Ddr3 от ddr4: DDR3 или DDR4: отличия, совместимость, в чем разница и что лучше для игр?

Сквозная (fly-by) топология на платах памяти DDR3 и DDR4 | Блог о проектировании плат

Сквозная (fly-by) топология и трассировка на плате памяти DDR​​​

Когда в следующий раз будете проводить апгрейд своего компьютера или ноутбука, взгляните на чипы оперативной памяти (ОЗУ). При необходимости используйте увеличительное стекло. Все проводники, которые вы сможете увидеть на верхнем слое печатной платы, будут лишь началом сложной сети трасс между торцевым разъемом и чипами памяти. На первый взгляд эта топология может выглядеть очень сложной, но если взглянуть на неё “издалека”, то можно заметить, что в ней имеется относительно простой шаблон.

Этот относительно простой шаблон топологии известен под названием “сквозная топология”, или топология Fly-by. Схема разводки при выполнении сквозной топологии является более предпочтительной по сравнению топологией выполненной по принципу двух Т-образных соединений, или Double-T, из-за множества причин связанных с целостностью сигналов. Применение сквозной топологии приводит к уменьшению числа одновременных коммутационных помех и позволяет протоколам DDR справляться с перекосами, которые возникают из-за применения сквозной топологии, за счет поддержки выравнивания уровней записи. Она также хорошо работает с высокочастотными приложениями и сокращает количество и глубину неиспользуемых частей колодцев переходных отверстий, так называемых “стабов” (stubs).

Сквозная топология имеет структуру гирляндного соединения с очень короткими “стабами” или вовсе без них. Благодаря такой структуре сквозная топология имеет меньшее число разветвлений и соединений точка-точка. При разводке DDR3 и DDR4, сквозная топология начинается с контроллера проходит через Чип 0 и далее через все чипы памяти вплоть до Чипа N или до старшего бита данных. Разводка выполняется по порядку номеров байтовых дорожек, байтовые дорожки данных разводятся в одном слое. Разводку можно упростить при необходимости, поменяв местами биты данных внутри байтовых дорожек. Пример сквозной топологии приведен ниже.

Пример сквозной топологии для платы с DDR

Альтернативным способом разводки DDR плат, является способ по принципу двух Т-образных соединений или топология Double-T. При использовании данной топологии, дифференциальные тактовые цепи, цепи команд и адреса выходят группой из контроллера памяти и образуют Т-образное соединение, которое может поддерживать два чипа. Каждая ветвь может разделяться снова для поддержки ещё двух чипов, таким образом поддерживая до четырех чипов. В общем, 2N чипов может быть соединено по принципу двух Т-образных соединений (N-количество ветвей топологии). Каждая отдельная секция впоследствии присоединяется к отдельному чипу оперативной памяти. Шины данных и стробирования разводятся напрямую от контроллера памяти к каждому чипу оперативной памяти. Это показано на рисунке ниже.

Пример топологии по принципу двух Т-образных соединений для платы с DDR

Т-образные топологии были широко распространены при разводке DDR2, но каждое разветвление создает накопленную разницу импедансов даже на частотах DDR2. Таким образом, сквозная топология является более предпочтительной в DDR3  и более поздних поколениях оперативной памяти, так как к каждому устройству подходит отдельная ветвь тактовых, адресных и командных цепей. В частности, для устройств ОЗУ с одним кристаллом предпочтительна сквозная топология, тогда как в устройствах с несколькими кристаллами может использоваться любая топология. Фактически существует некоторая свобода выбора между этими различными топологиями, но DDR3 и DDR4 проще развести используя сквозную топологию, из-за преимуществ в целостности сигналов.

При использовании сквозной топологии есть несколько основных рекомендаций, которых следует придерживаться при разводке проводников, для обеспечения целостности сигналов. Во-первых, это определение необходимого стека слоев печатной платы и выбор ориентации чипов. Если на плате достаточно места, то тактовые проводники, проводники адреса, команд и управления, должны быть расположены в одном слое, но можно сэкономить место, разводя проводники в разных слоях при необходимости. Разводка тактовых проводников, проводников адреса, команд и управления идет от чипа младшего бита данных к чипу самого высокого бита данных. Между микросхемами памяти должно быть расстояние не менее 5 мм (200 мил). Наконец, необходимо установить дифференциальную нагрузку в 100 Ом на последнее устройство SDRAM в цепи.

Когда вы начинаете размещать компоненты, важно выделить место для разветвления проводников, выходящих из-под корпуса элемента (так называемого «фэнаута»), оконечных резисторов и оконечных источников питания. Кроме того, ваша стратегия трассировки не должна допускать прохождения проводников через пустоты переходных отверстий на полигонах. Переходные отверстия должны быть расположены достаточно широко для возможности провести между ними два или более проводников.

Грамотно выполненный фэнаут увеличивает количество каналов трассировки. Обратите внимание, что сквозная топология подразумевает добавление некоторого перекоса между всеми сигнальными линиями. Это снижает уровень коммутационных помех при переключении одной микросхемы. Фактически, соседние микросхемы не будут затронуты, поскольку есть некоторая задержка между переключениями разных микросхем. Помимо целостности сигнала, есть и другие моменты, которые следует учитывать при разводке устройств с DDR3 и DDR4.

Если вы выполняете разводку дифференциальных пар на внутренних слоях, то их можно считать как полосковые или двойные полосковые линии. Проводники верхнего слоя следует трассировать как микрополосковые линии. Все линии передач нуждаются в контроле импеданса для подавления отражений на всех межсоединениях и на приемнике. Рекомендуется, чтобы одиночные проводники имели импеданс в 50–60 Ом (дифференциальный импеданс 100–120 Ом) для большинства интерфейсов.

Обратите внимание, что спецификация JEDEC для DDR3 определяет два режима работы источника на 34 и 40 Ом для несимметричных входов / выходов. Однако современные устройства используют оконечную нагрузку на кристалле для согласования с соответствующими значениями характеристического импеданса. Обязательно проверьте входной и выходной импедансы ваших компонентов и при необходимости примените согласование.

Один из подходов к достижению большей чувствительности к сигналу и ограничениям, подразумевает объединение байтовых дорожек данных. Это упростит процесс разводки, но будьте внимательны к зазорам между проводниками в линиях, чтобы предотвратить чрезмерные перекрестные помехи внутри линии. Связанные сигналы должны быть тщательно согласованы по длине в соответствии с рекомендациями, указанными в технических характеристиках вашего устройства, хотя будьте осторожны, поскольку они обычно предполагают значение диэлектрической постоянной Dk, равное 4 для материала платы.

Если вы выполняете трассировку на материале печатной платы с другим значением Dk, то вам необходимо согласовать длины проводников, чтобы компенсировать допустимую временную задержку (или фазовую задержку на дифференциальных парах).

Для зазоров между проводниками во многих рекомендациях указываются разные значения, но их легко выяснить исходя из контекста. Будьте осторожны при выборе зазоров между проводниками и дифференциальными парами, если они указаны в примечаниях по применению, поскольку эти значения зачастую предполагают определенный стек слоев.

Следует выдерживать точное расстояние между концами дифференциальных пар, чтобы обеспечить требуемый дифференциальный импеданс. Более широкие проводники могут обеспечить более плотную маршрутизацию, поскольку они будут иметь более низкую индуктивность, которая является основным источником перекрестных помех на реальных частотах DDR. Лучше всего запустить моделирование перекрестных помех, чтобы проверить предельные зазоры между одиночными и дифференциальными проводниками.

Учитывая сложность трассировки и большое количество проводников, вам следует использовать электрическую схему в качестве фундамента вашего проекта. Имея схему под рукой, вы можете найти ключевые компоненты и цепи. С помощью этого метода вы можете использовать перекрестный выбор компонентов схемы и цепей для выделения их на плате (Cross Selection Mode, Cross Probe). Эти функции в сочетании с настройками правил проектирования помогут вам определить дифференциальные пары, которые нуждаются в согласовании длины, помогут поддерживать целевой импеданс и необходимый зазор во время трассировки.

Конструкции высокоскоростных печатных плат сложны и требуют планирования размещения компонентов и контроля импеданса. Altium Designer предоставляет вам полный набор управляемых правилами интерактивных инструментов разводки для реализации топологии Fly-by в проектах с DDR3 и DDR4. В целом, вы должны выполнять трассировку, которая обеспечит прямой путь и правильное соединение всех цепей шины. Функции редактора плат САПР Altium Designer упрощают создание проекта с DDR3 и DDR4 с обеспечением простоты трассировки и целостности сигнала.

Ознакомьтесь со статьями, приведенными ниже, чтобы узнать больше о топологии и трассировке DDR3/DDR4:

  • Интерфейсы и топология устройств памяти DDR3 в конструкции платы
  • Как трассировать устройства памяти DDR3 и создавать фэнауты ЦПУ
  • Виртуальные уроки Altium Academy: Создание трассировки и фэнаутов DDR и BGA

Высокоскоростные платы – это сложные устройства, где требуется планирование размещения компонентов и управление импедансом. Altium Designer предоставляет полный набор инструментов трассировки, работающих на основе правил проектирования, для реализации сквозной трассировки на платах DDR3 и DDR4. Функциональные возможности редактора плат Altium Designer упрощают создание топологии DDR3 или DDR4, обеспечивая целостность сигналов и простоту трассировки.

Чтобы узнать больше о сквозной трассировке для устройств DDR3 и DDR4, поговорите с экспертом Altium.

Расшифровка номеров по каталогу модулей памяти Kingston®

Search Kingston.com

Чтобы начать, нажмите принять ниже, чтобы открыть панель управления файлами cookie. Затем нажмите кнопку Персонализация, чтобы включить функцию чата, а затем Сохранить.

Версия вашего веб-браузера устарела. Обновите браузер для повышения удобства работы с этим веб-сайтом. https://browser-update.org/update-browser.html

Узнайте, как читать номера по каталогу модулей памяти Kingston®, включая Kingston FURY™, Server Premier™ ValueRAM®, HyperX®, DDR5, DDR4, DDR3, DDR2, и линейки модулей памяти DDR. Это поможет вам идентифицировать модули памяти по спецификации.

Номер артикула: KF556C38BBE2AK2-32

  • KF
  • 5
  • 56
  • C
  • 38
  • B
  • B
  • E
  • 2
  • A
  • K2
  • 16

KF = линейка продукции

  • KF – Kingston FURY

5 = технология

  • 5 – DDR5

56 = скорость(MT/s*)

  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
  • 60 – 6000
  • 64 – 6400
  • 68 – 6800
  • 72 – 7200

C = тип модуля

  • C – UDIMM (небуферизованный, без ECC)
  • S – SODIMM (небуферизованный, без ECC)

38 = CAS-латентность

  • 32 – CL32
  • 36 – CL36
  • 38 – CL38
  • 40 – CL40

B = серия

  • B – Beast
  • I – Impact
  • R – Renegade

B = теплоотвод

  • B – ??
  • S – Серебристый

E = Тип Профиль

  • не указано — Intel XMP / Plug and Play
  • E — AMD EXPO

2 = версия

  • не указано — 1ᴙ версия
  • 2 — 2ᴙ версия
  • 3 — 3ᴙ версия

A = RGB

  • не указано — Без RGB-подсветки
  • A – RGB

K2 = комплект + количество модулей

  • не указано – отдельный модуль
  • K2 – комплект из 2 модулей
  • K4 — комплект из 4 модулей

16 = общая емкость

  • 8 – 8 ГБ
  • 16 – 16 ГБ
  • 32 – 32 ГБ
  • 64 – 64 ГБ
  • 128 – 32 ГБ

Part Number: KSM48R40BD4TMP-64HMR

  • KSM
  • 48
  • R
  • 40B
  • D
  • 4
  • T
  • M
  • P
  • 64
  • H
  • M
  • R

KSM = линейка продукции

  • KSM — Kingston Server Premier

48 = Скорость (MT/s A65242}}»>*)

  • 48 – 4800
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600

R = тип модуля

  • E – EC4 UDIMM (x72)
  • L – EC8 LRDIMM (x80)
  • P – EC4 RDIMM (x72)
  • R – EC8 RDIMM (x80)
  • T – EC4 SODIMM (x72)

40B = CAS-латентность

  • 40B – CL40-39-39
  • 42 – CL42-42-42
  • 46B – CL46-45-45

D = ранки

  • S — одноранковый
  • D — двухранковый
  • Q — четырехранковый

4 = тип памяти DRAM

  • 4 – x4
  • 8 – x8

T = PMIC

  • I – Renesas
  • K – RichTek
  • M – Montage
  • P – MPS
  • T – TI

M = концентратор SPD

  • I – Renesas
  • M – Montage
  • R – Rambus

P = термодатчик

  • I – Renesas
  • M – Montage
  • P – MPS
  • R – Rambus

64 = емкость

  • 16 – 16GB
  • 32 – 32GB
  • 64 – 64GB
  • 128 – 128GB

H = производитель DRAM

  • H – SK Hynix
  • M – Micron
  • S – Samsung

M = версия кристалла DRAM

  • A – A Die
  • C – C Die
  • E – E Die
  • M – M Die

R = регистр

  • I – Renesas
  • M – Montage
  • R – Rambus

Номер артикула: KVR48U40BS8K2-32X

  • KVR
  • 48
  • U
  • 40B
  • S
  • 8
  • K2
  • 32
  • X

KVR = линейка продукции

  • KVR – Kingston ValueRAM

48 = Скорость (MT/s A65242}}»>*)

  • 48 – 4800
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
  • 60 – 6000

U = тип модуля

  • U – DIMM (небуферизованный, без ECC)
  • S – SO-DIMM (небуферизованный, без ECC)

40B = CAS-латентность

  • 40B – CL40
  • 42B – CL42
  • 46B – CL46

S = ранги

  • S – одноранговый
  • D – двухранговый

8 = тип памяти DRAM

  • 8 – x8
  • 6 – x16

K2 = комплект + количество модулей

  • не указано – отдельный модуль
  • K2 – комплект из 2 модулей
  • K4 – комплект из 4 модулей

32 = общая емкость

  • 8 – 8 ГБ
  • 16 – 16 ГБ
  • 32 – 32 ГБ
  • 64 – 64 ГБ
  • 128 – 128 ГБ
  • 256 – 256 ГБ

X = адаптация

  • не указано – стандартный пакет
  • BK – большой пакет

Номер артикула: KF432C16BB1AK4/64

  • KF
  • 4
  • 32
  • C
  • 16
  • B
  • B
  • 1
  • A
  • K4
  • /
  • 64

KF = линейка продукции

  • KF — Kingston FURY

4 = технология

  • 3 — DDR3
  • 4 — DDR4

32 = скорость (MT/s A65242}}»>*)

  • 16 — 1600 (1.5V)
  • 16L — 1600 (1.35V)
  • 18 — 1866 (1.5V)
  • 18L — 1866 (1.35V)
  • 26 — 2666
  • 32 — 3200
  • 36 — 3600
  • 37 — 3733
  • 40 — 4000
  • 42 — 4266
  • 46 — 4600
  • 48 — 4800
  • 50 — 5000
  • 51 — 5133
  • 53 — 5333

C = тип модуля

  • C — UDIMM (небуферизованный, без ECC)
  • S — SODIMM (небуферизованный, без ECC)

16 = CAS-латентность

  • 9 — CL9
  • 10 — CL10
  • 11 — CL11
  • 13 — CL13
  • 15 — CL15
  • 16 — CL16
  • 17 — CL17
  • 18 — CL18
  • 19 — CL19
  • 20 — CL20

B = серия

  • B — Beast
  • R — Renegade
  • I — Impact

B = теплоотвод

  • не указано — синий
  • B — черный
  • R — красный
  • W — White

1 = версия

  • не указано — 1я версия
  • 1 — модули 16 ГБ с компонентами 1Gx8 (8 Гбит)
  • 2 — 2я версия
  • 3 — 3я версия
  • 4 — 4th Revision

A = RGB

  • не указано — Без RGB-подсветки
  • A — RGB-подсветка

K4 = комплект + количество модулей

  • Пусто – отдельный модуль
  • K2 — комплект из 2 модулей
  • K4 — комплект из 4 модулей
  • K8 — комплект из 8 модулей

64 = общая емкость

  • 4 — 4 ГБ
  • 8 — 8 ГБ
  • 16 — 16 ГБ
  • 32 — 32 ГБ
  • 64 — 64 ГБ
  • 128 — 128 ГБ
  • 256 — 256 ГБ

Номер по каталогу: KSM26RD4L/32HAI

  • KSM
  • 26
  • R
  • D
  • 4
  • L
  • /
  • 32
  • H
  • A
  • I

KSM = линейка продукции

  • KSM – Kingston Server Premier

26 = Скорость (MT/s A65242}}»>*)

  • 24 – 2400
  • 26 – 2666
  • 29 – 2933
  • 32 – 3200

R = Тип модуля

  • E – модуль DIMM без буфера (ECC)
  • R – зарегистрированный модуль DIMM
  • L – модуль DIMM с уменьшенной нагрузкой
  • SE – модуль SO-DIMM без буфера (ECC)

D = Ранки

  • S – одинарный
  • D – двойной
  • Q – Четырех

4 = Тип DRAM

  • 4 – x4
  • 8 – x8

L = Профиль печатной платы

  • L – очень низкопрофильный модуль DIMM

32 = общая емкость

  • 8 – 8 Гб
  • 16 – 16 Гб
  • 32 – 32 Гб
  • 64 – 64 Гб
  • 128 – 128 Гб
  • 256 – 256 Гб

H = Изготовитель DRAM

  • H – SK Hynix
  • M – Micron

A = Новая версия кристалла DRAM

  • A – A кристалла
  • B – B кристалла
  • E – E кристалла

I = Зарегистрировать изготовителя

  • I – IDT
  • M – Montage
  • R – Rambus

Номер по каталогу: KVR21LR15D8LK2/4HBI

  • KVR
  • 21
  • L
  • R
  • 15
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
  • I

KVR = линейка продукции

  • KVR — Kingston ValueRAM

21 = Скорость (MT/s A65242}}»>*)

  • 21 — 2133
  • 24 — 2400
  • 26 — 2666
  • 29 — 2933
  • 32 — 3200

L = Низковольтный

  • Не указано — 1,2 В

R = тип модуля

  • E — небуферизованный DIMM (с ECC) с термодатчиком
  • L — DIMM со сниженной нагрузкой (LRDIMM)
  • N — небуферизованный DIMM (без ECC)
  • R — регистровый DIMM с функцией контроля четности адресов/команд с термодатчиком
  • S — SODIMM, небуферизованный (без ECC)

15 = CAS-латентность

  • 15 – CL15
  • 19 – CL19
  • 22 – CL22

D = Ранки

  • S — одноранковый
  • D — двухранковый
  • Q — четырехранковый
  • O — восьмиранковый

8 = тип памяти DRAM

  • 4 – x4
  • 8 – x8
  • 6 – x16

L = профиль

  • Не указано — любая высота
  • H — 31,25 мм
  • L — 18,75 мм (VLP)

K2 = комплект + количество модулей

  • Не указано — отдельный модуль
  • K2 — комплект из 2 модулей
  • K3 — комплект из 3 модулей

4 = общая емкость

  • 4 – 4 ГБ
  • 8 – 8 ГБ
  • 16 – 16 ГБ
  • 32 – 32 ГБ

H = производитель DRAM

  • H — SK Hynix
  • K — Kingston
  • M — Micron
  • S — Samsung

B = Версия

  • B — Версия

I = Сертификация Intel

  • I — Сертификация Intel

Номер артикула: HX429C15PB3AK4/32

  • HX
  • 4
  • 29
  • C
  • 15
  • P
  • B
  • 3
  • A
  • K4
  • /
  • 32

HX = Линейка продукции

  • HX — HyperX (прежние модули)

4 = технология

  • 3 — DDR3
  • 4 — DDR4

29 = скорость (MT/s A65242}}»>*)

  • 13 — 1333
  • 16 — 1600
  • 18 — 1866
  • 21 — 2133
  • 24 — 2400
  • 26 — 2666
  • 28 — 2800
  • 29 — 2933
  • 30 — 3000
  • 32 — 3200
  • 33 — 3333
  • 34 — 3466
  • 36 — 3600
  • 37 — 3733
  • 40 — 4000
  • 41 — 4133
  • 42 — 4266
  • 46 — 4600
  • 48 — 4800
  • 50 — 5000
  • 51 — 5133
  • 53 — 5333

C = тип памяти DIMM

  • C — UDIMM (Non-ECC Unbuffered)
  • S — SODIMM (Non-ECC Unbuffered)

15 = CAS-латентность

  • 9 — CL9
  • 10 — CL10
  • 11 — CL11
  • 12 — CL12
  • 13 — CL13
  • 14 — CL14
  • 15 — CL15
  • 16 — CL16
  • 17 — CL17
  • 18 — CL18
  • 19 — CL19
  • 20 — CL20

P = серия

  • F — FURY
  • B — Beast
  • S — Savage
  • P — Predator
  • I — Impact

B = теплоотвод

  • не указано- синий
  • B — черный
  • R — красный
  • W — белый

3 = версия

  • 2 — 2я версия
  • 3 — 3я версия
  • 4 — 4я версия

A = RGB

  • не указано — без RGB-подсветки
  • A — RGB-подсветка

K4 = комплект + кол-во модулей в комплекте

  • не указано — отдельный модуль
  • K2 — комплект из 2 модулей
  • K4 — комплект из 4 модулей
  • K8 — комплект из 8 модулей

32 = общая емкость

  • 4 — 4 ГБ
  • 8 — 8 ГБ
  • 16 — 16 ГБ
  • 32 — 32 ГБ
  • 64 — 64 ГБ
  • 128 — 128 ГБ
  • 256 — 256 ГБ

Номер по каталогу: KVR16LR11D8LK2/4HB

  • KVR
  • 16
  • L
  • R
  • 11
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B

KVR = Kingston ValueRAM

  • KVR: Kingston ValueRAM

16 = Скорость (MT/s A65242}}»>*)

  • 16: 1600
  • 13: 1333
  • 10: 1066

L = Низковольтный

  • Без обозначения: 1,5V
  • L: 1,35V
  • U: 1,25V

R = Тип модуля

  • E: небуферизованный DIMM (ECC)
  • N: небуферизованный DIMM (не ECC)
  • R: регистровый DIMM с
  • L: DIMM со сниженной нагрузкой (LRDIMM)
  • S: SO-DIMM

11 = Латентность (CAS)

  • 11: Латентность (CAS)

D = Ранки

  • S: одноранковый
  • D: Двухранковый
  • Q: Четырехранковые

8 = Тип DRAM

  • 4: микросхема DRAM x4
  • 8: микросхема DRAM x8

L = Профиль

  • L: 18,75mm (VLP)
  • H: 30mm

K2 = Комплект + количество единиц продукции

  • K2: комплект из двух модулей
  • K3: комплект из трех модулей
  • K4: комплект из четырех модулей

4 = хранения

  • 4: 4Гб
  • 8: 8Гб
  • 12: 12Гб
  • 16: 16Гб
  • 24: 24Гб
  • 32: 32Гб
  • 48: 48Гб
  • 64: 64Гб

H = DRAM MFGR/Сертификация

  • H: Hynix
  • E: Elpida
  • I: Сертификация Intel

B = Версия кристалла

  • B: Версия кристалла

Номер по каталогу: KVR1066D3LD8R7SLK2/46HB

  • KVR
  • 1066
  • D3
  • L
  • D
  • 8
  • R
  • 7
  • S
  • L
  • K2
  • /
  • 4G
  • H
  • B

KVR = Kingston ValueRAM

  • KVR: Kingston ValueRAM

1066 = Скорость (MT/s A65242}}»>*)

  • 1066: Скорость

D3 = Technology

  • D2: DDR2
  • D3: DDR3

L = Низковольтный

  • Без обозначения: 1,5V
  • L: 1,35V
  • U: 1,25V

D = Технология

  • S: одноранковый
  • D: Двухранковый
  • Q: Четырехранковые

8 = DRAM

  • 4: микросхема DRAM x4
  • 8: микросхема DRAM x8

R = Тип модуля

  • P: регистровый с контролем четности (только для регистровых модулей)
  • E: небуферизованный DIMM (ECC)
  • F: FB DIMM
  • M: Mini-DIMM
  • N: небуферизованный DIMM (не ECC)
  • R: регистровый DIMM с функцией контроля четности адресов/команд
  • S: SO-DIMM
  • U: Micro-DIMM

7 = Латентность (CAS)

  • 7: Латентность (CAS)

S = термодатчиком

  • Без обозначения: без термодатчика
  • S: с термодатчиком

L = Профиль

  • Без обозначения:Без обозначения
  • L: 18,75mm (VLP)
  • H: 30mm

K2 = Комплект + количество единиц продукции

  • Без обозначения: Отдельный модуль
  • K2: комплект из двух модулей
  • K3: комплект из трех модулей

4G = хранения

  • 4G: хранения (Гб)

H = DRAM MFGR

  • H: DRAM MFGR

B = Версия

  • B: Версия

Номер по каталогу: KVR400X72RC3AK2/1G

  • KVR
  • 400
  • X72
  • R
  • C3
  • A
  • K2
  • /
  • 1G

KVR = Kingston ValueRAM

  • KVR: Kingston ValueRAM

400 = Скорость (MT/s A65242}}»>*)

  • 266
  • 333
  • 400

X72 = X72 ECC

  • X72: X72 ECC

R = регистровая

  • R: регистровая

C3 = Латентность (CAS)

  • C3: Латентность (CAS)

A = DDR400 3-3-3

  • A: DDR400 3-3-3

K2 = Комплект + количество единиц продукции

  • K2: комплект из двух модулей

1G = хранения

  • 1G: хранения (Гб)

Латентность (тайминг)

Приведённая ниже информация поможет проиллюстрировать различные настройки, которые можно регулировать при установке оптимальных по производительности таймингов оперативной памяти в BIOS системной платы. Обратите внимание, что эти настройки могут различаться в зависимости от производителя и модели системной платы, а также версии микропрограммы BIOS.

Пример

17

tRCD

17

tRP/tRCP

20

tRA/tRD/tRAS

CAS-латентность (CL): Задержка между активацией и чтением строки.

Задержка RAS-СAS или RAS-столбец (tRCP): Активирует строку

Задержка предзаряда строки или задержка предзаряда RAS (tRP/tRCP): Отключает строку

Активная задержка строки или активная задержка RAS или время до готовности (tRA/tRD/tRAS): Количество тактовых циклов между активацией/деактивацией строки.

Заявление об ограничении ответственности. Вся продукция компании Kingston проходит тестирование на соответствие опубликованным техническим характеристикам. Некоторые конфигурации систем или материнских плат не могут работать на опубликованных для модулей памяти Kingston скоростях или при опубликованных настройках синхронизации. Компания Kingston не рекомендует пользователям пытаться разгонять свои компьютеры до скоростей, превышающих опубликованные. Завышение тактовой частоты процессора или изменение синхронизации системы может привести к повреждению компонентов компьютера.

DDR3 против оперативной памяти DDR4: что лучше?

Последнее обновление

С момента дебюта стандарта оперативной памяти DDR4 в 2014 году потребители во всем мире задаются вопросом: лучше ли DDR4 , чем DDR3?

Да. Да. Пронумерованные стандарты, подобные этому, обычно имеют довольно линейную прогрессию — чем больше , тем лучше! — так что вы, наверное, уже это поняли, если честно.

ПРОЧИТАЙТЕ: 9Праздничные предложения 0008 теперь действуют на Amazon и Best Buy . Крупные бренды, такие как Lenovo и Samsung , также начинают предлагать праздничные скидки заранее, и многие другие последуют за ними.

Однако важно понимать разницу между ними, особенно для совместимости. Тот факт, что оперативная память DDR4 лучше, не обязательно означает, что она подходит для вашего ПК; на самом деле, если ваш компьютер 2014 года или ранее, он, вероятно, даже не совместим. DDR4 — относительно новый стандарт, и даже он может вскоре быть заменен DDR5 в ближайшие годы.

Давайте быстро пробежимся по основам.

Основы оперативной памяти DDR

DDR в DDR3 и DDR4 означает двойную скорость передачи данных, а RAM означает оперативную память. Оперативная память DDR была названа так потому, что ее скорость вдвое превышала скорость ее предшественницы, SDRAM (Single Data Rate). С тех пор DDR был стандартом, на котором основывались, начиная с оригинальной оперативной памяти DDR, до DDR2, до DDR3, а теперь и до DDR4. (Если вам интересно: DDR5 может выйти в 2019 году, но он также был запланирован на 2018 год, и в итоге этого не произошло.)

Оперативная память используется вашим компьютером для многозадачности. Чем больше у вас оперативной памяти, тем больше задач ваш компьютер сможет обрабатывать одновременно, при условии, что ЦП сможет справиться с этой задачей. Чем быстрее ваша оперативная память, тем быстрее, в свою очередь, станет ваш процессор, что поможет поддерживать плавность и плавность многозадачности. (В разумных пределах: если ваш ЦП не справляется с оперативной памятью или наоборот, у вас все равно будет плохой опыт. )

В чем разница между DDR3 и DDR4?

Как объяснялось выше, самая большая разница заключается в том, что DDR4 является стандартом, который приходит на смену DDR3. Несмотря на физическое сходство их модулей DIMM (флэш-памяти), эти стандарты не являются ни перекрестными, ни обратно совместимыми. Это означает, что оперативная память DDR3 не будет работать на материнской плате DDR4 и наоборот.

Если ваш компьютер выпущен в 2014 году или ранее, скорее всего, он использует оперативную память DDR3. Используйте Speccy, чтобы проверить скорость, стандарт и объем ОЗУ, если вы не уверены.

Из-за этих проблем с совместимостью DDR3 стала более неудобной для сборки. Он также становится дороже, поскольку его доступность сокращается. Таким образом, вы все равно ориентируетесь на использование DDR4.

Теперь другой большой вопрос: быстрее ли DDR4, чем DDR3? Да… обычно.

Основная скорость оперативной памяти DDR3 достигла максимальной скорости около 2133 МГц. Стандартная оперативная память DDR4 запустила на этой скорости и с тех пор перешла на базовую частоту 2400 МГц. В дикой природе существует несколько комплектов оперативной памяти DDR3 со скоростью выше 2133 МГц, но они становятся все более редкими (и в результате часто дорогими) и не приближаются к максимальному потенциалу DDR4.

Насколько DDR4 быстрее, чем DDR3?

С точки зрения того, что продается массовому потребителю, самая быстрая частота DDR3 была 2133 МГц, при этом 1333 МГц является стандартом начального уровня. С оперативной памятью DDR4 2133/2400 МГц были начальным базовым уровнем, а высокопроизводительные часто встречались или превышали 4000 МГц.

По существу… ОЗУ DDR4 вдвое быстрее, чем DDR3, по всем направлениям. Это довольно большой скачок между поколениями, но есть еще несколько вещей, которые следует учитывать. Однако пока не убирайте его, потому что это еще мало что говорит вам о разнице в производительности!

Конфигурация канала и почему это важно

Быстро выберите одну из конфигураций ниже!

  1. 8 ГБ (4 ГБ x 2) ОЗУ DDR3 с частотой 2133 МГц
  2. 8 ГБ (8 ГБ x 1) ОЗУ DDR4 с частотой 2133 МГц

Если вы похожи на большинство людей, которые мало что понимают в аппаратном обеспечении ПК… вы можете предположить что № 2 быстрее или, по крайней мере, так же быстро, как № 1.

Вы ошибаетесь. На самом деле, № 2 фактически работает со скоростью , вдвое меньшей скорости , чем № 1.

Это связано с конфигурацией канала. Чтобы оперативная память DDR достигла полной номинальной скорости, вам нужны две одинаковые планки оперативной памяти, работающие вместе (поэтому вы обычно видите, что оперативная память продается в двойных упаковках). Чтобы получить 8 ГБ ОЗУ с частотой 2133 МГц в этом сценарии, вам нужны две одинаковые планки ОЗУ по 4 ГБ, работающие вместе.

#1 использует две планки ОЗУ по 4 ГБ, поэтому обе они достигают номинальной частоты 2133 МГц. Это здорово, и должно быть больше , чем достаточно для обычного использования и большинства игровых сценариев.

9Однако 0004 # 2 использует только одну планку ОЗУ объемом 8 ГБ, и здесь возникают проблемы. Поскольку присутствует только один стик, он фактически работает на половинной скорости, или 1066 МГц. Это все еще может быть нормально для обычного использования, но вы можете столкнуться с проблемами в играх или других тяжелых приложениях. Более того, зачем что-то покупать и получать только половину запланированной мощности?

По возможности убедитесь, что у вас двухканальная конфигурация ОЗУ. Если у вас не может быть двухканальной конфигурации, по крайней мере, убедитесь, что это очень быстрая флешка DDR4, чтобы уменьшить потерю скорости. (Одноканальная флешка DDR4-2400 будет работать на половинной скорости, но все равно будет превосходить комплект DDR3-1333, работающий в двухканальном режиме.)

Как с этим связана оперативная память GDDR5 и GDDR6?

Буква «G» означает «Графика». GDDR5(X) и его преемник стандарта GDDR6 относятся к оперативной памяти, используемой исключительно графическими процессорами. Большее число означает новее, лучше, быстрее… и дороже. В противном случае GDDR и DDR не связаны. Существуют также некоторые другие типы оперативной памяти графических карт, отличные от DDR, такие как стандарт HBM2, используемый на картах AMD Vega.

DDR3 против DDR4 Игры: повлияет ли это на FPS?

Да, но, возможно, не так, как вы думаете.

Предположим, вы используете установку DDR3 и установку DDR4 с одинаковой скоростью и емкостью…

С одноканальной конфигурацией DDR3… да, ваши кадры будут страдать, особенно в современных играх. Обновите его до двухканальной конфигурации DDR3, и все будет в порядке.

С одноканальной конфигурацией DDR4… все должно быть в порядке. Однако двухканальная конфигурация идеальна, и часто нет особых причин не использовать двойные стики, поскольку именно так они чаще всего продаются.

Скорость выше, чем у одноканальной DDR4 или двухканальной DDR3, однако… скорость оперативной памяти не влияет на игровую производительность. В частности, это не влияет на ваш средний FPS, который является обычным способом измерения игровой производительности.

Что это делает влияет на 1% минимума. В ваших играх всегда будет время от времени падать FPS, независимо от платформы или мощности ПК. Серьезность этого падения FPS будет зависеть от множества факторов, но главным из них на самом деле является скорость вашей оперативной памяти. По сути, чем медленнее скорость вашей оперативной памяти, тем более резкими и заметными станут эти падения FPS.

Хотя более быстрая оперативная память не улучшит ваш средний или пиковый FPS, она улучшит ваши низкие значения, что обеспечит гораздо более стабильный игровой процесс. Это означает, что инвестиции в более быструю оперативную память по-прежнему оправданы, особенно при игре в современные или соревновательные игры.

Что касается размера, то если вы играете, вам, как правило, потребуется не менее 8 ГБ между вашими стиками, хотя 16 ГБ становятся немного более популярными и могут быть лучше, если вы хотите защитить свою систему в будущем.

Где взять оперативную память?

Что ж, прямо здесь, в нашем обзоре «Лучшая оперативная память для игр в 2019 году». В нем мы обсуждаем оперативную память DDR3, оперативную память DDR4, комплекты 8 ГБ, комплекты 16 ГБ, комплекты RGB и т. д.; все, что вы хотите, это там. Если эта статья рассказала вам последнее, что вам нужно было знать, давайте вспомним!

Если вам нужен быстрый выбор, вот несколько наших фаворитов:

  • Для оперативной памяти DDR3: Комплект быстрой оперативной памяти DDR3 с частотой 2400 МГц, что просто великолепно для DDR3.
  • Для оперативной памяти DDR4: Бюджетный комплект оперативной памяти DDR4, работающий на частоте 2666 МГц, что вполне прилично для DDR4.

    1 год назад

    от Кавита Шарма

    Вам может быть интересно, зачем нам оперативная память? Почему ЦП не обращается к файлам напрямую с жесткого диска? Этот процесс доступа к программным файлам непосредственно с жесткого диска очень сложен для ЦП, и если этот процесс будет выполняться, это очень негативно скажется на производительности системы.

    ОЗУ становится важным, потому что оно организует файлы, которые мы хотим систематически запускать, и делает их очень быстрыми и легко доступными для ЦП, так что ЦП не нужно постоянно обращаться к жесткому диску и искать соответствующие программы. .

    На рынке доступны различные ОЗУ. В линейке оперативной памяти ддр4 является последней, а ддр3 — той, которая использовалась до ддр4.

    В этой статье в основном рассказывается о методах, с помощью которых вы можете проверить, имеет ли ваша Windows вариант оперативной памяти ddr3 или ddr4, но перед этим давайте познакомимся с различия между оперативной памятью ddr3 и ddr4.

    Разница между оперативной памятью ddr3 и ddr4

    ОЗУ ddr3 оперативная память ddr4
    Медленнее по сравнению с ddr4 Быстрее, чем ddr3
    Питание от батареи 1,5 В Питание от батареи 1,2 В
    Его максимальная скорость передачи данных едва достигает 1 ГГц Имеет максимальную скорость передачи данных 1,6 ГГц
    Один чип памяти варианта ddr3 имеет максимальную емкость 8 Гб, поэтому максимальную емкость вашего компьютера можно сделать 32 Гб, так как имеется 4 слота оперативной памяти. Одна микросхема памяти варианта ddr4 может иметь емкость от 2 до 16 Гб, поэтому максимальную емкость вашего компьютера можно сделать 64 Гб.
    Оба работают одинаково, когда дело доходит до игр. Оба работают одинаково, когда дело доходит до игр.
    В целом менее эффективен и менее затратен, чем ddr4. В целом эффективнее и дороже, чем ddr3.

    Как проверить, есть ли на вашем компьютере оперативная память ddr3 или ddr4

    Чтобы определить вариант оперативной памяти, который работает в вашей компьютерной системе, вы можете выполнить шаги любого из методов, упомянутых ниже.

    Метод 1

    1. Откройте ваш любимый браузер, найдите «cpu z» и нажмите на первую появившуюся ссылку.
      ИЛИ
      Нажмите на следующую ссылку — https://www.cpuid.com/softwares/cpu-z.html
    2. С открывшейся страницы загрузите ZIP-файл. Перейдите в папку загрузок, щелкните файл правой кнопкой мыши и распакуйте ZIP-файл, нажав на опцию «извлечь все».
    3. После извлечения файлов из этой папки ZIP перейдите к файлу cpuz_x64.exe. Это откроет программное обеспечение cpuid. Когда окно программного обеспечения открыто, перейдите на вкладку «Память», и там, в разделе «Общие», вы найдете «Тип», и там вы сможете увидеть, какой тип ОЗУ установлен в вашей системе.

    Метод 2

    1. Перейдите в командную строку вашего ноутбука/компьютера и введите следующую команду: –
      wmic memorychip get memorytype, sbiosmemorytype
      Сравните полученные результаты со следующим ключом, и вы сможете легко определить свой тип памяти .
      20 для ddr и ddr1
      21 для ddr2
      24 для ddr3
      26 для ddr4

    Метод 3

    Вы также можете определить тип вашей оперативной памяти, физически взглянув на оперативную память в вашей системе и проанализировав ее.

    1. На вашей карте ОЗУ будет наклейка, на которой будут указаны характеристики вашей ОЗУ, включая тип ОЗУ. ОЗУ DDR будет иметь удлиненную ИС или интегральную схему, т. Е. Она будет касаться как верхней, так и нижней части ОЗУ.
    2. ОЗУ

    3. DDR2 имеет микросхемы, которые больше по размеру, чем DDR3, но меньше, чем DDR1. По мере появления новых поколений размеры интегральных схем продолжают уменьшаться, а их эффективность и мощность возрастают. DDR3 имеет микросхемы меньшего размера, чем DDR1 и DDR2. Они почти квадратной формы.
    4. В DDR4 размер микросхем почти такой же, как и в DDR3, но здесь микросхемы расположены в два ряда.

    Метод 4

    ПРИМЕЧАНИЕ. Этот метод может работать не во всех операционных версиях Windows.

    1. Щелкните правой кнопкой мыши панель задач на главном экране. Нажмите «Диспетчер задач». Если вы видите небольшое окно со списком из 5-6 вариантов, вам нужно нажать «Подробнее» внизу окна.
    2. В открывшемся большом окне, в котором подробно показаны все задачи, нажмите на вкладку «Производительность». На панели слева выберите «Память», и в левой части окна вы увидите память и тип оперативной памяти DDR, работающей в вашей системе. Обратите внимание, что вы сможете увидеть версию оперативной памяти с помощью этого метода, только если у вас более старая версия операционной системы Windows 10.

    Знание технических характеристик вашего компьютера или ноутбука может оказаться очень полезным во многих случаях.

Читайте также: