Память ддр 4: Что такое память DDR4? Более высокая производительность

Оперативная память DDR4 — Avtech.uz

Основное отличие DDR4 от предыдущего стандарта DDR3 заключается в удвоенном до 16 числе банков (в 2 группах банков, что позволило увеличить скорость передачи. Пропускная способность памяти DDR4 в перспективе может достигать 25,6 ГБ/c (в случае повышения максимальной эффективной частоты до 3200 МГц). Кроме того, повышена надёжность работы за счёт введения механизма контроля чётности на шинах адреса и команд. Изначально стандарт DDR4 определял частоты от 1600 до 2400 МГц с перспективой роста до 3200 МГц

Покупайте DDR4 ОЗУ в Avtech 

Мы принимаем оплату наличным и безналичным расчётом, а также через электронные платежи.

Сбросить фильтр

Прайс лист

Скачать прайс лист

  • Название
     

  • Цена
     

Sort by
—Price: Lowest firstPrice: Highest firstProduct Name: A to ZProduct Name: Z to A

  • KINGSTON 4GB DDR4L/2666

    Благодаря модулю памяти SODIMM DDR4-2666 4 ГБ от Kingston вы узнаете, на что действительно способен ваш компьютер.
    Высокопроизводительная память Kingston объемом 4 ГБ соответствует стандарту DDR4…

    345 000 сум

    С учётом НДС

    Купить

    В сравнение

    В желаемое

  • Оперативная память Kingston 4GB DDR4-2400 для ноутбуков

    Надежные модули памяти Kingston ValueRAM позволяют увеличить отклик системы и повысить производительность ресурсоемких программ. Страницы будут загружаться быстрее, а запуск новых приложений станет…

    501 600 сум

    С учётом НДС

    Приобретение в рассрочку: + 998 (71) 207–00–39

    Купить

    В сравнение

    В желаемое

  • Оперативная память Geil 4GB DDR4-2400

    GeIL – Golden Emperor Int’l Ltd. (Золотой император) – это ведущий мировой производитель модулей памяти и компьютерных комплектующих, который специализируется на разработке самых инновационных…

    726 000 сум

    С учётом НДС

    Приобретение в рассрочку: + 998 (71) 207–00–39

    Купить

    В сравнение

    В желаемое

  • Оперативная память HyperX Impact 8GB DDR4/2133

    Оптимизация под новейшие процессоры Intel и AMD
    Высокая производительность памяти SODIMM
    Функция автоматической настройки конфигурации для самостоятельного разгона
    Совместимые с Intel XMP. ..

    1 029 600 сум

    С учётом НДС

    Приобретение в рассрочку: + 998 (71) 207–00–39

    Купить

    В сравнение

    В желаемое

  • Оперативная память HyperX Predator 8GB DDR4/2666

    Агрессивный алюминиевый теплоотвод черного цвета
    Высокая частота и низкая латентность обеспечивают максимальную производительность памяти DDR4
    Профили Intel XMP оптимизированы для новейших. ..

    1 188 000 сум

    С учётом НДС

    Приобретение в рассрочку: + 998 (71) 207–00–39

    Купить

    В сравнение

    В желаемое

  • Оперативная память HyperX Predator RGB 16GB Kit (2x8GB) DDR4/3200

    Агрессивный алюминиевый теплоотвод черного цвета
    Высокая частота и низкая латентность обеспечивают максимальную производительность памяти DDR4
    Профили Intel XMP оптимизированы для новейших. ..

    1 650 000 сум

    С учётом НДС

    Приобретение в рассрочку: + 998 (71) 207–00–39

    Купить

    В сравнение

    В желаемое

  • Оперативная память HyperX Predator RGB 16GB DDR4/3200

    HyperX Predator RGB DDR4-3200 обеспечивает хорошее соотношение цены и комплекта на 32 ГБ, а его конфигурация 2 x 16 ГБ необходима для получения плат с двумя слотами до этой емкости

    1 716 000 сум

    С учётом НДС

    Приобретение в рассрочку: + 998 (71) 207–00–39

    Купить

    В сравнение

    В желаемое

  • Оперативная память HyperX Impact 16GB Kit (2x8GB) DDR4/2133 SODIMM

    Память Kingston HyperX Impact может похвастаться непревзойденной частотой для модулей So-Dimm. Память автоматически распознает платформу, на которой установлена, и автоматически разгоняется до…

    2 376 000 сум

    С учётом НДС

    Приобретение в рассрочку: + 998 (71) 207–00–39

    Купить

    В сравнение

    В желаемое

  • Оперативная память Geil 16GB DDR4-2400

    GeIL [GN416GB2400C16S] — память типа DDR4 с частотой в 2400 МГц обеспечит быструю и стабильную работу системы и высокую работоспособность в течение длительного времени. Предназначена для установки…

    2 904 000 сум

    С учётом НДС

    Приобретение в рассрочку: + 998 (71) 207–00–39

    Купить

    В сравнение

    В желаемое

  • Оперативная память HyperX Predator RGB 32GB Kit (2x16GB) DDR4/3200

    Хорошее качество
    Хорошая производительность XMP
    Отличная разогнанная производительность
    ИК-синхронизированный RGB
    Совместим с ведущими утилитами RGB на материнской плате


    Для управления RGB. ..

    2 970 000 сум

    С учётом НДС

    Приобретение в рассрочку: + 998 (71) 207–00–39

    Купить

    В сравнение

    В желаемое

Showing 1 — 13 of 13 items

Память DDR-4 на 4 Гб

ГлавнаяКомплектующиеПамятьПамять DDR-4 на 4 Гб


Сортировать по ценеСортировать по названию


Сначала дешевыеСначала дорогие


Фильтровать по производителюA-DataAmdApacerCorsairExegateHikvisionKIMTIGOKINGSPECKingstonNeo ForzaNetacQumoSamsungSilicon PowerПрочее


Модуль памяти Kingston DDR4 DIMM 4GB KVR32N22S6/ 4 PC4-25600, 3200MHz, CL22 		1702525Склад2 950

Модуль памяти AMD DDR4 DIMM 4GB R744G2606U1S-UO PC4-21300, 2666MHz 		1821184Заказ 10. 12.22840

Память DDR4 4Gb 2666MHz Kimtigo KMKU4G8582666 RTL PC4-21300 CL19 DIMM 288-pin 1.2В single rank 		1830419Заказ 10.12.22870

Память DDR4 4Gb 2666MHz Hikvision HKED4041BAA1D0ZA1/ 4G RTL PC4-21300 CL19 DIMM 288-pin 1.2В 		1848201Заказ 10.12.22890

Модуль памяти Apacer DDR4 DIMM 4GB EL.04G2V.KNH PC4-21300, 2666MHz 		1675440Заказ 10.12.22900

Память DDR4 4Gb 2666MHz Kingspec KS2666D4P12004G RTL PC4-21300 CL19 DIMM 288-pin 1.2В single rank 		1742103Заказ 10.12.22925

Память DDR4 4Gb 3200MHz Kingspec KS3200D4P12004G RTL PC4-25600 DIMM 288-pin 1. 2В single rank 		1742105Заказ 10.12.22925

Память DDR4 4Gb 2666MHz AMD R744G2606U1S-U Radeon R7 Performance Series RTL PC4-21300 CL16 DIMM 288-pin 1.2В 		333704Заказ 10.12.22925

Память DDR4 4Gb 2666MHz Netac NTBSD4P26SP-04 Basic RTL PC4-21300 CL19 DIMM 288-pin 1.2В single rank 		1740125Заказ 10.12.22960

Модуль памяти QUMO DDR4 DIMM 4GB QUM4U-4G2133C15 PC4-17000, 2133MHz 		1330427Заказ 10.12.221 015

Память DDR4 4Gb 2666MHz Silicon Power SP004GBLFU266N02 RTL PC4-21300 CL19 DIMM 260-pin 1.2В single rank 		1840323Заказ 10. 12.221 030

Модуль памяти Corsair AMD DDR4 DIMM 4GB R744G2400U1S-UO PC4-19200, 2400MHz 		1511955Заказ 10.12.221 035

Память DDR3L 4Gb 1600MHz A-Data ADDX1600W4G11-SPU Premier RTL PC3L-12800 CL11 DIMM 240-pin 1.35В dual rank 		1839886Заказ 10.12.221 040

Модуль памяти QUMO DDR4 DIMM 4GB QUM4U-4G2400C16 PC4-19200, 2400MHz 		1463528Заказ 10.12.221 110

Модуль памяти QUMO < QUM4U-4G2400C16> DDR4 DIMM 4Gb < PC4-19200> CL16 		363955Заказ 10.12.221 140

Модуль памяти QUMO DDR4 DIMM 4GB QUM4U-4G2666C19 PC4-21300, 2666MHz OEM/ RTL 		1621591Заказ 10. 12.221 150

Модуль памяти ADATA < AD4U26664G19-SGN> DDR4 DIMM 4Gb < PC4-21300> 		533731Заказ 10.12.221 280

Модуль памяти ExeGate Value < EX283084RUS> DDR4 DIMM 4Gb < PC4-19200> 		449015Заказ 10.12.221 315

Память DDR4 4Gb 2400MHz AMD R744G2400U1S-UO Radeon R7 Performance Series OEM PC4-19200 CL16 DIMM 288-pin 1.2В 		1007256Заказ 10.12.221 370

Модуль памяти ExeGate Value < EX283081RUS> DDR4 DIMM 4Gb < PC4-21300> 		445611Заказ 10.12.221 525

Модуль памяти Neo Forza < NMUD440D82-2400EA10> DDR4 DIMM 4Gb < PC4-19200> CL17 		397401Заказ 10. 12.221 530

Модуль памяти Neo Forza < NMUD440D82-2666EA10> DDR4 DIMM 4Gb < PC4-21300> CL19 		397404Заказ 10.12.221 530

Модуль памяти Kingston DDR4 DIMM 4GB KVR26N19S6/ 4 PC4-21300, 2666MHz, CL19 		1608950Заказ 10.12.221 550

Модуль памяти Original SAMSUNG < M378A5244CB0-CTD> DDR4 DIMM 4Gb < PC4-21300> 		399176Заказ 10.12.221 705

Модуль памяти TeamGroup Elite < TED44G2666C1901> DDR4 DIMM 4Gb < PC4-21300> CL19 		442928Заказ 10.12.221 775

Модуль памяти Original SAMSUNG < M378A5244CB0-CWE> DDR4 DIMM 4Gb < PC4-25600> 		488741Заказ 10. 12.222 115

Модуль памяти Corsair Value Select < CMV4GX4M1A2666C18> DDR4 DIMM 4Gb < PC4-21300> 		437018Заказ 10.12.222 510

Модуль памяти Kingston Fury Beast < KF432C16BB/ 4> DDR4 DIMM 4Gb < PC4-25600> CL16 		524107Заказ 10.12.222 705

DDR4 SDRAM

DDR4 SDRAM

DDR4 — это лучшее поколение технологии DRAM с новыми функциями, ориентированными на энергосбережение, повышение производительности, технологичность и повышение надежности. Эти новые функции повышают производительность, мощность, технологичность, надежность и возможности стекирования для корпоративного, облачного, сверхтонкого, планшетного, автомобильного и встраиваемого рынков. Со скоростью передачи данных до 3200 МТ/с, рабочим напряжением 1,2 В и дополнительными функциями энергосбережения; DDR4 повышает производительность до 50 %, обеспечивая при этом общую экономию энергии до 25 % по сравнению с DDR3.

Плотность

Выберите плотность

  • 4 ГБ
  • 8 ГБ
  • 16 ГБ
  • 32 ГБ
  • 64 ГБ

Диапазон: 4–64 ГБ

  • Ширина

    х4, х8, х16

  • Напряжение

    1,2 В

  • Пакет

    ФБГА, ТФБГА

  • Тактовая частота

    1200 МГц, 1333 МГц, 1600 МГц

  • Оп. Темп.

    от 0°С до +95°С, от -40°С до +95°С, от -40°С до +105°С, от -40°С до +125°С

  • Ширина

    х4, х8, х16

  • Напряжение

    1,2 В

  • Пакет

    ФБГА, ТФБГА

  • Тактовая частота

    1200 МГц, 1333 МГц, 1600 МГц

  • Оп. Темп.

    от 0°С до +95°С, от -40°С до +95°С, от -40°С до +105°С, от -40°С до +125°С

  • Ширина

    х4, х8, х16

  • Напряжение

    1,2 В

  • Пакет

    ФБГА, ТФБГА

  • Тактовая частота

    1200 МГц, 1333 МГц, 1466 МГц, 1600 МГц, 1866 МГц

  • Оп. Темп.

    от 0°С до +95°С

  • Ширина

    х 4

  • Напряжение

    1,2 В

  • Пакет

    ТФБГА

  • Тактовая частота

    1333 МГц, 1600 МГц, 1866 МГц

  • Оп. Темп.

    от 0°С до +95°С

  • Ширина

    х 4

  • Напряжение

    1,2 В

  • Пакет

    ТФБГА

  • Тактовая частота

    1600 МГц

  • Оп. Темп.

    от 0°С до +95°С

DDR4 SDRAM Каталоги

Посмотреть каталог деталей 4GbПосмотреть каталог деталей 4Gb DDR4 SDRAM

Посмотреть полный каталог
Посмотреть полный каталог деталей DDR4 SDRAM

Ресурсы

Быстрый поиск
  • Брифинг/флаер (9)
  • Руководство по совместимости (8)
  • Техническое примечание (7)

Искать по всем

Все проблемы и преимущества проектирования — Rambus

Последнее обновление: 7 сентября 2022 г.  14 июля th , 2021, JEDEC объявила о публикации стандарта JESD79-5 DDR5 SDRAM, сигнализирующего о переходе отрасли на серверные и клиентские двухрядные модули памяти DDR5 (DIMM). Память DDR5 обеспечивает ряд ключевых преимуществ производительности, а также новые проблемы проектирования. Архитекторы вычислительных систем, дизайнеры и покупатели хотят знать, что нового в DDR5 по сравнению с DDR4 и как они могут получить максимальную отдачу от этого нового поколения памяти.

В этой статье:
    • Какие изменения в DDR5 по сравнению с DDR4?
    • Каковы проблемы проектирования DDR5?
    • Как наборы микросхем интерфейса памяти DDR5 используют преимущества DDR5 для модулей DIMM?

Производительность: что изменилось в DDR5 и DDR4 DRAM?

Семь наиболее значительных улучшений технических характеристик, достигнутых при переходе с модулей DIMM DDR4 на DDR5, показаны в Таблице 1 ниже.

Таблица 1. Изменения и преимущества памяти DDR5 по сравнению с модулями DIMM DDR4

1. DDR5 масштабируется до 8,4 ГТ/с

У вас никогда не будет достаточной пропускной способности памяти, и DDR5 помогает удовлетворить эту ненасытную потребность в скорости. В то время как модули DIMM DDR4 обеспечивают максимальную скорость передачи 3,2 гигапередачи в секунду (ГТ/с) при тактовой частоте 1,6 гигагерца (ГГц), начальные модули DIMM DDR5 обеспечивают увеличение пропускной способности на 50% до 4,8 ГТ/с. Память DDR5 в конечном итоге масштабируется до скорости передачи данных 8,4 ГТ/с. Новые функции, такие как Decision Feedback Equalization (DFE), были включены в DDR5, обеспечивая более высокие скорости ввода-вывода и скорости передачи данных.

2. Более низкое напряжение обеспечивает управляемость энергопотреблением

Вторым важным изменением является снижение рабочего напряжения (VDD), которое помогает компенсировать увеличение мощности, связанное с работой на более высокой скорости. При использовании DDR5, DRAM, напряжение регистрирующего тактового драйвера (RCD) падает с 1,2 В до 1,1 В. Сигнализация команды/адреса (CA) изменена с SSTL на PODL, что дает преимущество в том, что при отключенных контактах не сжигается статическая энергия. припаркован в высоком состоянии.

3. Новая архитектура питания для модулей DIMM DDR5

Третье и самое важное изменение — это архитектура питания. В модулях DIMM DDR5 управление питанием переносится с материнской платы на сам модуль DIMM. Модули DIMM DDR5 будут иметь 12-вольтовую микросхему управления питанием (PMIC) на DIMM, обеспечивающую лучшую детализацию загрузки системы. PMIC распределяет питание VDD 1,1 В, помогая с целостностью сигнала и уровнем шума, а также улучшая управление блоком питания на модулях DIMM.

4. Архитектура каналов DDR5 и DDR4

Еще одно важное изменение в DDR5, номер четыре в нашем списке, — это новая архитектура каналов DIMM. Модули DIMM DDR4 имеют 72-битную шину, состоящую из 64 битов данных и восьми битов ECC. В DDR5 каждый модуль DIMM будет иметь два канала. Каждый из этих каналов будет иметь ширину 40 бит: 32 бита данных с восемью битами ECC. В то время как ширина данных одинакова (всего 64 бита) с двумя меньшими независимыми каналами повышает эффективность доступа к памяти . Таким образом, вы не только получаете преимущество от «лежачего полицейского» с DDR5, но и от того, что более высокая скорость передачи MT/s усиливается за счет большей эффективности.

В архитектуре DDR5 DIMM левая и правая стороны модуля DIMM, каждый из которых обслуживается независимым 40-битным каналом, совместно используют RCD. В DDR4 RCD обеспечивает два выходных тактовых сигнала на сторону. В DDR5 RCD обеспечивает четыре выходных тактовых сигнала на сторону. В модулях DIMM самой высокой плотности с x4 DRAM это позволяет каждой группе из 5 DRAM (одноранговых, полуканальных) получать свои собственные независимые часы. Предоставление каждому рангу и полуканалу независимых тактовых импульсов улучшает целостность сигнала, помогая решить проблему более низкого запаса шума, возникающую при снижении VDD (из изменения № 2 выше).

5. Увеличенная длина пакета

Пятое важное изменение — длина пакета. Длина пакетной передачи DDR4 составляет четыре, а длина пакетной передачи — восемь. Для DDR5 количество прерываний и длина пакетов будут увеличены до восьми и шестнадцати, чтобы увеличить полезную нагрузку. Длина пакета шестнадцать (BL16) позволяет одному пакету получить доступ к 64 байтам данных, что является типичным размером строки кэша ЦП. Это можно сделать, используя только один из двух независимых каналов. Это обеспечивает значительное улучшение параллелизма, а при использовании двух каналов — большую эффективность использования памяти.

6. DDR5 поддерживает DRAM большей емкости

Шестое изменение, которое следует отметить, — это поддержка DDR5 устройств DRAM большей емкости. С модулями DIMM с буферной микросхемой DDR5 разработчик серверов или систем может использовать модули DRAM емкостью до 64 Гбит/с в корпусе с одним кристаллом. Максимальный объем памяти DDR4 составляет 16 Гб DRAM в однокристальном корпусе (SDP). DDR5 поддерживает такие функции, как ECC на кристалле, режим прозрачности ошибок, восстановление после упаковки, а также режимы чтения и записи CRC для поддержки DRAM большей емкости. Влияние устройств большей емкости, очевидно, проявляется в модулях DIMM большей емкости. Таким образом, в то время как модули DIMM DDR4 могут иметь емкость до 64 ГБ (с использованием SDP), модули DIMM на основе DDR5 SDP увеличивают эту емкость в четыре раза до 256 ГБ.

7. Более интеллектуальный модуль DIMM с памятью DDR5

В наборе микросхем DIMM сервера DDR5 микросхема SPD DDR4 заменена на микросхему концентратора SPD, а также добавлены две микросхемы датчика температуры (TS). Концентратор SPD имеет встроенный TS, который в сочетании с двумя дискретными TS IC обеспечивает три точки тепловой телеметрии от RDIMM.

В DDR5 коммуникационная шина между чипами обновляется до I3C, работающей в 10 раз быстрее, чем шина I2C, используемая в DDR4. Концентратор DDR5 SPD обеспечивает обмен данными между модулем и контроллером управления основной платой (BMC). Используя более быстрый протокол I3C, концентратор DDR5 SPD сокращает время инициализации и поддерживает более высокую скорость опроса и управления в реальном времени.

Информация о температуре, передаваемая из концентратора SPD на BMC, может использоваться для управления скоростью охлаждающего вентилятора. Частотой обновления DRAM теперь можно более точно управлять, чтобы обеспечить более высокую производительность или большее время хранения, а если RDIMM работает слишком сильно, пропускную способность можно регулировать по мере необходимости, чтобы снизить тепловую нагрузку.

 

Каковы проблемы проектирования DDR5?

Эти изменения в DDR5 вводят ряд конструктивных соображений, связанных с более высокими скоростями и более низкими напряжениями, что поднимает новый уровень проблем с целостностью сигнала. Разработчикам необходимо убедиться, что материнские платы и модули DIMM могут обрабатывать более высокие скорости передачи данных. При моделировании на уровне системы необходимо проверять целостность сигнала во всех местах DRAM.

Для моделей DDR4 основные проблемы с целостностью сигнала были связаны с шиной DQ с двойной скоростью передачи данных, при этом меньше внимания уделялось низкоскоростной шине командного адреса (CA). Для конструкций DDR5 даже шина условного доступа требует особого внимания для обеспечения целостности сигнала. В DDR4 рассматривалось использование компенсации дифференциальной обратной связи (DFE) для улучшения канала данных DQ. Но для DDR5 приемникам шины CA RCD также потребуются опции DFE для обеспечения хорошего приема сигнала.

Сеть подачи питания (PDN) на материнской плате — еще одно соображение, включая модули DIMM с PMIC. Принимая во внимание более высокие тактовые частоты и скорости передачи данных, вы должны убедиться, что PDN может справиться с нагрузкой при работе на более высокой скорости, с хорошей целостностью сигнала и с хорошими источниками питания для модулей DIMM.

Разъемы DIMM между материнской платой и модулем DIMM также должны поддерживать новые частоты и скорость передачи данных. Для системного разработчика, при более высоких тактовых частотах и ​​скоростях передачи данных вокруг печатной платы (PCB), больше внимания должно уделяться проектированию системы для обеспечения электромагнитных помех и совместимости (EMI и EMC).

Как наборы микросхем интерфейса памяти DDR5 используют преимущества DDR5 для модулей DIMM?

Хорошей новостью является то, что микросхемы интерфейса памяти DDR5 улучшают целостность сигналов команд и адресных сигналов, отправляемых с главного контроллера памяти на модули DIMM. Шина для каждого из двух каналов идет к RCD, а затем разветвляется на две половины модуля DIMM. RCD эффективно снижает нагрузку на шину CA, которую видит хост-контроллер памяти.

Расширенный набор микросхем, включая концентратор SPD и TS, позволяет использовать более интеллектуальные модули DIMM, которые могут работать с более высокими скоростями передачи данных DDR5, оставаясь при этом в пределах желаемого энергопотребления и теплового диапазона.

Читайте также: