Срок доставки товара в течении 1-3 дней !!!
|
|
Обзор и тест комплекта оперативной памяти DDR3-1866 Kingston HyperX Fury HX318C10FK2/8. Какие тайминги лучше для ddr3 1600
Тайминг, оперативная память и производительность ПК
Компьютерная терминология иногда поражает своей сложностью. Из-за этого пользователь и одновременно конечный покупатель сталкивается с определенными проблемами выбора во время приобретения компьютера или обновления его конфигурации. К одной из важных характеристик ПК относится так называемый тайминг. Оперативная память характеризуется как параметром частоты, на которой она работает, так и размером задержек обращения к другим модулям компьютера.
Перед тем как переходить к ответу на вопрос, что такое тайминг, опишем основной принцип работы ОЗУ — оперативного запоминающего устройства.
Как работает «оперативка»
Оперативная память (ОЗУ, RAM) — это одна из важнейших составляющих частей любого компьютера. В ней временно сохраняются данные, необходимые для работы процессора. Передача информации в этом случае осуществляется непосредственно от блока памяти на ядро или же через особую сверхбыструю память. Если говорить простыми словами, то оперативная память — это несколько микрочипов, которые хранят данные всех запущенных пользователем программ. Но разве нельзя хранить все это на жестком диске, ведь это тоже память? К сожалению нет. Все дело в скорости и надежности. Жесткий диск является механическим устройством с низкой скоростью работы (по сравнению с потребностями процессора) и ограниченным ресурсом. ОЗУ лишена этих недостатков, она быстра, и ее ресурс не зависит от количества обращений.
Классификация
Существует две разновидности памяти:
- SRAM - статический тип ОЗУ;
- DRAM - динамический тип ОЗУ.
Без углубления в особенности технической реализации SRAM-памяти можно сказать, что такие планки отличаются высокой скоростью. Задержки и передача данных в блоке ОЗУ происходит моментально. Но, к сожалению, такая реализация отличается дороговизной. К тому же объемы модуля памяти ограничены сравнительно большими размерами транзисторов. Модули SRAM используются в качестве сверхбыстрой кэш-памяти, которую применяют на процессорах, жестких дисках и других модулях ПК.
Динамический тип ОЗУ — это привычные всем прямоугольные планки, которые располагаются на материнской плате. Такая память отличается сравнительной дешевизной и большими объемами. Но ее блоки имеют свои недостатки:
- Так как планка содержит в себе конденсаторы, то необходимо регулярно «регенерировать» заряд в них для того, чтобы данные не пропали. Эту задачу выполняет центральный процессор. Но во время такого обращения к памяти приостанавливаются все операции с ней.
- Скорость работы такой планки гораздо меньше, чем у статической.
- Немалую роль играет и правильно подобранный тайминг. Оперативная память с большими объемами и высокой частотой не всегда сможет показать необходимую продуктивность ввиду высоких задержек.
Типы оперативной памяти
На данный момент существует всего 4 типа модулей памяти:
- DDR — устаревший тип ОЗУ, который используется на очень старых компьютерах.
- DDR2 – блоки подобной ОЗУ еще можно встретить в старых ПК в госструктурах и учебных заведениях. Скорость работы такой памяти не позволяет справляться с высоконагруженными современными приложениями, но она достаточна для работы с текстовыми редакторами и для серфинга в сети Интернет.
- DDR3 — наиболее распространенный модуль памяти. Потребление энергии на 40% меньше чем у предыдущего типа, а скорость работы такой памяти гораздо выше.
- DDR4 — эволюционное развитие оперативной памяти. Такие модули способны полностью удовлетворить все запросы современного пользователя. При оптимальной конфигурации блок может обеспечить пропускную способность равную 34,1 ГБ / c.
Тайминги памяти
Теперь мы знаем, что из себя представляет ОЗУ. Ну, а что же такое тайминг? Это задержка между отправкой и выполнением команды шины памяти, которая измеряется в тактах.
DRAM состоит из ячеек, объединенных в двумерные массивы. Структура подобна решетке, в узлах которой находятся ячейки. Для обращения к узлам контроллер должен знать их адрес, состоящий из номера строки и столбца (координат). Отдельные массивы с одинаковым размером ячеек объединяются в так называемые банки.
Таким образом, контроллер сначала обращается к банку с адресом строки посредством сигнала RAS. Затем происходит поиск необходимой строки — это цикл тайминга RAS to CAS Delay. После этого контроллер шлет номер столбца при помощи CAS-сигнала. Ожидание ответа на такой запрос называется CAS Latency. Тайминг под названием RAS Precharge обозначает время между командами закрытия и повторной активации строки, Active to Precharge Delay – между командами активации и закрытия. Command Rate – это минимальный интервал между двумя любыми командами.
Покупая новую планку ОЗУ можно очень легко определить тайминг. Оперативная память маркируется стандартной схемой: DDR3 (частота) CAS Latency - RAS to CAS DELAY - RAS Precharge - Cycle Time, что в реальности выглядит как DDR3 2133 9-12-12-28.
Что лучше — быстрая память или меньшие задержки?
В первую очередь необходимо обращать внимание на тайминг. Оперативная память с высокой частотой может работать медленно, потому что обращение к процессору имеет гораздо меньшую скорость, а поэтому такое преимущество не будет реализовано. В то же время задержки остаются всегда на стандартном уровне, естественно, если не выставить тайминги оперативной памяти вручную.
Так, например, память DDR2 1600 6-7-6-18 намного быстрее, чем DDR3 1866 9-9-9-24. Как видим, во втором случае имеем более совершенное поколение ОЗУ с более высокой частотой, но слишком большие задержки просто нивелируют этот факт. Приобретая новую оперативную память, старайтесь выбирать такую модель, которая имеет минимально возможные задержки. Этим вы обеспечите себе высокую производительность компьютера в целом.
fb.ru
Тайминги. Какой лучше тайминг оперативной памяти 9-9-9-24 или 9-9-9-27? p\s можно рассказать подробно про Тайминги
Мера таймингов такт. Таким образом, каждая цифра в формуле 2-2-2 означает задержку сигнала для обработки, измеряемая в тактах системной шины. Если указывается только одна цифра (например, CL2), то подразумевается только первый параметр, то есть CAS Latency. Остальные при этом не обязательно равны ему! Практика показывает, что обычно прочие параметры выше, а значит и память менее производительна (то есть это маркетинговый ход, в спецификации указать один тайминг, который не дат представления о задержках памяти при выполнении иных операций) .
Иногда формула таймингов для памяти может состоять из четырх цифр, например 2-2-2-6. Последний параметр называется DRAM Cycle Time Tras/Trc и характеризует быстродействие всей микросхемы памяти. Он определяет отношение интервала, в течение которого строка открыта для переноса данных (tRAS RAS# Active time), к периоду, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления ряда (tRC Row Cycle time), также называемого циклом банка (Bank Cycle Time).
Производители обычно снабжают свои чипы, на основе которых построена планка памяти, информацией о рекомендуемых значениях таймингов, для наиболее распространенных частот системной шины. Просмотреть эту информацию можно например программой CPU-Z.
С точки зрения пользователя, информация о таймингах позволяет примерно оценить производительность оперативной памяти, до е покупки. Таймингам памяти поколения DDR придавалось большое значение, поскольку кеш процессора был относительно мал и программы часто обращались к памяти. Таймингам памяти поколения DDR3 уделяется гораздо меньшее внимания, поскольку современные процессоры (например Intel Core DUO и Intel I5,I7) имеют относительно большие L2 кеши и снабжены (опять же относительно) огромным L3 кеш, что позволяет этим процессорам гораздо реже обращаться к памяти, а в некоторых случаях программа целиком помещается в кеш процессора. Имя параметраОбозначениеОпределение CAS-латентностьCLЗадержка между отправкой в память адреса столбца и началом передачи данных. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти, когда нужная строка уже открыта. Row Address to Column Address DelayTRCDЧисло тактов между открытием строки и доступом к столбцам в ней. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти без активной строки TRCD + CL. Row Precharge TimeTRPЧисло тактов между командой на предварительный заряд банка (закрытие строки) и открытием следующей строки. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти, когда активна другая строка TRP + TRCD + CL. Row Active TimeTRASЧисло тактов между командой на открытие банка и командой на предварительный заряд. Время на обновление строки. Накладывается на TRCD. Обычно примерно равно сумме трх предыдущих чисел.
info-4all.ru
Тайминги. Какой лучше тайминг оперативной памяти 9-9-9-24 или 9-9-9-27? p\s можно рассказать подробно про Тайминги
Тайминг оперативной памяти - это время ее отклика, чем ниже - тем лучше.
Другое название этого термина — латентность, CAS Latency (CAS Latency = CL), то есть временная задержка сигнала. Обычно эти временные задержки так и называют — тайминги и для краткости записывают в виде: «2-2-2» (например) . Это записанные по порядку следующие параметры: CAS Latency, RAS to CAS Delay и RAS Precharge Time. Они могут принимать значения от 2 (линейка модулей памяти Kingston HyperX, OCZ) до 9. От них в значительной степени зависит пропускная способность участка «процессор-память» и, как следствие, быстродействие основных компонентов системы. Пример из практики: система с памятью на частоте 100 МГц с таймингами 2-2-2 обладает примерно такой же производительностью, как та же система на частоте 112 МГц, но с задержками 3-3-3. Другими словами, в зависимости от задержек, разница в производительности может достигать 10 %. Мера таймингов — такт. Таким образом, каждая цифра в формуле 2-2-2 означает задержку сигнала для обработки, измеряемая в тактах системной шины. Если указывается только одна цифра (например, CL2), то подразумевается только первый параметр, то есть CAS Latency. Остальные при этом не обязательно равны ему! Практика показывает, что обычно прочие параметры выше, а значит и память менее производительна (то есть это маркетинговый ход, в спецификации указать один тайминг, который не даёт представления о задержках памяти при выполнении иных операций) . Иногда формула таймингов для памяти может состоять из четырёх цифр, например 2-2-2-6. Последний параметр называется «DRAM Cycle Time Tras/Trc» и характеризует быстродействие всей микросхемы памяти. Он определяет отношение интервала, в течение которого строка открыта для переноса данных (tRAS — RAS# Active time), к периоду, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления ряда (tRC — Row Cycle time), также называемого циклом банка (Bank Cycle Time). Производители обычно снабжают свои чипы, на основе которых построена планка памяти, информацией о рекомендуемых значениях таймингов, для наиболее распространенных частот системной шины. Просмотреть эту информацию можно например программой CPU-Z. С точки зрения пользователя, информация о таймингах позволяет примерно оценить производительность оперативной памяти, до её покупки. Таймингам памяти поколения DDR придавалось большое значение, поскольку кеш процессора был относительно мал и программы часто обращались к памяти. Таймингам памяти поколения DDR3 уделяется гораздо меньшее внимания, поскольку современные процессоры (например Intel Core DUO и Intel I5,I7) имеют относительно большие L2 кеши и снабжены (опять же относительно) огромным L3 кеш, что позволяет этим процессорам гораздо реже обращаться к памяти, а в некоторых случаях программа целиком помещается в кеш процессора. Имя параметраОбозначениеОпределение CAS-латентностьCLЗадержка между отправкой в память адреса столбца и началом передачи данных. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти, когда нужная строка уже открыта. Row Address to Column Address DelayTRCDЧисло тактов между открытием строки и доступом к столбцам в ней. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти без активной строки — TRCD + CL. Row Precharge TimeTRPЧисло тактов между командой на предварительный заряд банка (закрытие строки) и открытием следующей строки. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти, когда активна другая строка — TRP + TRCD + CL. Row Active TimeTRASЧисло тактов между командой на открытие банка и командой на предварительный заряд. Время на обновление строки. Накладывается на TRCD. Обычно примерно равно сумме трёх предыдущих чисел.
какой тайминг лучше для озу 800мгц? 6 или 6-6-6-18
Как узнать тайминг ???по маркировке или КАК ???
"DDR3-1333 DDR3 SDRAM (9-9-9-24 @ 666 МГц) (8-8-8-22 @ 609 МГц) (7-7-7-20 @ 533 МГц) (6-6-6-17 @ 457 МГц)" не надо печалится просто тайминг в bios ставишь 8-10-10-23 и с666мгц поднимается без разгона 687мгц только не забудь охлаждение смастерить для оперативки.
<a rel="nofollow" href="https://otvet.mail.ru/profile/id95854542/" target="_blank">https://otvet.mail.ru/profile/id95854542/</a> поставь программу аида64 и смотри
touch.otvet.mail.ru
Обзор и тест комплекта оперативной памяти DDR3-1866 Kingston HyperX Fury HX318C10FK2/8 - Лаборатория
Оглавление
Вступление
Не стоит думать, что с выходом нового типа оперативной памяти DDR4, текущая DDR3 уйдет на покой. Ведь некоторое время новый стандарт будет уделом лишь энтузиастов. К тому же существующие технологии не позволят сразу выпустить быстрые, емкие и дешевые микросхемы. Возможно, придется подождать даже не один год. Вспоминаю, как сейчас, те славные времена, когда память DDR3 только появилась в продаже, и были представлены материнские платы с ее поддержкой.
Однако прошло изрядное количество времени, прежде чем она пришла в массовый сегмент, подешевела и стала основным стандартом, а DDR2 перешла в раздел устаревающего оборудования. Кстати, в те времена даже были модели системных плат под сокет Intel LGA 775, которые поддерживали как современную DDR3, так и старую DDR2. Но вот грянул Nehalem с новым процессорным ядром Bloomfield, и покупатели стали брать по три планки памяти потому, что количество каналов стало именно таким. Это событие можно смело назвать вехой в популяризации стандарта DDR3.
Почему он не был популярен на платформе Intel LGA 775? Все очень просто: существующие на тот момент технологии не позволяли создавать микросхемы, способные работать на частотах 3000 МГц. Лучшие планки памяти тогда могли демонстрировать что-то около 1600 МГц, но с более маленькими таймингами. И здесь кроется еще одна уловка. Частота может быть хоть 3500 МГц, но задержки могут быть настолько огромными, что производительность способна упасть ниже штатного режима. Поэтому иногда можно увидеть в прайс-листе, казалось бы, одну и ту же модель, но с разницей в единичку в параметре CL (Clock Latency), с отличающимся вдвое ценником. Немаловажную роль играет и стоимость памяти. Последняя уже достаточно давно участвует в торгах на фондовом рынке, и поэтому некоторые компании закупают ее у производителей впрок.
Компания Kingston – это очень крупный игрок на рынке оперативной памяти, учитывая тот факт, что она сама не производит микросхем. По сути, Kingston закупает их у разных сторонних изготовителей, делает печатные платы и подготавливает упаковку. Точно таким же образом поступают практически все известные и популярные бренды, например, Corsair, Geil, G.Skill, Mushkin и Transcend. Иногда даже кажется, что если компании Samsung, Hynix, Elpida и Micron сами будут представлять продукцию для энтузиастов, то предыдущий перечень вендоров долго на плаву не продержится, хотя в реальности все не так просто. Так, Kingston славится тем, что производит продукцию для очень обширного сегмента потребителей: она затрагивает и настольный, и серверный сегмент, и память для различных периферийных устройств типа принтеров.
Героем данного обзора станет комплект оперативной памяти DDR3-1866 Kingston HyperX Fury HX318C10FK2/8. Это не совсем новое решение, но оно представляет совершенно другой подход. В настоящее время Kingston выпускает доступную для всех без исключения покупателей память типа DDR3 с улучшенными частотными характеристиками. Еще буквально недавно такие модули стоили ощутимо дороже, а сейчас они продаются практически по той же цене, что и noname планки со стандартами JEDEC DDR3 1066 и 1333. Но теперь частоты выросли и составляют 1866 МГц.
Упаковка и комплектация
Линейка Kingston HyperX уже давно представлена на рынке, и за это время стала очень популярной. Секрет успеха прост как апельсин. Планки одевают в панцирь из двух радиаторов, повышают частоты, снижают тайминги, но самое главное – продают дешевле, чем конкурирующие фирмы просят за свои модули со схожими характеристиками.
Кстати, на протяжении всего этапа становления бренда HyperX радиаторы были окрашены в синий цвет. Бывали, конечно, исключения, но на этот раз фирма действительно решила разнообразить палитру цветов, и тем самым не только освежить линейку продукции, но и привлечь новых покупателей.
Теперь можно встретить модули в белых, красных, черных и синих радиаторах. В принципе, не хватает лишь желтого цвета, а вот зеленый уже застолбили за решениями серии HyperX LoVo с пониженным энергопотреблением.
По традиции упаковка встречает нас пластиковым блистером.
Как обычно, он не запаян по периметру, а состоит из двух половинок. Верхняя прозрачная и сквозь нее прекрасно видны сами модули. Другая представляет собой черный лоток, в углубление которого вставлены две планки. К слову сказать, это комплект из двух модулей по 4 Гбайта каждый.
Обе части скреплены белой бумажной наклейкой, на которой помимо логотипа компании находится маркировка и частичная информация о частоте и таймингах. Здесь же можно выяснить, что родиной данных изделий является Тайвань.
Сзади наклейка фиксируется, поэтому для открытия упаковки лучше всего разрезать ее с одного из боков.
Несмотря на то, что Fury переводится с английского как «Ярость» или «Неистовство», рассматриваемые планки памяти выглядят очень миролюбиво и привлекательно, возможно, из-за классической синей расцветки, а вот остальные цвета обеспечивают уже более агрессивный вид.
В данном случае комплект поставки не назовешь роскошным, но аналогичным оснащаются все модули памяти компании Kingston серии HyperX. Итак, перед нами оказывается наклейка на корпус и небольшой буклет о гарантии с инструкцией по установке. Здесь же указывается, что планки 100% протестированы и снабжены пожизненной гарантией.
Помните ситуацию, когда при демонтаже системы охлаждения модулей Crucial мне довелось ненароком сорвать микросхемы? Так вот, их без особых проблем заменили на аналогичные по гарантии, правда, перед этим все-таки пришлось поработать с суперклеем. О чем это говорит? Что правильная гарантия спасает пользователя от разных казусов, и в этом плане брендовая коробочная память выглядит предпочтительнее, нежели кустарный Hynix, который стоит не намного дешевле, а проблем приносит больше. Так, например, со встретившейся мне подделкой могли успешно работать только платформы Intel, а поскольку ранее при сборке было решено сэкономить и выбрать AMD, то промах был неминуем.
Дизайн и особенности модулей памяти
В комплекте идут два модуля по 4 Гбайта каждый. По современным меркам этого достаточно для большинства повседневных задач на домашнем или офисном компьютере. Поскольку современные процессоры обрастают большим количеством ядер, то актуальной становится возможность создания на базе одной физической машины нескольких виртуальных систем, которые позволят эффективно «съесть» все вычислительные ресурсы. Память им, кстати, тоже нравится, поэтому лично мне 8 Гбайт уже давно мало, и приходится использовать такую конфигурацию только для тестов. Разумеется, в модельном ряду производителя есть комплекты и по 16 Гбайт, но на тестирование прибыл более скромный вариант.
Каждый модуль памяти одет в систему охлаждения, которая состоит из двух пластин. В свою очередь они изготовлены из алюминиевого сплава, окрашены в синий цвет и снабжаются полоской теплопроводящего клеевого вещества посередине.
Стоит отметить, что микросхемы на печатной плате распаяны только с одной стороны, а с другой находится специальная вставка, к которой приклеен радиатор.
Кстати, обе части помимо клеевой основы скрепляются друг с другом с помощью специальных замков сверху.
Кроме этого, можно отметить, что каждая половинка с неоднородным тиснением, но зеркально отражается относительно печатной платы с двух сторон.
На одной стороне присутствует надпись Fury и гравировка HyperX.
С другой лишь ровная поверхность, но на ней можно увидеть бумажную наклейку с маркировкой.
Из полезной информации тут можно узнать лишь наименование модели и рабочее напряжение.
Как уже отмечалось выше, микросхемы памяти распаяны только с одной стороны печатной платы. Снять с них радиатор не составило никаких проблем, а вот с обратной стороны ничего не получилось, поскольку вставка длинная, гладкая и соприкасается со всей поверхностью клейкой ленты. При этом стоит учитывать, что печатная плата здесь все-таки не восьмислойная и достаточно гибкая. Во избежание повреждения модуля было решено не рисковать и прекратить попытки снятия радиатора с другой стороны после нескольких безуспешных подходов.
В случае с Kingston HyperX Fury HX318C10FK2/8 установлены микросхемы производства компании SKhynix с маркировкой H5TQ4G83MFR H9C.
Можно вспомнить, что на топовых планках Kingston HyperX KHX28C12T2K2/8X были микросхемы SKhynix H5TQ4G83MFR PBC.
С виду их отличия не очень значительны, но по факту они демонстрируют разный уровень частотного потенциала.
В середине печатной платы можно обнаружить микросхему SPD.
А больше ничего интересного и нет, поэтому пора переходить к тестированию.
overclockers.ru
