Латентность ddr4: что это такое и что она значит?

что это такое и что она значит?

Приветствую вас уважаемые гости! Сегодня поговорим про латентность оперативной памяти – что это такое, какая бывает, как на нее влияют тайминги и что значит это в практическом плане.

Как работает оперативная память

Структурно любая планка оперативки представляет собой своего рода матрицу, разделенную на строчки и столбцы. Каждая ячейка может иметь значение 1 (полный заряд) или 0 (полный разряд). По сути, любая такая планка – своеобразная таблица, состоящая из множества микроскопических конденсаторов.

Каждый элемент в оперативке имеет собственный уникальный адрес, по которому к нему обращаются напрямую процессор или периферические устройства.

Кроме того, конденсаторы сгруппированы по банкам, число которых зависит от плотности ячеек. На открытие строки в одном банке уходит больше времени, чем если обратиться к другому банку, так как используемую строку сначала нужно закрыть. Применяется принцип чередования строк, когда новая строка открывается в новом банке.

Что значит латентность у модуля памяти

Дословное определение этого параметра ОЗУ – «задержка», то есть время, необходимое на чтение, запись и копирование данных.

Несмотря на высокое быстродействие современных компьютеров, все действия не выполняются мгновенно. По-другому такие задержки называют таймингами и для удобства пользователей наносят такие характеристики на шильдике, который должен быть наклеен согласно нормативам(правда это, не всегда встречается). Например, так: 4-4-4-6.Каждая цифра в этой маркировке обозначает время в миллисекундах, которое проходит перед началом выполнения команды.

Здесь идут в ряд четыре типа латентности:

• CL – задержка между подачей команды оперативке и началом записи или чтения;
• Trcd – необходимое для активации строки банка время, то есть время между выбором столбца и строки;
• Trp – время активности строки, то есть ее открытием и подачей команды на перезапись;
• Tras – время, необходимое для полного заряда конденсатора с конкретным адресом.

Чем выше тактовая частота ОЗУ, тем больше и тайминги у нее будут.

Поэтому у современной памяти возможны значения cl 11, cl15, cl 16 и даже cl19. Например, для планки памяти DDR3 с тактовой частотой 1333 МГц оптимальным значением считается CL 9.

У ДДР4 с частотой 2800 МГц средние значения латентности 14-15. К слову, в этом случае речь идет о так называемой CAS-латентности, то есть задержке между отправкой в ОЗУ адреса столбца данных и началом передачи данных – время, необходимое для чтения первого бита.

Детальнее про значения латентности в оперативной памяти и какие из них лучше читайте скоро на блоге.

Настройка латентности

Именно данная цифра (CL) представляет наибольший интерес в практическом плане, поэтому часто в маркировке указывают только ее.

Для того, чтобы узнать более детальную информацию об интервалах задержки оперативки, приходится искать на сайте производителя ее полную спецификацию.Информация о латентности записана в самой планке оперативной памяти в микросхеме SPD, который есть в любом модуле ОЗУ. Как правило, при сборке компьютера не нужно выполнять дополнительных настроек в BIOS: предусмотренная производителем латентность выставляется автоматически.

Все, что нужно сделать пользователю – только правильно смонтировать модули ОЗУ в подходящие слоты.

Впрочем, в случае необходимости тайминги таки можно настроить, для чего БИОС предоставляет ряд возможностей пользователю. Для этого используется функция DRAM Timings, с помощью которой можно задать значения четырех основных значений латентности.

При установке режима AUTO будут использованы настройки по умолчанию – те, на которых планка работает с оптимальной производительностью.

Самостоятельная установка таймингов может понадобиться при разгоне модуля памяти: так как наблюдается обратная взаимосвязь, меньшая латентность приводит к ускорению работы ОЗУ.

Кроме того, это может понадобиться при попытке подружить пару немного отличающихся по параметрам планок оперативной памяти, чтобы заставить их работать в двухканальном режиме. С другой стороны, увеличение задержек немного замедляет работу памяти, но делает ее более стабильной.

Такие «танцы с бубном» рекомендуется проводить пользователям, которые твердо знают, что именно они делают и зачем.

Если же вы пока не на «Ты» с компьютерным железом и еще не скоро будете в нем хорошо разбираться, рекомендую установить латентность по умолчанию. А еще советую ознакомиться с публикациями «На что влияет частота оперативной памяти» и «Что это — поддержка ECC оперативной памяти».

Напоминаю, что делясь статьями этого блога в социальных сетях, вы способствуете его продвижению, что позволит мне публиковать еще больше полезных инструкций. Чтобы не пропустить новость, подпишитесь на рассылку уведомлений по электронной почте. А на сегодня все. Всем до завтра!

С уважением, Андрей Андреев.

Латентность оперативной памяти – насколько важны скорость и задержка

Хотя это, пожалуй, один из самых простых компонентов для установки, понимание того, что заставляет вашу оперативную память работать, – это совсем другая игра.

Эти невинно выглядящие планки памяти гораздо сложнее, чем кажутся. Давайте сегодня попробуем упростить один аспект – задержку памяти.

Мы рассмотрим, что это значит, как это может повлиять на ваши рабочие нагрузки, и поможем вам понять, следует ли вам гнаться за этими молниеносными скоростями или искать комплекты памяти с низкой задержкой.

Скорость оперативной памяти и задержка

В то время как скорость памяти (или скорость передачи данных) определяет, насколько быстро ваш контроллер памяти может обращаться к памяти или записывать данные в память, задержка ОЗУ фокусируется на том, как скоро он может начать процесс.

Скорость памяти измеряется в МТ/с (мегапередачи в секунду), а задержка – в наносекундах.

Прежде чем мы углубимся в расчёт латентности памяти или задержки ОЗУ, вам следует знать несколько терминов:

Латентность памяти

Проще говоря, латентность – это задержка.

Эта задержка может быть измерена в наносекундах (реальное время). Однако, когда дело доходит до цифровой электроники, мы часто используем тактовый цикл, потому что таким образом мы получаем сравнительные числа, которые не зависят от частоты или скорости передачи данных.

Тайминги памяти

В отличие от задержки, тайминги памяти (эта последовательность чисел, которую вы видите на вашем модуле памяти) измеряются в тактовых циклах.

Таким образом, каждое число в таймингах памяти, например 16-19-19-39, указывает количество тактов или циклов, необходимых для выполнения определенной задачи.

Вот краткий обзор того, что означают эти тайминги, от первого до последнего (всё измеряется в тактовых циклах).

Чтобы упростить ситуацию, представьте себе пространство памяти в виде гигантской электронной таблицы со строками и столбцами, где каждая ячейка может содержать двоичные данные (0 или 1).

• Задержка CAS (tCL) – первая синхронизация памяти называется задержкой строба доступа к столбцу (CAS). Хотя термин «строб» сегодня немного устарел, поскольку он пережиток времён асинхронной DRAM, термин CAS всё ещё используется в отрасли. CAS Latency of RAM указывает количество циклов, которое требуется для получения ответа от памяти после того, как контроллер памяти отправляет столбец, к которому он должен получить доступ (подумайте об аналогии с электронной таблицей, о которой я упоминал выше). В отличие от всех других таймингов, приведенных ниже, tCL – это точное число, а не максимум/минимум.
• Задержка адреса строки по адресу столбца (tRCD) – второе число обозначает минимальное количество тактов, которое потребуется, чтобы открыть строку (опять же, в этой гигантской электронной таблице) и получить доступ к требуемому столбцу. Помните, что в отличие от tCL, tRCD – это не точное число, а максимальная задержка.
• Row Precharge Time (tRP) – третье число в этой последовательности из 4 цифр указывает минимальную задержку тактового цикла для доступа к другой строке в том же выбранном столбце.
• Активное время строки (tRAS) – последнее число в этой временной последовательности памяти обозначает минимальное количество тактовых циклов, которое строка должна оставаться открытой для доступа к данным. Обычно это самая большая задержка.

Вычисление задержки RAM или задержки CAS

CAS Latency – это время, которое требуется вашей памяти для ответа на запрос от контроллера памяти. Вот таблица, которая упростит вам этот процесс:

В этом разделе мы узнаем, как рассчитать задержку ОЗУ.

Конечно, вы также можете использовать калькулятор задержки ОЗУ, если хотите пропустить математику.

Однако, поскольку рекламируемая задержка CAS измеряется в тактовых циклах, нам необходимо учитывать скорость памяти, чтобы получить реальную задержку CAS в наносекундах.

Вот формула, которую следует использовать: (CL×2000)/Частота

Допустим, у нас есть комплект памяти DDR4-3200 CL16. Вы получаете задержку в наносекундах (16×2000)/3200 = 10 нс.

Задержка First Word

Теперь, если вам интересно, как насчёт других таймингов памяти? Разве они не влияют на задержку?

Да, это так.

Тем не менее, задержка CAS по-прежнему является наиболее часто используемой метрикой для сравнения латентности памяти, поскольку она более непосредственно влияет (немедленно), насколько быстро ваш модуль ОЗУ отвечает на запрос.

Однако, некоторые инженеры говорят о преимуществах использования задержки First Word, когда речь идёт о памяти. Эта задержка учитывает временные показатели первичной памяти вместе с длиной пакета, чтобы получить задержку, которая, по сути, говорит вам, сколько времени требуется, чтобы прочитать слово из памяти.

ОЗУ с низкой задержкой или высокоскоростная ОЗУ

Что быстрее?

Рассмотрим следующие три комплекта:

• 32 ГБ (2×16) DDR4-3200 CL16
• 32 ГБ (2×16) DDR4-3600 CL18
• 32 ГБ (2×16) DDR4-4000 CL20

Как вы думаете, какой из них «самый быстрый»?

Что ж, тут всё становится немного сложнее (или интереснее).

Для 3D и активных рабочих нагрузок

Мы проверили это на себе. И оказывается, что сама задача настолько сильно ограничена IPC и тактовой частотой одного ядра процессора, что не имеет значения, какую задержку вы выберете, пока скорость передачи данных или тайминги памяти не будут активно препятствовать производительности процессора.

Как видно, с процессорами Ryzen как более низкие тайминги, так и более низкие скорости передачи данных влияют на производительность самого процессора (даже одноядерного).

Однако это открывает интересную дискуссию.

Следует ли вам брать более дешёвый комплект DDR4-2666 CL20 (или комплект DDR4-2666 CL16) вместо немного более дорогого комплекта DDR4-3600 CL20, если вы собираетесь получить аналогичную производительность?

Я бы сказал нет. Вы увидите лучшую производительность с более быстрым набором памяти для любой задачи, которая возлагает активную нагрузку непосредственно на ЦП, распределенную по нескольким ядрам.

Одним из примеров этого является быстрая прокрутка таймлайна Premiere Pro со сжатым исходным материалом.

Для рабочих нагрузок рендеринга CPU/GPU

Краткий ответ – не имеет большого значения. Если это ваши основные рабочие нагрузки, мы рекомендуем отдавать приоритет стабильности системы, а не гнаться за незначительной выгодой.

Часто задаваемые вопросы о латентности памяти

Смешивание оперативной памяти с разной задержкой плохая идея?

Да. Смешанная память, как правило, не идеальна. Это справедливо даже в том случае, если у вас разные тайминги памяти.

Что касается того, какое поведение ожидать, есть две возможности:

• если вам повезёт, модули памяти можно настроить для работы с более медленными таймингами памяти.
• если вам не повезёт, вы можете не увидеть стабильности, пока не вернёте разгон памяти к спецификациям JEDEC, которые обычно намного медленнее.

Как проверить задержку CAS моей оперативной памяти?

Вы можете узнать текущую задержку памяти в кратчайшие сроки! Сначала скачайте CPU-Z с официального сайта CPUID.

После того, как вы установите и запустите CPU-Z, вы должны увидеть экран, подобный этому (конечно, аппаратное обеспечение и спецификации будут вашими) –

Перейдите на вкладку «Память» и вы должны увидеть список, в котором указана частота вашей памяти (не скорость передачи данных), а также тайминги вашей памяти, такие как задержка CAS.

Что такое SPD в CPU-Z

SPD, или Serial Presence Detect, представляет собой стандартизированную EEPROM (электрически стираемую программируемую постоянную память), которая позволяет вашей системе получить доступ к спецификациям памяти.

Таким образом, когда ваша система выполняет «POST» (самопроверка при включении питания), она получает доступ к спецификациям памяти, используя информацию, хранящуюся здесь. На этом этапе она мгновенно узнает, какие спецификации JEDEC установлены для вашей памяти, в дополнение к нескольким другим вещам.

Более того, она также увидит любые профили XMP, которые были загружены в вашу память, как вы можете видеть на снимке экрана выше. Затем ваш BIOS может предложить способ «одним щелчком» установить спецификации для этого профиля XMP, прочитав его.

Имейте в виду, что это не ваши текущие настройки памяти. На этой вкладке отображается только то, что считывается с ваших модулей памяти.

Разница между скоростью ОЗУ и задержкой CAS

Производительность памяти (DRAM) полностью зависит от соотношения между скоростью и задержкой. Хотя они тесно связаны, они не связаны так, как вы могли бы подумать. Вот как скорость и задержка связаны на техническом уровне, и как вы можете использовать эту информацию для оптимизации производительности вашей памяти.

Если вас интересует, сколько памяти должно быть на вашем компьютере, прочитайте здесь.

Восприятие и правда о латентности

Восприятие

• Многие пользователи считают, что задержка CAS является точным индикатором реальных показателей задержки
• Многие пользователи также считают, что, поскольку задержки CAS увеличиваются с увеличением скорости, часть скорости обнуляется

Правда

• Инженеры-полупроводники знают, что задержки CAS являются неточным показателем производительности
• Задержку лучше всего измерять в наносекундах, которые представляют собой комбинацию скорости и задержки CAS
• И увеличение скорости, и уменьшение задержки приводят к повышению производительности системы
   
  • Пример: поскольку задержка в наносекундах для DDR4-2400 CL17 и DDR4-2666 CL19 примерно одинакова, более высокая скорость ОЗУ DDR4-2666 обеспечит лучшую производительность
  • Пример: если рейтинг скорости стандартного модуля и игрового модуля одинаков (например, DDR4-2666), но задержки CAS различаются (например, CL16 и CL19), то меньшая задержка CAS обеспечит лучшую производительность

Разница между восприятием задержки и истинной задержкой сводится к тому, как определяется и измеряется задержка.

Парадокс задержки

Задержку часто неправильно понимают, потому что на листовках продуктов и при сравнении спецификаций она указывается в CAS Latency (CL), что составляет только половину уравнения задержки. Поскольку рейтинги CL показывают только общее количество тактовых циклов, они не имеют ничего общего с продолжительностью каждого тактового цикла, и поэтому их не следует экстраполировать как единственный показатель производительности задержки.

Глядя на задержку модуля в наносекундах, вы можете лучше всего судить, действительно ли один модуль более отзывчив, чем другой. Чтобы вычислить задержку модуля, умножьте продолжительность тактового цикла на общее количество тактовых циклов. Эти номера будут отмечены в официальной технической документации в паспорте модуля. Вот как выглядят эти расчеты.

Что такое задержка и уравнение задержки?

На базовом уровне под задержкой понимается задержка между вводом команды и доступностью данных. Задержка — это промежуток между этими двумя событиями. Когда контроллер памяти сообщает памяти о доступе к определенному местоположению, данные должны пройти несколько тактовых циклов в стробе адреса столбца (CAS), чтобы попасть в нужное место и выполнить команду. Имея это в виду, есть две переменные, которые определяют задержку модуля:

• Общее количество тактовых циклов, через которые должны пройти данные (измеряется в CAS Latency, или CL, в таблицах данных)
• Продолжительность каждого тактового цикла (измеряется в наносекундах)

Объединение этих двух переменных дает нам уравнение задержки: означает, что время тактового цикла уменьшилось), значения задержки CAS также увеличились, однако из-за более быстрого тактового цикла истинная задержка, измеренная в наносекундах, осталась примерно такой же. Оптимизируя баланс между максимальной скоростью, на которую способен ваш процессор, и памятью с минимальной задержкой, доступной в рамках вашего бюджета, вы можете достичь более высокого уровня производительности, используя новую, более быструю и эффективную память.

Что важнее: скорость или задержка?

Основанный на глубоком инженерном анализе и всесторонних испытаниях в лаборатории производительности Crucial, ответ на этот классический вопрос — ОБА! Скорость и задержка играют решающую роль в производительности системы, поэтому при обновлении мы рекомендуем:

• Шаг 1. Определите максимальную скорость памяти, поддерживаемую вашим процессором и материнской платой (включая профили разгона).
• Шаг 2: Выберите память с наименьшей задержкой, которая соответствует вашему бюджету при такой скорости, помня, что более высокая (то есть более низкая) задержка означает более высокую производительность системы.

© Micron Technology, Inc., 2018. Все права защищены. Информация, продукты и/или технические характеристики могут быть изменены без предварительного уведомления. Ни Crucial, ни Micron Technology, Inc. не несут ответственности за упущения или ошибки в типографике или фотографии. Micron, логотип Micron, Crucial и логотип Crucial являются товарными знаками или зарегистрированными товарными знаками Micron Technology, Inc. Все другие товарные знаки и знаки обслуживания являются собственностью соответствующих владельцев.

Руководство по задержке ОЗУ (памяти)

СОДЕРЖАНИЕ

1

Хотя это, возможно, один из самых простых компонентов для установки, понимание того, что заставляет вашу оперативную память работать, — это совсем другая игра.

Эти невинные на вид палочки памяти гораздо сложнее, чем кажутся. Итак, давайте сегодня попробуем упростить один аспект, не так ли?

Задержка памяти.

Мы рассмотрим, что это значит, как это может повлиять на ваши рабочие нагрузки, и поможем вам понять, следует ли вам гнаться за этими молниеносными скоростями или искать комплекты памяти с низкой задержкой.

Скорость ОЗУ и задержка

В то время как скорость памяти (или скорость передачи данных) определяет, насколько быстро ваш контроллер памяти может получить доступ или записать данные в память, задержка ОЗУ зависит от того, как скоро он может начать процесс.

Первое измеряется в МТ/с (мегапередачи в секунду), а второе — в наносекундах.

Прежде чем мы углубимся в вычисление задержки памяти или ОЗУ, необходимо знать несколько терминов:

Задержка

Проще говоря, задержка — это задержка.

Эта задержка может быть измерена в наносекундах (реальное время).

Однако, когда дело доходит до цифровой электроники, мы часто используем такты, потому что таким образом мы получаем сравнительные числа, которые не зависят от частоты или скорости передачи данных детали.

Тайминги памяти

В отличие от задержки, тайминги памяти (последовательность чисел, которые вы видите на модуле памяти) измеряются в тактовых циклах.

Таким образом, каждое число в таймингах памяти, например 16-19-19-39, указывает количество тактов или циклов, необходимых для выполнения определенной задачи.

Вот краткий обзор того, что означают эти тайминги, от первого до последнего (все измеряется в тактовых циклах).

Для упрощения представьте себе пространство памяти в виде гигантской электронной таблицы со строками и столбцами, где каждая ячейка может содержать двоичные данные (0 или 1).

• Задержка CAS (tCL) — первая синхронизация памяти называется задержкой строба доступа к столбцу (CAS). Хотя термин «строб» сегодня немного устарел, поскольку он пережиток времен асинхронной DRAM, термин «CAS» все еще используется в отрасли. CAS Latency of RAM указывает количество циклов, которое требуется для получения ответа от памяти после того, как контроллер памяти отправляет столбец, к которому он должен получить доступ (подумайте об аналогии с электронной таблицей, о которой я упоминал выше). В отличие от всех других таймингов, приведенных ниже, tCL — это точное число, а не максимум/минимум.
• Задержка адреса строки и адреса столбца (tRCD) — второе число обозначает минимальное количество тактов, которое потребуется, чтобы открыть строку (опять же, в этой гигантской электронной таблице) и получить доступ к требуемому столбцу. Помните, что в отличие от tCL, tRCD — это не точное число, а максимальная задержка.
• Время предварительной зарядки строки (tRP) — третье число в этой последовательности из 4 цифр указывает минимальную задержку тактового цикла для доступа к другой строке в том же выбранном столбце.
• Row Active Time (tRAS) — последнее число в этой временной последовательности памяти обозначает минимальное количество тактовых циклов, которое необходимо, чтобы строка оставалась открытой для доступа к данным. Обычно это самая большая задержка.

Расчет задержки RAM или CAS Latency

Проще говоря, CAS Latency — это количество времени, которое требуется вашей памяти для ответа на запрос от контроллера памяти. Вот таблица, которая упрощает этот процесс:

Таблица задержки ОЗУ

В этом разделе мы узнаем, как рассчитать задержку ОЗУ.

Конечно, вы также можете использовать калькулятор RAM Latency, если хотите пропустить математику.

Однако, поскольку рекламируемая задержка CAS измеряется в тактовых циклах, нам необходимо учитывать скорость памяти, чтобы получить реальную задержку CAS в наносекундах.

Вот формула, которую вы используете:

Формула задержки CAS

Итак, допустим, у нас есть комплект памяти DDR4-3200 CL16.

Вы получаете задержку в наносекундах с (16*2000)/3200 = 10 нс.

Задержка первого слова

Теперь, если вам интересно, а как насчет других таймингов памяти? Разве они не влияют на задержку?

Да, есть.

Однако задержка CAS по-прежнему является наиболее часто используемой метрикой для сравнения задержки памяти, поскольку она напрямую влияет (немедленно) на то, насколько быстро ваш модуль ОЗУ отвечает на запрос.

Тем не менее, некоторые инженеры спорят о преимуществах использования задержки первого слова, когда речь идет о памяти.

Проще говоря, задержка первого слова учитывает временные показатели первичной памяти вместе с длиной пакета, чтобы получить задержку, которая, по сути, говорит вам, сколько времени требуется для чтения слова из памяти.

ОЗУ с малой задержкой или высокоскоростная ОЗУ?

Что быстрее?

Рассмотрим следующие три комплекта –

• 32 ГБ (2×16) DDR4-3200 CL16
• 32 ГБ (2×16) DDR4-3600 CL18
• 32 ГБ (2×16) DDR4-4000 CL20

Какой из них вы считаете «самым быстрым»?

Ну, тут все становится немного сложнее (или интереснее, если вы такой чудак, как я).

Для окон просмотра 3D и активных рабочих нагрузок

Мы проверили это на себе. И оказывается, что сама задача настолько сильно ограничена IPC и тактовой частотой одного ядра процессора, что не имеет значения, какую латентность вы выберете, пока скорость передачи данных или тайминги памяти не будут активно препятствовать производительности процессора. скорость.

Итак, в качестве примера — с процессорами Ryzen более низкие тайминги и более низкие скорости передачи данных влияют на производительность самого процессора (даже одноядерного).

Тем не менее, это вызывает интересную дискуссию.

Следует ли вам взять более дешевый комплект DDR4-2666 CL20 (или комплект DDR4-2666 CL16) вместо немного более дорогого комплекта DDR4-3600 CL20, если вы собираетесь получить аналогичную производительность?

Я бы сказал нет. Вы увидите лучшую производительность с более быстрым набором памяти для любой задачи, которая возлагает активную нагрузку непосредственно на ЦП, распределенную по нескольким ядрам.

Одним из примеров этого является быстрая прокрутка временной шкалы Premiere Pro со сжатым исходным материалом.

Для рабочих нагрузок рендеринга CPU/GPU

Краткий ответ – не имеет большого значения. Если это ваши основные рабочие нагрузки, мы рекомендуем отдавать приоритет стабильности системы, а не гнаться за незначительной выгодой.

Часто задаваемые вопросы (FAQ)

Что означает CL в оперативной памяти?

CL означает «Задержка CAS». Задержка CAS для ОЗУ указывает количество циклов, которое требуется для получения ответа от памяти после того, как контроллер памяти отправляет столбец, к которому он должен получить доступ.

Является ли смешивание ОЗУ с разной задержкой плохой идеей?

Да. Как мы уже говорили здесь, смешивание памяти, как правило, не идеально. Это справедливо даже в том случае, если у вас разные тайминги памяти.

Что касается ожидаемого поведения, есть два варианта:

• Если повезет, модули памяти можно будет настроить для работы на более медленных таймингах памяти.
• , если не повезет, вы можете не увидеть стабильности, пока не вернете разгон памяти до спецификаций JEDEC, которые обычно намного медленнее.

Как проверить задержку CAS моей оперативной памяти?

Вы можете быстро узнать текущую задержку памяти!

Сначала загрузите CPU-Z с официального сайта CPUID.

После того, как вы установите и запустите CPU-Z, вы должны увидеть экран, подобный этому (конечно, оборудование и спецификации будут вашими) —

Перейдите на вкладку «Память», которую вы видите здесь, и вы должен увидеть список с указанием вашей частоты памяти (НЕ скорости передачи данных), а также ваших таймингов памяти, таких как задержка CAS.

Что такое SPD в CPU-Z?

Если вы любознательный котенок, вы наверняка видели вкладку «SPD» в окне CPU-Z и задавались вопросом, что это такое.