Лучшие тайминги для ddr3 1333: Тестирование модулей оперативной памяти DDR3-1333 и DDR3-1600 объемом 8 Гбайт (страница 3)

Тайминги для DDR3 (обычной и ECC) как подобрать + методика тестирования стабильности памяти

Основными параметрами оперативной памяти, как известно, являются объем, а также тактовая частота. Но помимо этого довольно важным, хотя и не всегда учитываемым параметром являются характеристики латентности памяти или так называемые тайминги. Тайминги оперативной памяти определяются количеством времени, которое требуется микросхемам ОЗУ, чтобы выполнить определенные этапы операций чтения и записи в ячейку памяти и измеряются в тактах системной шины. Таким образом, чем меньше будут значения таймингов модуля памяти, тем меньше модуль будет тратить времени на рутинные операции, тем большее быстродействие он будет иметь и, следовательно, тем лучше будут его рабочие параметры. Тайминги во многом влияют на производительность работы модуля ОЗУ, хотя и не так сильно, как тактовая частота.

Содержание

  • 1 Таблицы таймингов DDR3
  • 2 Некоторые особенности работы памяти на 2011 сокете
  • 3 Как узнать скорость записи\чтения и латентность памяти
  • 4 Как проверить стабильность памяти
  • 5 Где можно недорого докупить памяти

Таблицы таймингов DDR3

Следующие таблички помогут подобрать наиболее удачные и работоспособные тайминги для памяти DDR3 в китайских материнских платах сокета 2011 и не только.

Важно помнить, что стабильность системы, как и возможность взять ту или иную частоту зависит не только от самой памяти, но и от используемого процессора (контроллер памяти находится именно в нём) и материнской платы.

Не лишним также будет узнать, какие чипы установлены в модуле памяти. Для чипов производства Samsung можно воспользоваться этой инструкцией, для чипов других производителей — не сложно нагуглить.

Классическая таблица таймингов с форума Overclockers

Еще один вариант таблицы. Обратите внимание на последние 4 столбца: параметр RFC выставляется в зависимости от ёмкости чипов. Определить его просто: поделите общий объём модуля на количество распаянных на нём чипов.

Некоторые особенности работы памяти на 2011 сокете

  • Частота контроллера памяти привязана к частоте ядер, поэтому скорость чтения\записи у младших моделей будет несколько ниже, чем у старших.
  • Небольшая разница между чтением и записью на процессорах второго поколения — это нормально.
  • Как ни странно, некоторые процессоры второго поколения зачастую берут более низкую частоту памяти, чем аналогичные процессоры первого поколения. Например, E5 2620 v2 и E5 2630 v2 обычно не способны работать с памятью выше 1600 Мгц. E5 2650 v2 как правило не берет больше 1866 Мгц.

Для большинства конфигураций хорошим результатом будет работа памяти на частоте 1866 Мгц с задержками менее 70 ns. В четырехканале при этом достигается скорость ~50 Гб\с.

Взять частоту в 2133 Мгц — более сложная задача, доступная уже не каждому процессору и набору памяти.

Для систем, ограниченных порогом в 1600 Мгц, хорошим решением будет найти максимально низкие стабильные тайминги. Ну а оставаться на частоте в 1333 Мгц даже при низких таймингах смысла довольно мало, скорость памяти по современным меркам будет весьма посредственной.

Как узнать скорость записи\чтения и латентность памяти

Проще всего — запустив тест кэша и памяти в Aida64. После прохождения программа покажет все необходимые данные, а также текущую скорость памяти и основные тайминги. Сохранив скриншот этого окна, можно будет легко сравнить результаты после изменения конфигурации ram.

Результат теста кэша и памяти

Aida 64 — платный софт с ограниченным бесплатным функционалом. Но если покупать полноценную версию по каким-то причинам не хочется, ключ для активации легко находится в том же гугле.

Как проверить стабильность памяти

Если система запустилась на желаемой частоте с выбранными таймингами, это еще не значит, что она стабильна. Чтобы не словить синий экран в процессе игры или работы — проверяйте стабильность памяти. Стандартные тесты, вроде Aida64 могут и не выявить ошибки в работе ram. Лучше использовать для этого специальный софт, например TestMem5 (программа бесплатная).

Помимо стандартных настроек, существуют и пользовательские конфиги для TestMem. Одним из наиболее популярных считается конфиг от 1usmus. Для его использования — замените содержимое файла MT.cfg в папке bin программы. Стандартные настройки можно забэкапить в другой файл.

1usmus_v2

Memory Test config file v0.02
Copyrights to the program belong to me.
Serj
testmem.tz.ru
[email protected]

[Main Section]
Config Name=Default
Config Author=1usmus_v2
Cores=0
Tests=15
Time (%)=100
Cycles=5
Language=0
Test Sequence=6,12,2,10,5,1,4,3,0,13,9,7,8,1,11,14

[Global Memory Setup]
Channels=2
Interleave Type=1
Single DIMM width, bits=64
Operation Block, byts=64
Testing Window Size (Mb)=880
Lock Memory Granularity (Mb)=16
Reserved Memory for Windows (Mb)=128
Capable=0×1
Debug Level=7

[Window Position]
WindowPosX=1105
WindowPosY=691

[Test0]
Enable=1
Time (%)=100
Function=RefreshStable
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=0
Pattern Param0=0×0
Pattern Param1=0×0
Parameter=0
Test Block Size (Mb)=0

[Test1]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0. dll
Pattern Mode=1
Pattern Param0=0x1E5F
Pattern Param1=0×45357354
Parameter=0
Test Block Size (Mb)=16

[Test2]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0x14AAB7
Pattern Param1=0x6E72A941
Parameter=254
Test Block Size (Mb)=32

[Test3]
Enable=1
Time (%)=100
Function=MirrorMove
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=0
Pattern Param0=0×0
Pattern Param1=0×0
Parameter=1
Test Block Size (Mb)=0

[Test4]
Enable=1
Time (%)=100
Function=MirrorMove128
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=0
Pattern Param0=0×0
Pattern Param1=0×0
Parameter=510
Test Block Size (Mb)=0

[Test5]
Enable=1
Time (%)=100
Function=MirrorMove
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=0
Pattern Param0=0×0
Pattern Param1=0×0
Parameter=4
Test Block Size (Mb)=0

[Test6]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0. dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0x5D0
Pattern Param1=0x143FBC767
Parameter=125
Test Block Size (Mb)=1

[Test7]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=0
Pattern Param0=0×0
Pattern Param1=0×0
Parameter=0
Test Block Size (Mb)=2

[Test8]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0x153AA
Pattern Param1=0xDC7728C0
Parameter=358
Test Block Size (Mb)=0

[Test9]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=0
Pattern Param0=0×0
Pattern Param1=0×0
Parameter=0
Test Block Size (Mb)=4

[Test10]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0x2305B
Pattern Param1=0x97893FB2
Parameter=477
Test Block Size (Mb)=8

[Test11]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0. dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0x98FB
Pattern Param1=0x552FE552F
Parameter=8568
Test Block Size (Mb)=16

[Test12]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0xC51C
Pattern Param1=0xC50552FE6
Parameter=787
Test Block Size (Mb)=32

[Test13]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0xB79D9
Pattern Param1=0x253B69D94
Parameter=8968
Test Block Size (Mb)=64

[Test14]
Enable=1
Time (%)=100
Function=RefreshStable
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0x2305A
Pattern Param1=0x17893AB21
Parameter=265
Test Block Size (Mb)=64

Успешным считается прохождение теста, при котором нет ни одной ошибки.

Где можно недорого докупить памяти

С массовым переходом на DDR4, память предыдущего поколения хоть и не сильно, но подешевела. Приобрести DDR3 можно на aliexpress, это наиболее выгодный и удобный способ.

Обычные десктопные модули можно купить здесь (Zifei), здесь (Atermiter) и вот тут (Kingston HyperX \ Fury). С недавних пор память выпускает даже Huananzhi.

Модули для ноутбуков продаются здесь и здесь.

Недорогая серверная DDR3 ECC REG есть у следующих продавцов:

  • Первый
  • Второй
  • Третий

Оригинальные серверные модули Samsung 1866 Мгц можно найти у этого продавца.

Выбираем память DDR3 | Мир ПК

До недавнего времени оперативная память стандарта DDR3 была подходящим выбором только для энтузиастов. Причин две: недорогие модули начального уровня обычно уступают в быстродействии аналогичным продуктам на основе DDR2 из-за высоких задержек, либо превосходят их незначительно, а высокоскоростные изделия стоят в несколько раз дороже.

Однако компания Intel четко обозначила свои намерения перейти на память более нового стандарта, выпустив процессор Core i7, поддерживающий только память нового поколения. В настоящее время цены на устройства памяти DDR3 среднего класса уже заметно снизились, а их ассортимент расширился. В данной статье мы рассмотрели модули всех ценовых категорий.

Aeneon X-Tune AXH76UD00-13G-K-2G

Несмотря на принадлежность к оверклокерской серии X-Tune, этот комплект не может похвастаться высокими исходными характеристиками.

Его заводские настройки — 1333 МГц при таймингах 8-8-8-24 и напряжении 1,5 В. Впрочем, как известно, энтузиастов мало интересуют режимы работы по умолчанию. Разгонный потенциал продукта можно охарактеризовать как средний: при напряжении 1,9 В он достиг 1720 МГц при задержках 9-9-9-24.

К сожалению, снижение таймингов пагубно сказывается на способности к разгону: при 7-7-7-18 модули не смогли работать даже при 1600 МГц. Кроме того, цена комплекта довольно высока, стоимость 1 Гбайт памяти превышает 50 долл. Впрочем, возможно, кого-то привлечет его оригинальный внешний вид, который придают ему радиаторы необычной конструкции.

Corsair TWIN3X2G1600C9DHX

Двухканальный комплект TwinX с частотой 1600 МГц и таймингами 9-9-9-24, предлагаемый компанией Corsair хотя и не слишком дорог, но не порадовал нас частотным потенциалом. Модули оборудованы фирменными радиаторами DHX с выступающими вверх ребрами, которые улучшают охлаждение чипов, особенно при активном обдуве.

И это будет нелишним, ведь номинальное напряжение питания составляет 1,8 В, из-за чего комплект вряд ли подойдет для применения в тандеме с новыми процессорами Intel.

Впрочем, для них у производителя есть отдельные продукты. А вот как достоинство модуля следует отметить возможность установить низкие тайминги 6-6-6-16 на номинальной частоте при 1,9 В.

GeIL GX32GB1600C7DC

Этот набор предназначен специально для платформы с процессорами и чипсетами Intel, о чем недвусмысленно гласит наклейка на радиаторах. SPD содержит профиль XMP, позволяющий переключением одного параметра в BIOS активировать агрессивные настройки — 1600 МГц при задержках 7-7-7-24 и напряжении 1,9 В. Если же установить более высокие тайминги — 9-9-9-24, то комплект сможет работать и на частотах около 1810 МГц, что совсем неплохо.

Полагаю, цены на продукцию GeIL вряд ли устраивают экономных любителей разгона, и эта пара модулей здесь не будет исключением. Кроме того, все же не рекомендуется активировать XMP на Core i7, чтобы не рисковать работоспособностью процессора.

GOODRAM GR1333D364L9/1G

Несмотря на то что данный модуль емкостью 1 Гбайт относится к бюджетным, любителям разгона все же стоит обратить на него внимание. Дело в том, что этот продукт польского производителя основан на хорошо зарекомендовавших себя чипах Micron D9GTS, практически гарантирующих отличный потенциал.

Штатная частота составляет 1333 МГц, тайминги — 9-10-10-25. При таймингах 7-7-7-18 1T и напряжении 1,65 В модулю покорилась частота 1438 МГц,, а при 1,9 В — 1700 МГц. Повышение таймингов слабо влияет на частотный потенциал, что, впрочем, не беда: при частотах до 1600 МГц уменьшение задержек сильнее сказывается на общей производительности, чем повышение тактовой частоты.

А поскольку эти модули имеют еще и низкую цену, их можно смело рекомендовать экономным оверклокерам.

G.Skill F3-12800CL9T-6GBNQ

Такой набор ориентирован на платформу Intel Core i7, поскольку представляет собой трехканальный комплект из трех планок по 2 Гбайт. Номинальная характеристика — 1600 МГц с таймингами 9-9-9-24 при напряжении 1,5-1,6 В, что вписывается в диапазон, рекомендуемый Intel.

Судя по результатам тестирования, модули основаны на хороших чипах, так как позволяют снизить тайминги до 7-7-7-18 без уменьшения частоты, а если повысить напряжение, то можно добиться частоты 1760 МГц.

Определенным недостатком можно считать узкую рыночную нишу: для двухканального режима на платформах, отличных от Intel Core i7, придется или положить один из модулей на полку, или поискать такой же.

Однако отличный разгонный потенциал и невысокая цена должны привлечь энтузиастов.

Hynix HYMT112U64ZNF8-H9

Набор оперативной памяти, предложенный одним из крупнейших производителей микросхем ( DRAM), выделяется разве что демократичной ценой . Его заводские характеристики вряд ли заинтересуют владельцев топовых ПК: 1333 МГц при таймингах 9-9-9-24 и напряжении питания 1,5 В недостаточны для проявления ощутимого преимущества над DDR2. Повышение напряжения также вряд ли спасет этот продукт: максимально стабильная частота при 1,7 В составила всего 1584 МГц.

Таким образом, актуальность этих модулей памяти оказалась под вопросом — для высокопроизводительных систем Intel они откровенно медленны, а для продуктов среднего класса дороги. Впрочем, возможно, с распространением платформы AMD Socket AM3 цена на них снизится и они подойдут владельцам ПК среднего класса.

Kingston KHX14400D3K2/2G

Мировой лидер по производству оперативной памяти предоставил нам на тестирование один из наиболее быстрых комплектов в своей продуктовой линейке. Этот двухканальный набор, основанный на чипах Micron D9GTS, обладает внушительными заводскими настройками — 1800 МГц при таймингах 8-8-8-24. Конечно, за стабильную работу в таком режиме пришлось заплатить: напряжение питания составляет 1,9 В. Использование многослойной печатной платы с оптимизированной разводкой и алюминиевых радиаторов позволило добиться впечатляющего разгонного потенциала — при задержках 9-9-9-24 этот комплект оставался стабилен до 1876 МГц. Естественно, для реализации всех его возможностей понадобится процессор с соответствующим разгоном по шине FSB.

Mushkin 996624 Ascent XP3-12800

Хотя компания Mushkin и не слишком хорошо известна на просторах СНГ, она пользуется заслуженным уважением западных любителей разгона. Новая серия Ascent («Восхождение»), ориентированная в первую очередь на сторонников комплектующих высокого класса, имеет довольно высокую цену. Предоставленные на тестирование модули работают в режиме 1600 МГц при 7-7-6-18 и 1,8 В. Повышение задержек до 9-9-9-24 и напряжения на 0,1 В позволило достичь отличного результата — 1826 МГц. Микросхемы памяти производства Micron накрыты оригинальными радиаторами с небольшими ребрами, отлично справляющимися с охлаждением.

В целом, можно отметить, что этот комплект — один из наиболее удачных в нашем тестировании, но, к сожалению, он редко встречается в продаже.

OCZ Platinum Edition PC3 16000

Данные модули входят в число самых производительных в ассортименте OCZ и обладают впечатляющим потенциалом. Что интересно, с ними не могут сравниться даже более эффектные и дорогие продукты серий Reaper и FlexXLC. Этот комплект штатно работает на частоте 2000 МГц с задержками 9-9-9-30 при напряжении 1,8 В. Причем еще остается небольшой запас для разгона: при 1,9 В и таймингах 9-9-9-24 сохранялась стабильность вплоть до 2040 МГц, что можно назвать великолепным результатом.

Конечно, за такую производительность придется заплатить кругленькую сумму, однако в данном случае это будет именно та память, которая стоит того.

Qimonda PC3-10600U-9-XX-B0

Несмотря на то что модули Aeneon X-Tune производятся Qimonda для требовательных пользователей, а продаваемые под собственным брендом продукты ориентированы на начальный сегмент рынка, здесь наблюдается некоторое противоречие. Данные планки памяти работают на ничем не выделяющихся настройках 1333 МГц при таймингах 9-9-9-24 и напряжении 1,5 В. В то же время частотный потенциал модуля довольно неплох для продукта подобного класса: если поднять напряжение до 1,7 В, то он стабильно функционирует на 1700 МГц. Это наводит на мысль о том, что были использованы те же микросхемы, как и в более дорогих продуктах под маркой Aeneon.

В общем, такая оперативная память будет удачным вариантом для ПК среднего класса, вдобавок синий текстолит печатной платы добавляет модулям определенный шарм. 

Samsung 2Rx8 PC3-10600U-09-00-B0

Бюджетные модули Samsung емкостью по 2 Гбайт были одними из самых недорогих в нашем тестировании. Поскольку продукты построены на 16 микросхемах, они не отличаются высокой производительностью : штатные характеристики составляют 1333 МГц при 9-9-9-24 и 1,5 В. Не слишком радует и разгонный потенциал — максимально достижимая при 1,7 В частота составила только 1570 МГц. Впрочем, частично столь невысокий показатель нивелируется интересными результатами проверки минимальной латентности: на 1333 МГц модули стабильно работают при 6-6-6-18 1Т. Это делает их подходящим вариантом для ПК с AMD Phenom II среднего класса, для которых латентность более важна, чем частоты до 1600 МГц. 

Team Xtreem TXD31024M1866HC8

Компания Team Group начала изготовлять высокопроизводительные модули оперативной памяти не очень давно, но уже успела зарекомендовать себя одним из ведущих производителей. Представленные в нашем тестировании продукты построены на чипах Micron, что обусловливает отличные исходные настройки — частоту 1866 МГц при таймингах 8-8-8-24 и напряжении 1,9 В. По результатам тестирования они лишь немного недотянули до 2 ГГц: максимальная стабильная частота составила 1970 МГц. Как и все продукты серии Xtreem, эти модели оснащены оригинальным радиатором, необходимым для охлаждения «пылких» микросхем Micron, по праву считающихся лучшими для установки в самые высокопроизводительные модули памяти.

Выводы

В целом результаты тестирования показывают, что на рынке оперативной памяти появилось большое количество достойных предложений модулей DDR3 как бюджетного, так и высокого класса. В начальном сегменте значительно снизилась цена на комплекты из двух модулей емкостью 1 Гбайт, что позволит в ближайшем будущем рекомендовать их для установки в компьютеры среднего класса. Из таких продуктов отметим Qimonda PC3-10600U-9-XX-B0, продемонстрировавший неплохой разгонный потенциал, сравнимый с имеющимся у изделий более высокого класса. Этот комплект получил титул«Лучшая покупка». Что касается высокопроизводительных комплектов DDR3, то среди них стоит выделить продукты OCZ и Team, позволяющие достичь максимального быстродействия ПК, хотя, конечно,они потребуют значительных затрат. Поскольку победитель должен быть только один, мы присудили награду «Выбор редакции» модулям OCZ Platinum Edition PC3 16000.

Методика тестирования

Тестирование проводилось на системной плате ASUS P6T Deluxe/OC Palm. Для модулей бюджетного класса устанавливалось напряжение питания 1,7 В, поскольку при дальнейшем его повышении значительно увеличивается нагрев чипов. В обычном ПК модули памяти напрямую не охлаждаются принудительной вентиляцией, что повышает риск выхода из строя модулей нижнего ценового диапазона при более высоких напряжениях. Кроме того, используемые в таких продуктах чипы редко адекватно реагируют на питание выше 1,7 В. Для топовых модулей, оснащенных радиаторами, устанавливалось напряжение 1,9 В. Это связано с тем, что большинство подобных продуктов основывается на чипах Micron D9GTS, стабильно и долго работающих при высоких напряжениях с большой частотой.

Конфигурация тестового стенда

Процессор: Intel Core i7 765 Extreme Edition
Кулер: Thermalright Ultra-120 Extreme
Материнская плата: ASUS P6T Deluxe/OC Palm
Видеокарта: Palit Radeon HD 4870 Sonic Dual Edition 512 MB
Жесткий диск: Western Digital VelociRaptor 300 GB SATA II AHCI
Блок питания: Hiper HPU-580M


Производительность: DDR3 против DDR2

Чтобы выяснить, насколько оправданным будет переход с памяти типа DDR2 на DDR3, мы сравнили показатели пропускной способности и латентности в режиме двухканального доступа на чипсетах Intel Р45 и Х48 соответственно. Использовались сертифицированные JEDEC режимы работы модулей памяти (DDR2-800 и 1066, DDR3-1066, 1333 и 1600). Устанавливались типичные для подавляющего большинства комплектов на рынке тайминги: 4-4-4-12 и 5-5-5-15 — для памяти “старого” стандарта; 6-6-6-18, 7-7-7-21, 8-8-8-22 и 9-9-9-24 — для более нового.

Так как различия в производительности модулей разных изготовителей при одинаковых частоте, тайминге и других настройках незначительны, исследование проводилось только на одной паре комплектов памяти: Kingston KHX8500D2T1K2/4G и KHX16000D3T1K3/3GX. Еще раз отметим, что даже тонкая настройка параметров ОЗУ в BIOS дает более значительный разброс производительности, чем смена модулей одного изготовителя на другого, но при условии подбора одинаковых параметров ОЗУ.

Следует оговориться, что модули памяти DDR3 с низкими таймингами стоят как минимум втрое дороже, чем DDR2 той же емкости. Как видно из приведенной диаграммы, разница в пропускной способности DDR2-800 и DDR3-1333 с задержкой CAS=7 составляет 15%, а разрыв в цене будет примерно двукратным. Если говорить о латентности, то разрыв также составляет 15-17%, причем он будет заметен лишь в немногих приложениях вроде архиваторов и, конечно, тестовых пакетов.

Значительное преимущество DDR3 начинает проявляться при частоте 1600 МГц и выше, однако по стоимости подобные модули попросту несравнимы с DDR2. Поэтому на данном этапе мы рекомендуем выбирать память нового поколения только в том случае, если вы либо хотите добиться максимального быстродействия ПК любыми средствами, либо ориентируетесь на платформу Intel Core i7, не поддерживающую DDR2.


Характеристики модулей памяти.

Разгон DDR3: Эволюция производительности памяти: история DDR3

Тенденции

Обзор Apple iPhone 14 и 14 Plus: хорошие телефоны, но стоит ли их покупать?

USB, упрощенный: стандартные канавы на корпусе вместо логотипа SuperSpeed ​​в пользу более простых логотипов

Обзор Creative Stage Air V2

: универсальный и доступный настольный саундбар

Тематические статьи

  • Страница 1 из 10 — Введение Страница 2 из 10 — DDR3 — Резюме Страница 3 из 10 — Методики тестирования и настройка Страница 4 из 10 — Результаты — BAPco SYSmark 2004 Страница 5 из 10 — Результаты — Futuremark PCMark05 Страница 6 из 10 — Результаты — SPECviewperf 9. 0Страница 7 из 10 — Результаты — Futuremark 3DMark06Страница 8 из 10 — Результаты — AquaMark3 Страница 9 из 10 — Разгон DDR3 Страница 10 из 10 — Заключение

    Страница 9 из 10 — Разгон DDR3

  • Далее >

Разгон DDR3

Мы также проведем несколько тестов разгона, чтобы убедиться в преимуществах улучшенной пропускной способности и уменьшенной задержки для производительности DDR3. Разгон полосы пропускания — это довольно простое дело, чтобы увидеть, насколько хорошо растет производительность DDR3 с увеличением скорости. Изначально мы хотели протестировать DDR3-1600 на скорости 9-9-9-25. Однако наши модули HyperX не удалось разогнать до такого высокого уровня. В итоге нам пришлось довольствоваться DDR3-1500 в 9-9-9-25. На этих частотах FSB материнской платы придется разогнать до 1500 МГц (базовая 375 МГц), а процессор работать на частоте 3 ГГц (375×8).

Для тестов задержки мы уменьшили время задержки DDR3-1333 с 9-9-9-25 до 7-7-7-20, аналогично задержке DDR3-1066 SPD. Из наших предыдущих тестов вы можете сказать, что DDR3-1066 на самом деле не дает значительного улучшения по сравнению с DDR2. Как только мы перейдем к процессорам с тактовой частотой 1333 МГц и более высокой скорости DDR3-1333, задержки памяти еще больше увеличатся, что нейтрализует потенциальные улучшения производительности из-за «лежачего полицейского». Итак, как будет работать DDR3-1333, если она сможет работать с теми же задержками, что и DDR3-1066? Ознакомьтесь с результатами ниже и убедитесь в этом сами.

В нормальных условиях наша пара модулей памяти Kingston HyperX DDR3 может работать при напряжении 1,5 В вплоть до DDR3-1066. На DDR3-1333 мы обнаружили, что память нормально работает при напряжении 1,7 В (рекомендуемое Kingston напряжение для этой скорости). Затем на DDR3-1500 нам пришлось снова поднять напряжение до 1,95 В. Нагрев не был большой проблемой, пока вы не преодолели отметку 1,8 В, когда карта памяти становится явно более горячей даже в режиме ожидания. Поскольку нам пришлось разогнать всю систему, чтобы оценить различные тайминги памяти, следующая таблица представляет собой краткую перекрестную ссылку на фактические частоты и тайминги, использованные в приведенных ниже тестах.

Таблица сравнения временных характеристик DDR3
  DDR3-1066 DDR3-1333 DDR3-1500
ФСБ 1066 МГц 1333 МГц 1500 МГц
ЦП 2,93 ГГц (266×11) 2,997 ГГц (333×9) 3,0 ГГц (375×8)
Хронометраж 7-7-7-20 9-9-9-25 (обычный) / 7-7-7-20 (OC) 9-9-9-25
Напряжение 1,55 В 1,70 В 1,95 В

В синтетическом бенчмарке заметно улучшение производительности при разгоне до 1500МГц. DDR3-1333 в CL7 также продемонстрировала заметное улучшение по сравнению с CL9., что также ставит его почти на один уровень с DDR3-1500. Тем не менее, в тестах реальных приложений мы смогли увидеть улучшения по сравнению с DDR3-1066, но даже после разгона значительного увеличения не было.

  • Страница 1 из 10 — Введение Страница 2 из 10 — DDR3 — Резюме Страница 3 из 10 — Методики тестирования и настройка Страница 4 из 10 — Результаты — BAPco SYSmark 2004 Страница 5 из 10 — Результаты — Futuremark PCMark05 Страница 6 из 10 — Результаты — SPECviewperf 9.0Страница 7 из 10 — Результаты — Futuremark 3DMark06Страница 8 из 10 — Результаты — AquaMark3 Страница 9 из 10 — Разгон DDR3 Страница 10 из 10 — Заключение

    Страница 9 из 10 — Разгон DDR3

  • Далее >

Присоединяйтесь к Telegram-каналу HWZ здесь и будьте в курсе всех последних технических новостей!

Наши статьи могут содержать партнерские ссылки.

Читайте также: