Ддр оперативная память: Доступ ограничен: проблема с IP
Содержание
Частые вопросы — Оперативная память
Форм-фактором называется стандарт, который определяет основные показатели модуля памяти (габариты, число и принцип расположения контактов). На рынке существует следующий ряд форм-факторов памяти, они физически несовместимы между собой:
- SIMM;
- DIMM;
- FB-DIMM;
- SODIMM;
- MicroDIMM;
- RIMM.
Рассмотрим их подробнее:
SIMM (Single in Line Memory Module). Модули форм-фактора SIMM бывают двух версий: 30-контактные и 72-контактные. Каждый контакт обладает выходом на обе стороны платы.
DIMM (Dual in Line Memory Module). Модули форм-фактора DIMM, обычно, бывают следующих типов: 168-контактные, 184-контактные, 200-контактные и 240-контактные.
Независимые контактные площадки располагаются по обе стороны платы.
FB-DIMM. Данный стандарт модулей памяти используется в серверах. В механическом плане, этот тип модуля идентичен модулям памяти DIMM 240-pin, но при этом категорически несовместим с обычными небуферизованными модулями DDR2 DIMM и DDR2 DIMM (Registered).
SO-DIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module). Уменьшенная вариация стандарта DIMM. Применяется, в основном, в ноутбуках и устройствах типа Tablet PC. Распространенные модули форм-фактора SO-DIMM — 144-контактные и 200-контактные. Реже встречаются 72- и 168-контактные.
MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module). Еще более уменьшенная в габаритах, по сравнению с SO-DIMM, версия DIMM. В основном, данный форм-фактор устанавливается в субноутбуки. Оснащается 60-контактной площадкой. На рынке существуют следующие варианты MicroDIMM: 144-контактный SDRAM, 172-контактный DDR и 214-контактный DDR2.
RIMM. Данный форм-фактор распространяется на все модули памяти типа RIMM (RDRAM). На рынке существуют следующие вариации данного форм-фактора: 184-контактная, 168-контактная и 242-контактная.
Важно: при выборе форм-фактора модуля оперативной памяти, необходимо иметь ввиду, что материнская плата, на которую в дальнейшем будет устанавливаться данная память, должна иметь поддержку выбранного форм-фактора оперативной памяти.
Тип — очень важный параметр оперативной памяти. Им определяется ее внутренняя структура и основные характеристики. В настоящее время, на рынке существуют 5 основных типов оперативной памяти:
- SDRAM;
- DDR SDRAM;
- DDR2 SDRAM;
- DDR3 SDRAM;
- RIMM.
Рассмотрим подробнее каждый из них:
SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) — синхронная динамическая память, обладающая произвольным доступом.
В отличие от типов памяти предыдущих поколений, обладает функцией синхронизации с системным генератором. Это дает возможность контроллеру памяти точно определять время готовности данных, что существенно сокращает временные задержки, возникающие в процессе циклов. В недалеком прошлом, данный тип оперативной памяти широко применялся в ПК, однако сегодня тотально вытеснен с рынка типом DDR и его «последователями».
DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) — синхронная динамическая память, обладающая случайным доступом и удвоенной скоростью передачи. Ключевым преимуществом типа памяти DDR SDRAM перед типом SDRAM является увеличенная вдвое пропускная способность памяти, при той же тактовой частоте. Так, за один такт системного генератора производится не одна, как в SDRAM, а сразу две операции с данными. Отсюда и название: Double Data Rate (удвоенная скорость передачи данных).
DDR2 SDRAM — следующее поколение памяти DDR, второе по счету.
Являясь эволюционным продолжением DDR, новое поколение сохранило в себе принципы функционирования «предшественника». Ключевое отличие кроется лишь в том, что в новом типе производится выборка 4-х бит данных за один такт, тогда как в первом DDR осуществлялась 2-х битная выборка. Кроме того, DDR2 отличается более низким энергопотреблением, меньшим тепловыделением и большей рабочей частотой.
DDR3 SDRAM — следующее за DDR2 SDRAM поколение оперативной памяти. В нем применяется та же технология «удвоения частоты», что и в DDR2. Ключевыми отличиями нового поколения памяти от предшествующего являются: возможность работы на более высокой частоте, и меньшее энергопотребление. Модули памяти DDR3 оснащены специальными «ключами», представляющими собой ориентирующие вырезы. Эти вырезы имеют явные отличия от «ключей» модулей памяти DDR2. Так, модули DDR3 и DDR2 не имеют совместимости со старыми слотами.
RIMM (RDRAM, Rambus DRAM) — синхронная динамическая память.
Автором и разработчиком данного стандарта является корпорация Rambus. Главное отличие типа RIMM от DDR-памяти заключается в увеличенной тактовой частоте, которую удалось добиться благодаря сокращению разрядности шины при одновременной передаче номера строки/столбца ячейки в ходе обращения к памяти. Обладая чуть более высокой производительностью, RDRAM, при выходе на рынок, была значительно дороже DDR. Это повлекло за собой практически тотальное вытеснение RIMM с рынка оперативной памяти.
Выбирая оперативную память, пользователь, прежде всего, должен ориентироваться на возможности имеющейся/выбранной материнской платы, поскольку в параметрах «материнки» заложена совместимость с тем или иным модулем памяти.
Это определенный характер расположения чипов на модуле памяти. Модули могут быть как с односторонней, так и с двусторонней упаковкой. Когда микросхемы установлены с обеих сторон модуля, толщина модуля, соответственно, увеличивается.
Физически, такие модули не могут устанавливаться в некоторые системы.
Тактовая частота — это максимальная частота системного генератора, на которой синхронизируются процессы приема/передачи информации.
В типе памяти DDR (а также DDR2 и DDR3) указывается двойное значение тактовой частоты. Это делается потому, что за один такт осуществляется две операции с данными.
Чем выше тактовая частота, тем большее количество операций производится за единицу времени. Это дает возможность приложениям достигнуть более стабильной и быстрой работы. При прочих равных параметрах, память с более высокой тактовой частотой обладает более высокой стоимостью.
Некоторые модули памяти предназначаются исключительно для определенных ПК и ноутбуков. Это — специальные модули, выпускаемые производителями строго для определенных моделей. Однако, существуют и модули широкого применения, которые доступны для установки на различного рода компьютеры.
Это специальные металлические пластины, установленные на микросхемах памяти. Основной их функцией является улучшение теплоотдачи системы. Обычно, радиаторы устанавливаются непосредственно на модули. Однако, монтировать их имеет смысл только на высокочастотные модули памяти.
ECC (Error Checking and Correction) — алгоритм, способный обнаруживать и исправлять случайные ошибки, возникшие в результате передачи данных в системе оперативной памяти.
Ошибка не должна превышать 1 бит в байте.
Некоторые материнские платы рабочих станций имеют поддержку технологии ECC. Также, ею обладают почти все без исключения серверные платы.
Модули памяти с технологией ECC отличаются более высокой стоимостью, в сравнении с обычными модулями.
Рассчитать общий объем памяти можно, сложив объемы установленных в систему модулей памяти.
Обычному офисному компьютеру для работы в Интернете и простых приложениях хватит 512 Мб. Для комфортной работы с графическими приложениями потребуется 1 Гб (1024 Мб) памяти. Сложные графические программы, а также «тяжелые» компьютерные игры будут должным образом функционировать при 2 Гб (2048 Мб) памяти и выше.
Диапазон объема памяти одного модуля: от 0.03125 до 32.0 Гб.
Модуль памяти уменьшенной (по сравнению с габаритами стандартного модуля) высоты.
Как правило, устанавливается в серверные корпуса с заниженным профилем (Low Profile).
Каждый модуль оперативной памяти рассчитан на определенный показатель напряжения питания. Вот почему при выборе модуля памяти важно проверить поддержку вашей материнской платой требуемого напряжения питания.
На одном модуле памяти может располагаться определенное количество чипов. Микросхемы этих чипов могут быть установлены как с одной, так и с обеих сторон платы модуля.
Диапазон количества чипов каждого модуля памяти: от 1 до 72.
Ранк — это область памяти, создаваемая чипами ее модуля. Обладает шириной 64 бита (72 бита, при наличии поддержки ECC).
В зависимости от конструкции, в модуле может быть расположено 1, 2 или 4 ранка.
В настоящее время, все серверные материнские платы обладают ограничением на суммарное количество ранков памяти.
К примеру, если в материнской плате может быть установлено максимум 8 ранков или 4 двухранковых модуля, то свободные слоты не будут поддерживать дополнительные модули, поскольку это приведет к превышению установленного ограничения. Вот почему цена одноранковых модулей выше, в сравнении с 2-х- и 4-ранковыми.
Модули памяти могут продаваться в наборе. На рынке, помимо одиночных планок, нередко встречаются комплекты по 2, 4, 6, 8 модулей памяти, обладающих идентичными характеристиками. Эти комплекты специально подобраны для работы в двухканальном режиме.
Применение двухканального режима значительно увеличивает пропускную способность оперативной памяти. Таким образом, увеличивается и скорость работы запущенных приложений. Тем пользователям, которым необходима высокая скорость работы игровых и графических приложений, следует обратить особое внимание именно на такие наборы модулей памяти.
При покупке отдельных модулей памяти, важно помнить, что модули даже с идентичными характеристиками, от одного производителя, но приобретенные по отдельности, могут не сработать в паре.
При этом необходимо учитывать, что сама материнская плата должна иметь поддержку двухканального режима работы памяти.
Каждый модуль памяти обладает своим количеством расположенных на нем контактных площадок. Число контактов, находящихся в слоте оперативной памяти материнской платы, обязано совпадать с числом контактов на модуле.
Помимо идентичного количества контактов, совпадать должны и вырезы (ключи, препятствующие некорректной установке).
Диапазон количества контактов модуля памяти: от 144 до 244.
Модуль памяти может оснащаться специальными буферами (регистрами). Эти буферы довольно-таки быстро производят сохранение поступивших в них данных, а также сокращают нагрузку на систему синхронизации, давая дополнительное свободное пространство контроллеру памяти.
Установленный между контроллером и чипами памяти буфер образует дополнительную задержку в ходе выполнения операций.
Эта задержка составляет обычно 1 такт. Так, показателя высокой надежности можно добиться лишь путем сокращения (пускай и незначительного) быстродействия памяти.
Буферизированные модули памяти отличаются весьма высокой стоимостью и применяются в основном в серверах. Следует также отметить, что буферизованная и небуферизованная память не имеет между собой совместимости.
tRP — это количество тактов между командой закрытия строки и командой открытия следующей строки. По сути, этот показатель определяет то время, которое необходимо для чтения первого бита памяти при другой активной строке: TRP + TRCD + CL.
Row Precharge Delay. Данный параметр определяет время повторной выдачи сигнала RAS. За это время контроллер памяти способен повторно выдать сигнал инициализации адреса строки.
tRCD — это количество тактов между командой открытия строки и непосредственным доступом к ее столбцам.
Данный показатель включает в себя время, которое необходимо для чтения первого бита памяти, без активной строки: TRCD + CL.
RAS to CAS Delay — время задержки между определяющими сигналами адреса строки/столбца.
tRAS — это количество тактов между командой на открытие банка и командой на заряд. Это то время которое требуется на обновление строки. Данный показатель сочетается с показателем TRCD.
Activate to Precharge Delay — минимальное число циклов между активацией (RAS) и подзарядкой (Precharge) одного и того же банка памяти.
Данный показатель обозначает временную задержку между отправкой адреса строки/столбца в память и моментом запуска процесса передачи данных. Это время, которое необходимо для чтения первого бита памяти при открытой нужной строке.
CAS — число тактов от момента запроса данных до момента их считывания.
Является одной из ключевых характеристик модуля памяти. По сути, данный показатель определяет ее быстродействие. Чем ниже показатель CL, тем выше работоспособность памяти.
Чем отличются DDR, DDR2 и DDR3?
10 ноября 2014
Описание DDR1, DDR2 и DDR3
Появление оперативной памяти DDR2 в свое время вызвало настоящий фурор среди пользователей компьютеров. У них намного выше скорость работы по сравнению с первым поколением оперативки (DDR).
В DDR и DDR2 данные передаются по обоим срезам. Разница лишь в более быстрой шине на планках DDR2, на которую передача может совершаться одновременно из четырех мест. В результате выросла скорость обработки информации в два раза. Также DDR2 характеризуется более низким энергопотреблением.
Показатели DDR2 казались невероятными до тех пор, пока на рынке компьютерной техники не появилось третье поколение оперативной памяти, которое получило маркировку DDR3. Создателям DDR3 удалось значительно увеличить скорость работы оперативки и еще немного снизить энергопотребление плат.
Сегодня практически все, продаваемые компьютеры оснащаются оперативной памятью третьего поколения. Впрочем, в продаже уже есть модели инновационной оперативки DDR4. Но на данный момент цена таких плат очень высока и поддерживается лишь несколькими моделями материнских плат.
Сравнение DDR1, DDR2 и DDR3
Несмотря на то, что планки разных поколений оперативной памяти внешне похожи, они не взаимозаменяемы и не могут быть совместимы. Под каждый из них существует свой тип разъема, а на самих планках есть характерная прорезь называемая «ключом». Выбор поколения оперативной памяти зависит от того, какую из них поддерживает определенная материнская плата.
Разные поколения оперативной памяти ощутимо отличается частотными характеристиками. Максимальная эффективная частота DDR составляет 400 МГц, для DDR2 — 800 МГц, а для DDR3 — 1600 МГц. Соответственно это отражается на пропускной способности оперативной памяти и на быстродействии компьютера в целом. Отметим, что многие производители выпускают модели оперативной памяти, имеющие большие значения, чем обозначенные выше стандартные максимальные частоты.
Разработчики плат оперативной памяти не только увеличили их скорость работы, но и уменьшили их энергопотребление за счет снижения напряжения. Для DDR нужно 2,5 V, для DDR2 – 1,8 V и 1,5 V для DDR3. Причем для оперативной платы третьего поколения существует вариант памяти DDR3L с пониженным энергопотреблением до 1,35 V.
Как видите, DDR, DDR2 и DDR3 отличаются и конструктивно и скоростью работы. Разумеется, лучше выбирать оперативную память с более высокими частотными характеристиками, главное, чтобы она подходила к вашей материнской плате. Помните, что они не совместимы между собой не механически, ни электрически.
Написать комментарий
Другие записи раздела Блог
Новогодние подарки
14 декабря 2018
Новый год – елка, оливье, подарки.
А ведь именно подарки порой бывает так трудно выбрать. Стараясь упростить вашу задачу, мы подготовили несколько интересных и практичных идей, которые вы сможете реализовать прямо в нашем интернет-магазине. Среди них есть, как и занятные сувениры, которые можно набрать на всех ваших коллег, так и весьма ценные предложения, которыми вы можете одарить тех, кто вам особенно дорог.
Читать далее →
Почему картридж плохо печатает после заправки?
18 июня 2016
Большинство людей, которые тесно связаны с компьютерными системами, сталкиваются с традиционными проблемами, которые им предоставляют принтеры. Одна из них — это проблема с картриджами.
Читать далее →
Рекомендации для владельцев ноутбуков
1 июня 2015
Нужно соблюдать определенные рекомендации при эксплуатации портативного компьютера, чтобы ноутбук прослужил владельцу как можно дольше
Читать далее →
Что делать в тех случаях, когда компьютер тормозит?
24 мая 2015
Причины снижения производительности компьютера могут быть различными.
Это может быть связанно, например, с большим количеством работающих в фоновом режиме программ, наличием вирусов в компьютере, присутствием пыли в системном блоке.
Читать далее →
Уход за экраном монитора
19 мая 2015
Загрязнения на экране монитора становятся сразу заметными, и хочется незамедлительно их очистить. Но применять нужно только специальные чистящие средства и материалы.
Читать далее →
Что такое память DDR (двойная скорость передачи данных) и память SDRAM
Скотт Торнтон
DDR SDRAM — это набор аббревиатур. Синхронная динамическая оперативная память с удвоенной скоростью передачи данных (DDR) — это распространенный тип памяти, используемый в качестве ОЗУ для большинства современных процессоров.
Первой на сцене этого стека акронимов была динамическая оперативная память (DRAM), представленная в 1970-х годах. DRAM не регулируется часами. DRAM является асинхронной, т. е. не синхронизированной никаким внешним воздействием. Это создало проблему в организации данных по мере их поступления, чтобы их можно было поставить в очередь для процесса, с которым они связаны. Поскольку DRAM была асинхронной, она не собиралась работать так быстро с процессорами, которые только становились быстрее.
Рис. 1. Четыре (4) ГБ памяти DDR4 SDRAM в модуле DIMM (Источник: smial [GFDL 1.2], Wikimedia Commons) SDRAM является синхронной и, следовательно, полагается на часы для синхронизации сигналов, создавая предсказуемые упорядоченные циклы выборки данных и пишет. Однако SDRAM передает данные по одному фронту тактовой частоты. DDR SDRAM означает, что этот тип SDRAM извлекает данные как по переднему, так и по заднему фронту тактового сигнала, который регулирует его, отсюда и название «Двойная скорость передачи данных».
До DDR RAM извлекала данные только один раз за такт. Синхронные данные обеспечивают более быструю работу при координации выборки памяти с требованиями процессора.
Многие люди называют оперативную память процессора просто «DDR», используя эти термины взаимозаменяемо, поскольку DDR так широко используется в качестве оперативной памяти процессора с конца 1990-х годов. DDR — это не флэш-память, подобная той, которая используется для твердотельных накопителей (SSD), карт Secure Digital (SD) или накопителей с универсальной последовательной шиной (USB). Память DDR энергозависима, что означает, что она теряет все при отключении питания.
Рисунок 2: DDR SDRAM извлекает данные дважды для каждого из них, полученного обычной SDRAM.
Это может показаться недостатком, но компромисс заключается в том, что DDR имеет гораздо более высокую скорость передачи, чем другие продукты памяти, а также большую емкость. Повсеместное использование DDR SDRAM в качестве рабочей памяти процессора, или ОЗУ, улучшилось с годами, поскольку отрасль перешла от DDR к DDR2, DDR3, а теперь и к DDR4 SDRAM (см.
Таблицу 1). DDR2 — DDR4 эволюционировала, чтобы требовать более низкого напряжения питания, что обычно экономит энергию. Были внесены и другие изменения для увеличения скорости. DDR2 SDRAM была уменьшена до работы при напряжении 1,8 вольт, а к модулю памяти был добавлен множитель тактовой частоты, чтобы снова удвоить скорость передачи данных при работе на той же скорости шины. В оперативную память DDR3 встроен 4-кратный множитель тактовой частоты, что снова удваивает скорость передачи памяти при той же скорости шины.
ТАБЛИЦА 1: Сравнение SDRAM в порядке выпуска. Тактовая частота и скорость передачи являются приблизительными и зависят от производителя.
| Стандарт (приблизительный год выпуска) | Рабочее напряжение | Количество переданных данных (слов за такт) | Тактовые частоты связанной оперативной памяти | Приблизительные скорости передачи |
| SDRAM (1993) | 3,3 В | 1 | 66–133 МГц | 100–166 МТ/с |
| DDR SDRAM (2000) | 2,6 В, 2,5 В | 2 | 100–200 МГц | 200–400 МТ/с |
| DDR2 SDRAM (2003) | 1,8 В, 1,55 В | 4 | 200–400 МГц | 400 – 1066 МТ/с |
DDR3 SDRAM (2007 г. ) | 1,5 В, 1,35 В | 8 | 400 МГц – 1066 МГц | 800 – 2133 МТ/с |
| DDR4 SDRAM (2014 г.) | 1,2 В | 8 | 1066 – 1600 МГц | 1600 – 3200 МТ/с |
В дополнение к устойчивому снижению рабочего напряжения и энергопотребления DDR также стала более плотной, так как больше транзисторов было размещено на меньшей площади. DDR SDRAM упаковывается в виде встроенного модуля микросхемы, который включает в себя модуль памяти Dual In-Line (DIMM), используемый в настольных компьютерах. DIMM — это небольшая печатная плата с чипами SDRAM. До DIMM у нас были однорядные модули памяти (SIMM), которые использовались в 1980-х и 1990-х годов. Чипы DIMM несут DDR SDRAM для обновления оперативной памяти на ПК.
В этой статье обсуждаются более современные версии энергозависимой оперативной памяти, в том числе общие сведения о стандарте DDR SDRAM и его развитии. До DRAM также существовала энергозависимая SRAM (статическая оперативная память).
Фундаментальные различия между DRAM и SRAM были рассмотрены в предыдущем посте. Дополнительные сведения о энергонезависимой памяти можно найти в предыдущем посте. Встроенное использование флэш-памяти NAND и NOR развивается.
DDR5 SDRAM — следующий стандарт, предложенный для удвоения скорости DDR4 SDRAM. По данным Ассоциации твердотельных технологий JEDEC, которая является стандартом для DDR SDRAM, «стандарт JEDEC DDR5 в настоящее время находится в разработке в комитете JEDEC JC-42 по твердотельным запоминающим устройствам. JEDEC DDR5 предлагает улучшенную производительность с большей энергоэффективностью по сравнению с технологиями DRAM предыдущего поколения. Как и планировалось, DDR5 обеспечит удвоенную пропускную способность и плотность по сравнению с DDR4, а также повысит эффективность канала». DDR5 SDRAM прогнозируется на 2018 г.
Рубрики: FAQ, Featured Tagged With: basics, FAQ
Память DDR — centonelectronics
SDRAM является синхронной, и поэтому полагается на часы для синхронизации сигналов, создавая предсказуемые упорядоченные циклы выборки и записи данных.
Однако SDRAM передает данные за 90 009 1 900 10 фронтов часов. DDR SDRAM означает, что этот тип SDRAM извлекает данные как по переднему, так и по заднему фронту тактового сигнала, который регулирует его, отсюда и название «Двойная скорость передачи данных». До DDR RAM извлекала данные только один раз за такт. Синхронные данные обеспечивают более быструю работу при координации выборки памяти с требованиями процессора.
Многие люди называют оперативную память процессора просто «DDR», используя эти термины взаимозаменяемо, поскольку DDR так широко используется в качестве оперативной памяти процессора с конца 1990-х годов. DDR — это не флэш-память, которая используется для твердотельных накопителей (SSD), карт Secure Digital (SD) или накопителей с универсальной последовательной шиной (USB). Память DDR энергозависима, что означает, что она теряет все при отключении питания.
DDR1 vs DDR2 vs DDR3 vs DDR4:
DDR1 RAM
Запущенный в 2000 году, он не использовался почти до 2002 года.
Он работал на 2,5В и 2,6В, а его максимальная плотность составляла 128 Мб (поэтому не было модулей более 1 Гб) со скоростью 266 МТ/с (100–200 МГц).
ОЗУ DDR2
Выпущенный примерно в 2004 году, он работал при напряжении 1,8 В, что на 28% меньше, чем у DDR1. Его максимальная плотность была удвоена до 256 Мб (2 Гб на модуль). Логично, что и максимальная скорость приумножилась, достигнув 533 МГц.
ОЗУ DDR3
Этот выпуск вышел в 2007 году, и здесь были реализованы профили XMP. Начнем с того, что модули памяти работали при напряжении 1,5 В и 1,65 В, с базовой частотой 1066 МГц, а плотность достигала 8 ГБ на модуль.
- ( XMP или Extreme Memory Profiles — это технология Intel, позволяющая изменять несколько параметров памяти, просто выбирая другой профиль , используя более высокие, чем стандартные, скорости памяти)
ОЗУ DDR4
Это не появлялось до 2014 года, но сегодня оно является наиболее распространенным.
Напряжение снижено до 1,05 и 1,2В, хотя многие модули работают при 1,35В. Скорость была заметно увеличена, и с каждым разом с завода выпускается более быстрая память, но ее базовая частота начиналась с 2133 МГц. На данный момент уже есть модули на 32 Гб, но и это понемногу расширяется.
Стандарт | Рабочее напряжение | Тактовые частоты связанной оперативной памяти |
DDR SDRAM (2000) | 2,6 В, 2,5 В | 100–200 МГц |
DDR2 SDRAM (2003) | 1,8 В, 1,55 В | 200–400 МГц |
DDR3 SDRAM (2007) | 1,5 В, 1,35 В | 400 МГц – 1066 МГц |
DDR4 SDRAM (2014) | 1,2 В | 1066 – 1600 МГц |
Физические различия
Хотя эти четыре типа памяти имеют формат DIMM и могут выглядеть очень похоже (на самом деле, все они имеют длину 133,35 мм).
Существуют фундаментальные физические различия, из-за которых вы не можете подключить модуль оперативной памяти DDR1 к разъему DDR2.
Все модули имеют отверстие в районе контактов, что предотвратит их подключение к розеткам другого поколения.
Наконец, следует отметить, что в каждом поколении количество контактов менялось следующим образом:
- DDR1: 184-контактный (DIMM), 200-контактный (SO-DIMM) и 172-контактный (микро DIMM).
- DDR2: 240-контактный (DIMM), 200-контактный (SO-DIMM) и 214-контактный (микро-DIMM).
- DDR3: 240 контактов (DIMM), 204 контакта (SO-DIMM) и 214 контактов (микроDIMM).
- DDR4: 288-контактный (DIMM), 256-контактный (SO-DIMM). Модули памяти DDR4 micro DIMM больше не существуют.
ОЗУ Различия в производительности
Самая большая разница от поколения к поколению ОЗУ заключалась в производительности. По мере развития и совершенствования технологий мы обычно наблюдаем удвоение для каждого выпуска.
