.

В 2018 году такую память удалось разработать.

Нестираемая память с низковольтным питанием и управлением с ячейкой на основе сохранения заряда

Судя по названию раздела, это память SSD. Однако по своим характеристикам память, разработанная совместными усилиями ученых из Университета Ланкастера, Великобритания, и Университета Кадиза, Испания, приближается к DRAM, то есть заполняет «разрыв» между стираемой и нестираемой памятью.

Структура такой памяти представляет собой чередование зон изоляции (мышьяка арсенида индия InAs) и зон полупроводимости (антимонида алюминия AlSb), которые формируются на подложке антимонида галлия (GaSb). Эти зоны формируют резонансный барьер с туннельным эффектом.

Ячейка памяти с резонансно туннельным барьером

На рисунке 6 (a) показана обобщенная структура ячейки памяти, напоминающая разновидность полевого КМОП-транзистора с управляющим и плавающими затворами.

На рис. 6 (b) показана структура слоев эпитаксии с указанием толщины и выполняемой функции слоев.

На рис. 6 (с) показано фото электронного микроскопа, на котором видны относительные толщины слоев. Три полоски сверху – это многослойная структура резонансно-туннельного барьера, определяющего уникальные свойства такой ячейки памяти.

Как и в памяти SSD-флэш, заряд сохраняется в плавающем затворе FG. Однако изолирующих слоев из окислов металлов, как в МОП-транзисторе, здесь нет. Вместо этого используется т. н. 6.1-ангстремовое семейство (6.1 Å family): InAs, GaSb и AlSb, покрывающее большой диапазон энергетических уровней разрыва и других свойств полупроводников. Поэтому полупроводниковая структура больше напоминает транзистор с мобильными электронами на высоких энергетических уровнях HEMT (high-electron mobility transistor), чем классический МОП-транзистор (MOSFET).

Канал проводимости формируется из арсенида индия, который не содержит легирующих добавок ни для «дырок», ни для дополнительных электронов на высоких орбитах. Однак, канал проводимости антимонида галлия GaSb легирован примесями n-типа для небольшого избытка свободных электронов. Проводимость канала InAs определяется электронами в нем, которые имеют более высокую мобильность и плотность (вследствие легирования), чем «дырки» в подложке GaSb.

Внутренний слой плавающего затвора FG InAs изолирован от канала InAs барьером антимонида алюминия AlSb толщиной 15 нм. Квантовые ямы (quantum wells, QW) с тремя барьерами AlSb дают эффект резонансного туннелирования между плавающим затвором FG и управляющим затвором SG, выполненным из легированного электронами InAs. Поэтому электроны в плавающем затворе FG изолированы несколькими слоями AlSb и могут хранить заряд при комнатной температуре в течение 1014 лет.

Это дает возможность преодолеть наибольший недостаток SSD перед DRAM – ограниченное число циклов перезаписи ячеек, поскольку заряд в плавающем затворе изолирован очень надежно, и для его изменения не требуется большое напряжение, поскольку изменение заряда происходит за счет резонансного туннелирования.

Кроме свойства сохранения заряда (non-volatility) такая ячейка не требует много энергии для переключения состояния между 0 и 1. По результатам измерений эта энергия примерно в 60 раз меньше, чем для обычных модулей флэш-памяти. И по данному показателю эта память также приближается к DRAM. При размерах плавающего затвора 10×10 мкм для переключения состояния требуется энергии примерно 2×10−12 Дж. Если размеры ячейки уменьшить до размеров 20 нм, что меньше, чем DRAM в 100 раз, потребуется энергия всего лишь 10−17 Дж. Это меньше, чем даже у SRAM.

Однако очевидным недостатком такого типа памяти является сложность высокопрецизионного производства, что скажется на стоимости.

Технология 3D XPoint для SCM

Несколько лет назад компании Intel и Micron решили объединить усилия, чтобы разработать память, которая заполняет разрыв между оперативной и постоянной памятью и обеспечивает сближение их характеристик, и дали возможность использовать последнюю в качестве оперативной. Такая память получила название Storage Class Memory (SCM).

Обычная флэш-память (USB) производится на базе технологии NAND, использующейся в обычных флешках, картах памяти для фотоаппаратов, навигаторах и пр. Затем по такой технологии стали производить твердотельные накопители SSD для компьютеров, объединяя несколько флэш-модулей в массив RAID. Вначале накопители SSD производились по технологии ячеек SLC (Single Level Cell), хранящих 1 бит. Затем появились MLC-накопители (Multiple Level Cell) с хранением 2 битов в ячейке, TLC с тремя битами и, наконец, QLC с четырьмя битами в ячейке памяти.

В 2015 году корпорации Intel и Micron предложили альтернативу NAND – технологию 3D XPoint («Три ди кросс пойнт»). Производство планировалось на совместном предприятии IM Flash Technologies. Накопители Intel производятся по этой технологией под маркой Optane, а накопители Micron – под маркой QuantX («Квант икс»).

Принцип работы 3D XPoint никогда не раскрывался подробно, согласно соглашению между Intel и Micron. Компании ограничивались заявлениями, что уникальные свойства 3D XPoint обусловлены «множеством свойств материалов» (букв. bulk material properties). Из картинок, гуляющих по интернету, видно только, что это многослойная структура.

Одна из картинок, иллюстрирующих устройство 3D XPoint, но не дающая достаточного представления о принципе ее работы

Однако в июле 2018 года Intel и Micron сообщили о прекращении совместной работы над 3D XPoint. В октябре 2018 года в ходе судебного разбирательства о разделе интеллектуальной и недвижимой собственности Intel предоставила Micron право выкупа СП IM Flash, что она и сделала в начале 2019 года. В начале 2020 года партнеры подписали соглашение о том, что Micron продолжит выпускать память 3D XPoint и поставлять ее Intel.

Однако в 2020 году судебное разбирательство продолжилось и компания Micron была обвинена в незаконном прекращении выплаты лицензионных отчислений за патенты, благодаря которым появилась память 3D XPoint. В октябре 2020 года суд также объявил Intel, что она не имеет прав интеллектуальной собственности на продукт 3D XPoint. Выяснилось, что долго скрываемый принцип работы ячейки 3D XPoint заключается в эффекте обратимого изменения фазового состояния вещества. То есть это память типа PRAM (Phase-change Random Access Memory), разработанная другой компанией. С точки зрения американского суда получается, что Intel и Micron пытались мошеннически завладеть правами на данную разработку.

Суд выяснил, что принцип памяти PRAM, который по его мнению, лег в основу 3D XPoint, был опубликован около 60 лет назад американским ученым Стэнфордом Овшинским (Stanford Ovshinsky), который зарегистрировал патент на ячейку памяти под названием Ovonic от имени компании Ovonyx, наследником которой стала компания Energy Conversion Devices (ECD). Лицензия на память Ovonic приобреталась и другими компаниями, в т. ч. Intel и Micron.

Затем, вследствие ряда причин, компания ECD обанкротилась, и для ее ликвидации в 2012 году была создана трастовая компания ECDL Trust. Однако в том же 2012 году ECD продала акции Ovonyx компании Micron, которая в 2015 году стала ее владельцем. С 2012 года и до анонса памяти 3D XPoint, компаниями Micron и Intel был совершен ряд манипуляций, направленных на то, чтобы прекратить выплачивать компании ECD лицензионные отчисления и стать собственниками технологии под названием 3D XPoint.

Конечно, это решение суда не остановит производство, но и вряд ли приведет к снижению цен на накопители 3D XPoint, которые стоят относительно дорого. Чем закончится эта мутная история, пока не ясно.

  • CTM (Charge trap memory).
  • PCM (Phase-change memory PRAM).
  • FRAM, (ferroelectric RAM, FeRAM).
  • RRAM (resistive RAM).
  • CBRAM (conductive bridge RAM).
  • MRAM (magnetoresistive RAM).
  • STT RAM (Spin-transfer torque RAM).

Оснастите свой ПК сверхбыстрой памятью

Поиск лучшей оперативной памяти для вашей установки имеет важное значение, хотите ли вы обновить свой текущий ПК или начинаете сборку с нуля.

К счастью, ОЗУ, или оперативная память, если назвать ее полностью, является одним из самых простых в установке компонентов, и он может существенно повлиять на производительность вашей машины.

  • Как увеличить объем оперативной памяти: увеличьте объем памяти на ноутбуке или настольном компьютере

Однако, как и в случае с любой частью ПК, в которую вы вкладываете средства, вам нужно выбрать правильную оперативную память, соответствующую вашим потребностям, системе и бюджету. Вот где это руководство может помочь.

Мы протестировали некоторые из лучших вариантов оперативной памяти на рынке, чтобы упростить сравнение и принятие решений.

Как вы, вероятно, уже знаете, оперативная память бывает самых разных типов, с различной скоростью и доступной емкостью. Вот почему на протяжении многих лет мы использовали все виды оперативной памяти в различных сборках ПК, включая бюджетные компактные машины, сборки среднего и экстремального игрового ПК.

Ниже приведен наш обзор лучших ОЗУ, которые мы пробовали, и тех продуктов, которые мы бы рекомендовали, ниже.


Какая оперативная память самая лучшая?

  1. Corsair Dominator Platinum RGB DDR4 3600 МГц
  2. Kingston Fury Beast 32 ГБ
  3. HyperX Fury
  4. G.Skill Trident Z RGB 
  5. Crucial Ballistix 16 ГБ

  6. 2

  7. Наш лучший выбор: лучшая оперативная память

    Pocket-lint

    Corsair Dominator Platinum RGB 32 ГБ

    Лучший результат

    Отлично подходит для экстремальных энтузиастов, которые хотят максимальной скорости.

    216,98 фунтов стерлингов в Amazon (GB) 224,99 долларов США в Amazon (США) 282,99 канадских долларов в Amazon (CA)

    SQUIRREL_3491240

    Для

    • Великолепно выглядящая оперативная память с тонкой, но настраиваемой RGB-подсветкой
    • Быстрая и надежная конструкция

    В отличие от

    • Недешевый вариант

    Corsair Dominator Platinum — супербыстрая и великолепная оперативная память.

    Это не только красивая оперативная память, но и высококачественная память, которая вас не подведет.

    Оперативная память Dominator Platinum RGB доступна с различными скоростями и размерами. Мы использовали частоту 3600 МГц в одной из наших недавних сборок ПК, и это, в сочетании с четырьмя планками общим объемом 32 ГБ, помогло нам найти хороший баланс между скоростью и размером, чтобы выполнять работу с играми, редактированием видео и многим другим.

    Эта оперативная память также имеет тонкую и настраиваемую RGB-подсветку, которой можно управлять с помощью программного обеспечения Corsair iCUE. Из того же программного обеспечения вы также можете отслеживать временные параметры, чтобы убедиться, что все в порядке. В общем, это отличное дополнение к вашей настройке.

    Pocket-lint

    Corsair Vengeance RGB PRO 32 ГБ

    Лучший вариант среднего класса

    Отличный набор оперативной памяти, который прослужит вам долгие годы, если вы будете наслаждаться ярким дизайном.

    109,99 фунтов стерлингов в Amazon (Великобритания) 114,99 долларов США в Amazon (США) 148,99 канадских долларов в Amazon (Калифорния) 179 австралийских долларов в Amazon (Австралия)

    SQUIRREL_2744264

    Для

    • Проверенный годами
    • Надежное качество сборки

    В отличие от

    • Дизайн RGB не для всех

    Когда дело доходит до оперативной памяти, мы считаем, что для большинства людей правильным выбором будет сборка ПК среднего класса — 32 ГБ памяти Corsair с подсветкой RGB, которая подчеркнет эстетику вашей сборки.

    Это DDR4, а это означает, что вы получите от него действительно стабильную скорость, и хотя 32 ГБ — довольно значительный объем памяти для большинства людей, мы считаем, что это имеет смысл как перспективное решение, которое сделает ваш компьютер красивым и быстро на долгие годы.

    Как и остальная часть оперативной памяти Corsair, она имеет прочную конструкцию, но при этом имеет красивый внешний вид, улучшающий сборку вашего ПК.

    Вы можете купить эту оперативную память разного размера и с разной скоростью, мы рекомендуем приобрести более 3000 МГц, если вы можете себе это позволить.

    G.Skill

    G.Skill Trident Z RGB

    Великолепная альтернатива

    Великолепный вариант с великолепным цветовым решением, отличным качеством сборки и производительностью.

    78,97 фунтов стерлингов в Amazon (GB) 68,99 долларов США в Amazon (США) 111,98 канадских долларов в Amazon (CA)

    SQUIRREL_3656578

    Для

    • Мгновенно узнаваемый стиль
    • Надежное качество сборки
    • Превосходная производительность

    По сравнению с

    • Для некоторых стили RGB могут быть слишком большими действительно хорошая световая полоса RGB для вечеринки.

      Trident Z предлагает первоклассную производительность для вашей установки и заслуживает внимания.

      Здесь вы получаете действительно солидную скорость 3200 МГц, а цена за 16 ГБ памяти очень солидная, особенно с учетом того, что она поставляется с гарантиями качества.

      Pocket-lint

      HyperX Fury HX426C16FB3/8

      Лучший бюджетный вариант

      Отличный выбор для тех, кто не хочет тратить деньги на высшем уровне.

      БЕЛКА_2682903

      Для

      • Заниженный дизайн
      • Доступные скорости

      В отличие от

      • Не такая красивая, как другие RAM в этом списке

      ПК, которому не нужно запускать игры, вам, скорее всего, хватит всего 8 ГБ ОЗУ, и это обеспечит снижение затрат.

      Эта флешка от HyperX по-прежнему DDR4, как вы и надеялись, и хотя она медленнее, чем варианты Corsair, это все же отличная покупка по действительно доступной цене.

      Возможно, на это не так уж и много смотреть, но эта оперативная память HyperX Fury по-прежнему выполняет свою работу. Это доступный и аккуратный вариант для бюджетной сборки.

      Crucial

      Crucial Ballistix 16GB

      Надежный выбор среднего уровня

      Еще один хороший вариант среднего уровня с отличными характеристиками от надежного и надежного производителя.

      148,98 фунтов стерлингов в Amazon (Великобритания) 119,99 долларов США в Amazon (США) 164,14 канадских долларов в Amazon (Калифорния) 213,55 австралийских долларов в Amazon (Австралия)

      SQUIRREL_3358607

      Для

      • Отличное предложение для геймеров
      • Нет лишней RGB

      В отличие от

      • Выглядит не так красиво, как остальные очень интересно смотреть, но они умеют работать.

        Это еще один набор на 16 ГБ, так что он снова идеально подходит для тех, кто ищет сборку или апгрейд среднего уровня, а также не сломит банк.

        Конечно, у него нет причудливой RGB-подсветки, как у многих других в этом списке, но это не значит, что вы должны его игнорировать.

        Ballistix — отличный выбор для любой сборки. Обеспечивает отличную производительность и отличную отдачу от затраченных средств.

        Pocket-lint

        Kingston FURY Beast White RGB 32GB 3200MT/s

        Best for RGB

        Это прочная оперативная память, приятная на вид, но отлично работающая в системе. Мы также нашли его надежным и шустрым. Плюс комплекты из белого компа отлично собираются.

        152,9 фунтов стерлингов в Amazon (GB) 92,99 долларов США в Amazon (США) 172,53 канадских долларов в Amazon (CA)

        SQUIRREL_12860939

        Для

        • Проверенный и проверенный годами
        • Надежное качество сборки

        В отличие от

        • Дизайн RGB может быть не для всех как этот, который обладает эффектом и имеет приятный всплеск RGB-подсветки, чтобы подчеркнуть эстетику вашей сборки.

          Это DDR4, а это означает, что вы получите от него действительно стабильную скорость, и хотя 32 ГБ — это довольно значительный объем памяти для большинства людей, мы считаем, что это имеет смысл как перспективное решение, которое сохранит ваш компьютер красивым и быстро на долгие годы

          Оперативная память Fury Beast от Kingston не только красива, но и имеет разумную цену для производительности и рассчитана на длительный срок службы.

          Как правильно выбрать оперативную память

          При выборе оперативной памяти для вашей системы необходимо учитывать несколько моментов. Если вы собираете ПК с нуля, то то, что вы выберете, будет отличаться от того, когда вы просто хотите обновить его.

          Что нужно знать

          Если вы собираете ПК с нуля, то первое, что нужно сделать, это проверить, поддерживает ли выбранная вами материнская плата. Большинство современных материнских плат имеют двухканальный формат памяти.

          Dual-channel просто означает, что две планки оперативной памяти работают парами на материнской плате. Вам понадобится как минимум две планки оперативной памяти, но вы можете заполнить все четыре слота для большего объема памяти, если вам это нужно.

          Сколько тебе нужно?

          Есть несколько особенностей ОЗУ, влияющих на производительность: размер, скорость и частота. Объем оперативной памяти, который вам нужен, будет зависеть от того, для чего вы планируете его использовать.

          Если вы берете на себя задачи, требовательные к ОЗУ, такие как редактирование видео, 3D-моделирование, рендеринг и т. д., то вам, вероятно, понадобится большой объем ОЗУ, и вы получите больше преимуществ от 32 или 64 ГБ.

          Между тем, для игр и быстрых задач вам понадобится более высокая частота.

          Какая частота ОЗУ?

          Частота оперативной памяти

          измеряется в МГц. Как правило, чем быстрее, тем лучше. Говорят, что будущая оперативная память DDR5 способна работать на частоте до 8400 МГц, что безумно быстро. В настоящее время большая часть оперативной памяти DDR4 работает на частоте около 3000 МГц или около того. Как и в случае с размером, вам нужно проверить, на что способна ваша материнская плата.

          Некоторые игровые материнские платы могут поддерживать максимальную частоту 5000 МГц, но не больше и не меньше 2133 МГц. Вы должны убедиться, что покупаете оперативную память, которая соответствует правильной категории.

          Все это может показаться сложным, но вам просто нужно убедиться, что у вас правильная архитектура (канал, МГц, тип и размер), и все будет работать.

          Как насчет таймингов ОЗУ?

          Еще одна вещь, на которую следует обратить внимание, это тайминги памяти. Они появляются в числах как 15-16-16-35. Чем меньше первые три числа, тем лучше. Если вы выполняете обновление, также важно убедиться, что все новые модули оперативной памяти, которые вы покупаете, совпадают не только по размеру и МГц, но и по логике этой временной частоты. Вы можете узнать больше о таймингах RAM в логическом порядке здесь.

          Мы протестировали ряд других предложений оперативной памяти, на которые стоит обратить внимание — вот все подробности.

          Как выбрать лучшую оперативную память для вашей системы

          При выборе оперативной памяти для вашей системы необходимо учитывать несколько моментов. Если вы собираете ПК с нуля, то то, что вы выберете, будет отличаться от того, когда вы просто хотите обновить его.

          Что нужно знать

          Если вы собираете ПК с нуля, то первое, что нужно сделать, это проверить, поддерживает ли выбранная вами материнская плата. Большинство современных материнских плат имеют двухканальный формат памяти.

          Dual-channel просто означает, что две планки оперативной памяти работают парами на материнской плате. Вам понадобится как минимум две планки оперативной памяти, но вы можете заполнить все четыре слота для большего объема памяти, если вам это нужно.

          Сколько тебе нужно?

          Есть несколько особенностей ОЗУ, влияющих на производительность: размер, скорость и частота. Объем оперативной памяти, который вам нужен, будет зависеть от того, для чего вы планируете его использовать.

          Если вы берете на себя задачи, требовательные к ОЗУ, такие как редактирование видео, 3D-моделирование, рендеринг и т. д., то вам, вероятно, понадобится большой объем ОЗУ, и вы получите больше преимуществ от 32 или 64 ГБ.

          Между тем, для игр и быстрых задач вам понадобится более высокая частота.

          Какая частота ОЗУ?

          Частота оперативной памяти

          измеряется в МГц. Как правило, чем быстрее, тем лучше. Говорят, что будущая оперативная память DDR5 способна работать на частоте до 8400 МГц, что безумно быстро. В настоящее время большая часть оперативной памяти DDR4 работает на частоте около 3000 МГц или около того. Как и в случае с размером, вам нужно проверить, на что способна ваша материнская плата.

          Некоторые игровые материнские платы могут поддерживать максимальную частоту 5000 МГц, но не больше и не меньше 2133 МГц. Вы должны убедиться, что покупаете оперативную память, которая соответствует правильной категории.

          Все это может показаться сложным, но вам просто нужно убедиться, что у вас правильная архитектура (канал, МГц, тип и размер), и все будет работать.

          Как насчет таймингов ОЗУ?

          Еще одна вещь, на которую следует обратить внимание, это тайминги памяти. Они появляются в числах как 15-16-16-35. Чем меньше первые три числа, тем лучше. Если вы выполняете обновление, также важно убедиться, что все новые модули оперативной памяти, которые вы покупаете, совпадают не только по размеру и МГц, но и по логике этой временной частоты. Вы можете узнать больше о таймингах RAM в логическом порядке здесь.

          HyperX выпускает оперативную память DDR4 с частотой 5333 МГц за 1245 долларов США

          (Источник: HyperX)

          Да, это перебор. Производитель компьютерных игр HyperX продает(откроется в новом окне) оперативную память DDR4 с невероятной частотой 5333 МГц.

          Разогнанная память Predator также включает модули RAM с частотами 5000 МГц и 5133 МГц. Новые компоненты обещают поднять производительность ПК на еще более высокий уровень, при условии, что перегруженная оперативная память не вызовет проблем с нестабильностью. (Например, более быстрая оперативная память может увеличить(открывается в новом окне) частоту кадров в игре.)

          Естественно, новинка от HyperX тоже дорогая. Оперативная память с частотой 5333 МГц стоит 1245 долларов, что более чем в 10 раз больше, чем обычный комплект оперативной памяти с частотой 3200 МГц.

          Сейчас HyperX продает(открывается в новом окне) разогнанную память на своем веб-сайте. Три новых продукта будут предлагаться в наборах из двух 8-гигабайтных флешек, что в сумме дает 16 ГБ памяти. Оперативная память с частотой 5333 МГц имеет задержку CL20.


          1 кредит

          Чтобы запустить разогнанную оперативную память, вам необходимо включить профиль XMP на материнской плате вашего настольного компьютера, который может использовать преимущества более высоких частот. HyperX заявляет, что новые продукты должны работать как с материнскими платами AMD, так и с Intel, предназначенными для работы с оперативной памятью DDR4 4000 МГц и выше, хотя это не может гарантировать совместимость со всеми системами.

          «Эти модули следует устанавливать и использовать на свой страх и риск», — говорится в объявлении HyperX. «Эти комплекты тщательно протестированы и проверены на заводе для работы на указанной скорости для профиля XMP 1. В качестве резервной копии включен второй профиль XMP с более низкой тактовой частотой, поэтому вы все равно можете добиться отличной производительности, если ваша система не справляется. самый высокоскоростной профиль XMP».

          С другой стороны, продукты не имеют RGB-подсветки. Они также работают при более высоком напряжении: 1,55 В или 1,6 В. Из-за дополнительного тепла, выделяемого оперативной памятью, HyperX рекомендует устанавливать компоненты только на ПК с «системным охлаждением премиум-класса».

          Рекомендовано нашими редакторами

          Как правильно выбрать оперативную память для настольного или портативного ПК в 2021 году

          Acer продает SSD-накопители и оперативную память

          TeamGroup Советы Оперативная память DDR5 с возможностью разгона

          На горизонте появится продукт с оперативной памятью DDR5. Память следующего поколения будет поддерживать частоты 4800 МГц и выше без разгона. Но чтобы использовать оперативную память DDR5, вам, скорее всего, потребуется обновить ПК до новой материнской платы и процессора.

          HyperX принадлежит поставщику памяти Kingston. В феврале компания объявила о продаже подразделения HyperX компании HP.

Читайте также: