Оперативная память какие тайминги лучше: Как выбрать оперативную память и не ошибиться? Топ-5 планок по версии Игромании — Игромания

Что такое тайминги оперативной памяти

Наверх

29.04.2022

Автор: Дмитрий Мухарев

1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд

Тайминги оперативной памяти: разбираемся, какие значения лучше

3

5

1

83

Разбираемся в том, что такое тайминги оперативной памяти и какое значение они имеют.

От скорости работы оперативной памяти во многом зависит быстродействие всего компьютера, поэтому и ее выбор не менее важен, чем покупка «правильного» процессора или материнской платы. Ну а среди важнейших параметров любой оперативки выделяются частота и тайминги. Но если с первой все понятно, то тайминги для многих остаются темным лесом. Сегодня мы расскажем, что скрывается за этим непонятным набором циферок, и какое значение он имеет.

Содержание

• Что такое тайминги
• Какие тайминги бывают
• Как узнать тайминги ОЗУ
• Как правильно выбрать самую быструю оперативную память

Если говорить очень простым языком, оперативная память представляет собой массивы с двухмерной таблицей, в ячейках которой хранится нужная информация. А массивы с ячейками одинакового размера, в свою очередь, объединяются в так называемые банки.

Для выполнения любой операции с данными из этой таблицы контроллеру и чипу памяти требуется определенное число тактовых циклов шины памяти. Ну а тайминг — это и есть число таких циклов, или число циклов на которое запоздает выполнение определенной операции с памятью. Отсюда и само название — тайминг или задержка.

• Покупка

  Как выбрать оперативную память: разбираемся в нюансах

Собственно, именно поэтому две оперативной памяти с одинаковой частотой, но разными таймингами будут работать по-разному, причем наиболее быстрой окажется память именно с меньшей задержкой.

Каждую операцию с оперативной памятью можно разбить на несколько этапов. Поэтому в характеристиках любой планки ОЗУ указывается несколько таймингов — задержек, которые возникают на определенном этапе работы с памятью. Числа таймингов указывают на выполнение следующих операций:

CL: CAS Latency – число тактов, которое проходит с отправки запроса в память до начала ответа на него.
tRCD: RAS to CAS Delay – количество тактов, которое требуется контроллеру для активации нужной строки банки.
tRP: RAS Precharge – число тактов для заряда и закрытия одной строки, после чего становится возможна активация следующей строки.
tRAS: Row Active Time — минимальное число тактов, в течение которого строка будет активна. Она не может быть закрыта раньше этого времени.

Все эти тайминги указываются в параметрах оперативной памяти именно в том порядке, который мы привели. Возьмем, к примеру, оперативную память Patriot Memory VIPER STEEL DDR4-3733 CL-17 21-21-41. Мы видим, что она относится к типу DDR4 и работает на тактовой частоте 3733 МГц. Ей требуется 17 тактов для начала ответа на поступивший запрос (CL). Активация нужной строки занимает 21 такт (tRCD) и столько же циклов уходит на ее закрытие и активацию следующей строки (tRP). Причем сама строка может быть закрыта не раньше чем через 41 такт (tRAS).

Как вы видите, каждая цифра в названии оперативной памяти имеет свое значение. И, разобравшись в этом, вы легко сможете подобрать самую подходящую для вас оперативку.

• Покупка

  5 оптимальных вариантов оперативной памяти для разгона

Значения таймингов оперативной памяти можно посмотреть на ее странице в любом мало-мальски уважающем себя магазине или на сайте производителя. Если же вы хотите увидеть характеристики уже установленной у вас памяти, вы можете воспользоваться CPU-Z или аналогичными утилитами.

Если кратко, то частота оперативной памяти важнее таймингов, но при одинаковой частоте наиболее быстрой окажется оперативка с меньшей задержкой. Собственно, именно на основе этого и стоит подбирать самые подходящие для вас планки ОЗУ. В общем виде этот алгоритм выглядит так:

1. Определитесь с типом оперативки, которую поддерживает ваш компьютер — DDR3, DDR4, DDR5 и т.д.
2. Определитесь с нужным вам объемом памяти.
3. Узнайте, какую частоту ОЗУ поддерживают процессор и материнская плата вашего ПК.
4. Подберите планки оперативки, работающие на максимально доступной для вашего компьютера частоте.
5. Среди этих планок выберите модели с минимальными таймингами.

Читайте также

• Как выбрать оперативную память: разбираемся в нюансах
• Выжимаем соки из ПК: разгон памяти

Теги

оперативная память

Автор

Дмитрий Мухарев

Была ли статья интересна?

Поделиться ссылкой

Нажимая на кнопку «Подписаться»,
Вы даете согласие на обработку персональных данных

Рекомендуем

Реклама на CHIP
Контакты

что это, как поменять — гайд в 4 разделах

Что такое — тайминг оперативной памяти? На что он влияет и как его определить? Информация — в статье. Здесь также есть инструкция, которая поэтапно показывает, как это значение можно изменить.

Как работает оперативная память

Ее функционирование тесно связано с CPU и информационными носителями. Данные с жесткого диска или другого накопителя первоначально попадают в оперативную память и только после их обрабатывает ЦП.

Структура оперативки похожа на таблицу, где сперва выбирается строчка, а после — столбец. Она делится на банки — ячейки SDRAM. Например, современные варианты DDR4 отличаются от DDR3 удвоенным числом банков. За счет растет производительность. Быстрота DDR4 достигает 25,6 ГБ/c, при этом шина может функционировать на 3200 МГц.

В тему: Что такое оперативная память компьютера, на что она влияет: ответы на 6 популярных вопросов

Что такое тайминги в оперативной памяти, расшифровка

Это значения, отражающие время, за которое обрабатываются данные. Показатели выглядят как три числа, идущие по порядку. Каждое число — временной отрезок, который измеряется в тактах шины.

Следует разобраться с аббревиатурами CAS и RAS. Последние две буквы означают Address Strobe — строб-сигнал адреса. Только в первом случае это про колонку (Column), а во втором — про строку (Row).

CAS Latency

Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание.

RAS-CAS

Указывает на число тактов, которое занимает получение доступа к RAM и активации строки, а потом — колонки, которая содержит необходимое инфо, и команды на считывание данных или же их запись.

Полезно: Что делать, если Windows не видит всю ОЗУ: 4 причины и пути решения

RAS Precharge 

Поскольку ОЗУ — динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ.

Таким образом, показатель RAS Precharge в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку — регенерацию ОЗУ — и разрешением на доступ к следующей строчке информации.

Row Active

Означает время, которое активна одна табличная строчка перед тем, как данные считаются или запишутся.

Примечание: в некоторых случаях может быть использован Command Rate. Он показывает, сколько времени тратится на инфообмен между RAM и ее контроллером. Как правило, это занимает один или два такта.

Пригодится: Как проверить оперативную память в Windows 10: 2 способа

На что влияют тайминги

Если кратко — на скорость, с которой считывается информация, и быстроту инфообмена между планкой и процессором. Естественно, это воздействует и на быстроту функционирования компьютера в целом.

Чем ниже тайминг, тем выше производительность, тем скорее ЦП получает доступ к банкам.

Как узнать тайминг оперативной памяти

Эти данные, как и прочую полезную информацию, можно узнать, посмотрев на сам модуль ОЗУ. Обычно они прописаны на наклейке. Тайминги указываются числовыми значениями. Иногда на маркировке написана полная информация о латентности RAM, а в некоторых вариантах — только CL задержка. При необходимости все тайминги можно посмотреть на сайте изготовителя планки, вбив в поиск номер модели.

Совет: при замене или установке дополнительных модулей ОЗУ в систему рекомендуется ставить планки комплектом, например, 2 штуки по 8 Гб. Таким образом можно будет активировать двухканальный режим работы памяти, что ускорит всю систему. Но при этом важно, чтобы показатели обеих планок были идентичными. Благодаря этому удастся избежать конфликтов между устройствами, которые препятствуют стабильной работе компьютера.

Узнайте: Как увеличить оперативную память (RAM) ноутбука в 5 шагов: способы и советы

Как настроить тайминги оперативной памяти

Как только пользователь установит планки и включит компьютер, БИОС автоматически узнает частотные показатели и тайминги. Однако смена настроек оперативы может положительно повлиять производительность лэптопа, ПК.

Подсистема предоставляет довольно широкие возможности для манипуляций с параметрами планок. Впрочем, число доступных для редактирования параметров ОЗУ может существенно отличаться для разных материнских плат, даже если их чипсеты идентичны.

По этому признаку их можно поделить на модели с:

1. Минимальными возможностями изменения настроек: поддерживается возможность установки частоты модулей и одного-двух таймингов. Возможности разгона ощутимо ограничены. Подобное явление — норма для вариантов бюджетного уровня класса H для INTEL и А для AMD.
2. Поддержкой редактирования базовых параметров — можно поменять частоту, основные тайминги. Это стандарт для большинства материнок класса B.
3. Расширенными возможностями (маркируются как Z и X): предоставляют пользователю доступ к редактированию максимума параметров.

Предупреждение! Менять значения лучше постепенно: по полшага за раз. Действовать необходимо осторожно, иначе можно повредить оперативу.

Примечание: лучше всего разгон переносят варианты с радиаторами, которые поддерживают XMP.

Дополнение: Как настроить оперативную память в БИОСе: инструкция в 4 простых разделах

Чем короче тайминги, тем лучше. Если изначально они не такие маленькие, как хотелось бы, их можно поменять, поколдовав немного в BIOS. Главное — делать все не спеша и после любой перемены проверять работоспособность.
 

Память ПК 101: понимание частоты и таймингов — Tom’s Hardware

(Изображение предоставлено Shutterstock)

Покупка памяти может быть простым процессом для тех, кто не хочет много думать об этом. Упрощенный процесс сводится к выбору емкости, которую вы хотите, и принятию того, что кто-то другой хочет вам продать, будь то через онлайн-конфигуратор или через продавца в магазине. И если вам нужна помощь в принятии решения о том, сколько оперативной памяти вам нужно, мы также можем помочь в этом вопросе. Но если коротко, то для большинства пользователей и геймеров 16 ГБ — это самое оптимальное место.

Но компания Tom’s Hardware всегда стремилась к максимальной производительности, не забывая при этом о стоимости — вот почему мы занимаемся разгоном. Что касается памяти, именно поэтому мы часто рекомендуем комплекты от торговых посредников (VARS), таких как Patriot, G.Skill, Adata и других, которые хотят, чтобы вы выбрали их продукт из-за его лучшего соотношения производительности и цены. Вы можете найти наши любимые комплекты оперативной памяти на нашей странице «Лучшая память» и прочитать наши подробные обзоры, чтобы увидеть результаты наших тестов и то, как мы решаем, какие флешки являются лучшими.

Но для тех, кто не покупал память раньше или не делал этого с тех пор, как закончились устойчивые скачки цен в последние несколько лет, понимание основ памяти является ключом к пониманию того, что искать в наборе. Эти ключевые термины также помогут вам понять, почему одна модель работает лучше или хуже другой, даже если обе они имеют одинаковую емкость и заявленные тактовые частоты.

Назад к основам

(Изображение предоставлено Corsair)

Сегодня мы сосредоточимся на памяти DDR4, потому что именно она стандартизировалась в отрасли за последние четыре или пять лет. Большинство терминов, которые мы используем сегодня, также применимы к предыдущим поколениям памяти. Но если вы не работаете с системой, которой уже несколько лет, вы, вероятно, будете иметь дело с DDR4.

• DIMM означает двухрядный модуль памяти: современные модули DIMM имеют два 64-битных интерфейса, по одному с каждой стороны, и обычно продаются либо как модули UDIMM (также известные как DIMM, длинные модули DIMM и т. д.) для настольных ПК, либо как модули SODIMM (маленький контур). DIMM) для ноутбуков. В некоторых компактных системных платах для настольных ПК используются модули SODIMM, как правило (но не исключительно), чтобы освободить место для четырех модулей на материнской плате, которая в противном случае могла бы поддерживать только два.

• SDRAM означает синхронную динамическую оперативную память. Организованная в строках и столбцах ячеек аналогично электронной таблице (или очень большой таблице), оперативная память может обращаться к любой из этих ячеек в любом порядке, указанном контроллером памяти. Random просто означает, что контроллеру памяти не нужно читать всю строку, чтобы проанализировать данные из соответствующего столбца. Динамический означает, что каждая из ячеек должна постоянно обновляться, чтобы предотвратить потерю данных, в отличие от статической памяти, которая обычно намного медленнее. Вся память в системе синхронизируется внешним тактовым генератором.

• Скорость передачи данных — это количество раз в секунду (частота), которое модуль отправляет и получает данные. Тактовые сигналы напоминают прямоугольную волну, а двойная скорость передачи данных просто означает, что данные передаются как по переднему, так и по заднему фронту тактового сигнала. Удвоение скорости передачи данных таким образом позволяет (например) волне 1600 МГц передавать данные 3200 раз в секунду. Поскольку частота передачи данных DDR вдвое превышает тактовую частоту, ее часто называют термином MT/s (мегапередачи в секунду).

• DDR4 — это четвертое поколение памяти с удвоенной скоростью передачи данных, где каждое поколение добавляло частоту, емкость и некоторые другие характеристики к базовому стандарту.

• IC или интегральная схема — это термин, обозначающий то, что большинство конечных пользователей называют «микросхемами». ИС DRAM обычно имеет восьмибитный интерфейс, хотя некоторые из них имеют 16-битный интерфейс.

• Ранг — это термин, который индустрия памяти выбрала для обозначения того, что большинство из нас считает банками или сторонами модуля памяти. Исходя из приведенного выше термина «DIMM», ранг — это набор ИС, который подключается к одному из двух 64-битных интерфейсов модуля.

Скорость передачи данных: чем быстрее, тем лучше (обычно)

Неудивительно, что более высокие скорости передачи данных позволяют передавать больше данных в единицу времени, но существуют пределы того, что может поддерживать контроллер памяти. Большинство современных высокопроизводительных процессоров для настольных ПК могут работать с DDR4-3600, а некоторые ограничения скорости искусственно навязываются для обеспечения сегментации рынка. материнская плата более высокого класса), если вам также нужна более быстрая память.

• Процессоры AMD Ryzen серии 3000 могут работать с памятью быстрее, чем DDR4-3600, но компания закодировала ограничения в базовой прошивке, из-за которых контроллер памяти работает на половинной скорости, а другие части ввода-вывода ЦП работают на меньшее соотношение при превышении DDR4-3600. Наш первоначальный обзор Trident Z RGB DDR4-3600 от G.Skill показал, что производительность упала при настройке DDR4-3733, поскольку ограничения контроллера AMD по умолчанию уменьшили эти отношения, но повторное тестирование показало, что производительность улучшилась при DDR4-3733, когда эти ограничения были отключены.

• Более ранние процессоры Ryzen серии 2000 обычно могли работать как минимум с памятью DDR4-3467 без сбоев, но более высокие частоты вызывают шум (часто в виде перекрестных помех сигнала) и пути между сокетом ЦП и модулями DIMM некоторых плат. не справились с задачей. Если вы используете процессор младшей модели или что-то меньшее, чем материнская плата X470, мы рекомендуем ознакомиться с выводами других пользователей, прежде чем покупать что-либо быстрее, чем DDR4-2933.

• Процессоры Intel LGA 1151 имеют контроллеры памяти, стабильные намного выше DDR4-3600, но фирма нашла способ получить не-Z-серии наборов микросхем , чтобы проинструктировать любой ЦП (даже серии K) блокировать более высокие коэффициенты. Мы также столкнулись с более высоким коэффициентом блокировки прошивки, чем DDR4-2400, при использовании Core i3-8350K на Z370, который мы использовали в качестве базового уровня в нашем первоначальном обзоре h470/B360. Самый простой способ превзойти DDR4-2666 на любом из этих аппаратных средств — использовать набор микросхем серии Z (Z390, Z370, Z270) с процессором Core i5 серии K или выше.

• Контроллер памяти Intel работает на частоте 100 или 133 МГц, кратно 200 или 266,6 МГц в целочисленных соотношениях. Меньшие множители памяти, как правило, более стабильны, особенно на старых платформах, таких как Z270, поэтому DDR4-3467 (13x 266,6 МГц) может быть более стабильным, чем DDR4-3400 (17x 200 МГц), а также работать лучше.

Короче говоря, процессор Ryzen серии 3000 должен полностью поддерживать DDR4-3600 при отсутствии проблем, связанных с материнской платой, процессор Core i5 или Core i7 серии K должен поддерживать DDR4-3600 при правильной установке спроектированной материнской платой Z390 или Z370, и любые вопросы, касающиеся возможностей конкретной материнской платы, следует решать либо в обзорах, либо на форумах пользователей. Меньшие платы и наборы микросхем могут иметь меньшие ограничения, которые также рассматриваются в обзорах материнских плат и на форумах пользователей.

Но, может быть, вам лучше что-то с меньшей задержкой?

Задержка: лучше чем меньше через десятилетия: как обычная планка PC-100, так и рядовой набор DDR4-3200 имеют задержку CAS 10 нс.

Но как это возможно? Понимая, что ячейки памяти располагаются столбцами и строками, давайте рассмотрим, как определяются первичные тайминги:

• CAS (строб адреса столбца): количество тактов, необходимое для доступа к данным в новом столбце, когда правильная строка уже открыта.

• tRCD (задержка от RAS к CAS): минимальное количество тактов, в течение которых контроллер памяти должен ожидать открытия новой строки.

• tRP (Предварительная зарядка строки): Минимальное количество тактов, которое контроллер памяти должен ожидать до закрытия текущей строки.

• tRAS (время активности строки): минимальное количество тактов, которое контроллер памяти должен ожидать между открытием и закрытием строки.

• CMD (Command Rate): количество циклов, в течение которых инструкция должна быть представлена, чтобы убедиться, что она считана памятью. Типичными значениями являются 1T и 2T.

Предположим, что правильная строка памяти уже открыта, CAS — это время, необходимое для доступа к следующему биту памяти. Если все строки закрыты, для доступа к ячейке необходимо сначала открыть строку, а затем найти правильный столбец (tRCD+tCAS). Если открыта не та строка, для доступа к ячейке памяти необходимо закрыть текущую текущую строку, открыть правильную строку и найти правильный столбец в новой строке (tRAS+tRCD+tCAS). Наконец, когда скорость команд увеличивается с 1T до 2T, для каждой команды памяти требуется дополнительный тактовый цикл.

Мы начали со слова «время», но говорили исключительно о тактовых циклах, потому что задержка измеряется во времени, а определяет в тактовых циклах. И это приводит к вопросу о том, как PC-100 и DDR4-3200 могут иметь одинаковую задержку: тактовый цикл 100 МГц занимает 10 нс (десять наносекунд), так что PC-100 CAS 1 требовалось минимум 10 нс для доступа к данным. Между тем, DDR4-3200 работает с тактовой частотой 1600 МГц, а тактовый цикл 1600 МГц занимает всего 0,625 нс. Это означает, что DDR4-3200 CAS 16 требует как минимум шестнадцать раз 0,625 нс для доступа к данным, что по-прежнему составляет 10 нс.

Поскольку время тактового цикла обратно пропорционально частоте, чем быстрее память, тем больше тактовых циклов требуется для достижения нашего среднего стандарта, 10 нс. DDR4-3600 делает это за 18 циклов. DDR4-4000 делает это за 20 циклов. Снижение времени доступа ниже этого стандарта требует меньшего количества циклов задержки на частоту, так что DDR4-3200 C14 (8,75 нс) и DDR4-3600 C16 (8,89 нс) превышают наш средний стандарт.

Ранги: уменьшение задержки за счет избыточности

Для ЦП ожидание завершения каждой операции записи или чтения перед началом следующей значительно замедлит процесс. Чередование — это метод, позволяющий запускать одну команду в то время, когда другая завершается. Пользователи могут помочь своему ЦП сделать это, увеличив количество рангов на канал с одного до двух. Этого можно добиться, установив два одноранговых модуля DIMM или один двухранговый модуль DIMM в каждый канал.

• Большая часть памяти, произведенной с 2017 года по сегодняшний день, использует микросхемы емкостью 8 ГБ (восемь гигабит).

• Большинство микросхем памяти имеют восьмибитный интерфейс.

• Восемь 8-битных ИС могут использоваться для заполнения одного 64-битного ранга.

• Суммарная емкость восьми ИС 8Gb составляет 8GB (восемь гигабайт).

• Таким образом, большинство комплектов памяти на 32 ГБ имеют четыре ранга.

Четыре ранга выполняют задачу размещения двух рангов на канал на двухканальной материнской плате, но мы видим несколько «большинств» в приведенной выше математике. Что насчет исключений?

• Спрос на микросхемы емкостью 16 Гбит в настоящее время слишком высок, чтобы компании могли тратить их на производство одноранговых модулей емкостью 16 Гбайт. Модули 16 ГБ вместо этого изготавливаются с использованием двух рангов микросхем 8 ГБ, как упоминалось выше.

• Потребительские модули емкостью 32 ГБ используют два ранга 16-гигабайтных микросхем, поэтому два модуля DIMM на 32 ГБ образуют двухканальный комплект емкостью 64 ГБ с четырьмя рангами.

• Текущие модули 4 ГБ в основном используют четыре ИС 8 ГБ, каждая из которых имеет 16-битный интерфейс. Четыре из них будут необходимы для создания четырех рангов.

•  Старые микросхемы 4 Гбит/с вряд ли будут иметь значение, если только вы не совершаете покупки у реселлеров с небольшим объемом продаж. Найти их — отличный способ для покупателей, которые хотят получить только 16 ГБ, чтобы получить четыре ранга, но определить их может быть сложно.

Можно, конечно, заглянуть под нижний край теплоотвода, чтобы определить, имеют ли определенные модули восемь микросхем с обеих сторон: Всякий раз, когда мы замечаем что-то, что отклоняется от нормы, мы упоминаем об этом в наших обзорах.

Вывод: быстрее, быстрее, больше

Более высокие скорости передачи данных повышают производительность в пределах возможностей ЦП и материнской платы. Меньшая задержка повышает производительность без увеличения скорости передачи данных. Четыре ранга работают лучше, чем два, до такой степени, что 32 ГБ памяти DDR4-3200 часто превосходят 16 ГБ памяти DDR4-3600. Данные, подтверждающие эти выводы, подробно описаны в нашем недавнем анализе памяти Ryzen 3000.

Теперь, когда мы познакомили вас с некоторыми тонкостями памяти ПК, вы должны знать гораздо больше о том, что именно вы покупаете. Во что бы то ни стало, не стесняйтесь обращаться к этому онлайн-конфигуратору или к продавцу в магазине за помощью в выборе комплекта. Но не позволяйте им навязывать вам комплект с завышенной ценой и низкой задержкой, заявленными тактовыми частотами, которые ваш чипсет или ЦП не могут выдержать, и/или одноранговым комплектом, который заставит ваш ЦП ждать, чтобы выполнить задачу. . Учитывая большое количество комплектов памяти на рынке, почти наверняка есть варианты получше.

Подробнее: лучшая память

Подробнее: DDR DRAM FAQS и Руководство Оперативная память или нет, вы можете сэкономить, ознакомившись с нашими списками промо-кодов Newegg и кодов купонов Corsair.

Томас Содерстром — старший штатный редактор Tom’s Hardware в США. Он тестирует и проверяет корпуса, охлаждение, память и материнские платы.

Темы

Память

Что такое задержка CAS в оперативной памяти? Объяснение таймингов CL

(Изображение предоставлено MaIII Themd/Shutterstock)

При покупке RAM вы увидите списки их таймингов, например CL16-18-18-38 или CL14-14-14-34 или CL 16-18- 18-36. Это число после «CL» представляет задержку CAS комплекта RAM, иногда называемую CL. Но что на самом деле означает задержка CAS? И какое значение имеет задержка CAS комплекта оперативной памяти для его производительности?

Чем меньше задержка CAS, тем лучше

Задержка CAS модуля RAM (строб или сигнал адреса столбца) — это количество тактов, которое требуется модулю RAM для доступа к определенному набору данных в одном из его столбцов (следовательно, имя) и сделать эти данные доступными на своих выходных контактах, начиная с того момента, когда контроллер памяти сообщает об этом. Другой способ думать об этом — сколько тактов ОЗУ требуется для ОЗУ для вывода данных, запрашиваемых ЦП. Комплекту RAM с CAS 16 требуется 16 тактовых циклов RAM для выполнения этой задачи. Чем меньше задержка CAS, тем лучше.

Задержка CAS может обозначаться несколькими способами. Комплект оперативной памяти с задержкой CAS 16, например, может быть описан как CAS 16 или CL16 или как имеющий тайминги CAS 16.

Список комплектов оперативной памяти на Newegg.com показывает, что задержка CAS составляет 18. (Изображение предоставлено Newegg)

Важно отметить, что два разных комплекта оперативной памяти с одинаковой скоростью передачи данных, например DDR4-3200, могут имеют разные тайминги CAS. Возьмите Team Group Delta Tuf Gaming RGB DDR4-3200 и G.Skill Trident Z Royal DDR4-3200. Оба имеют скорость передачи данных DDR4-3200. Однако их тайминги CAS различаются: CL16-18-18-38 (CAS 16) и CL14-14-14-34 (CAS 14) соответственно.

На этикетке этого комплекта оперативной памяти указано, что это комплект C18. (Изображение предоставлено Tom’s Hardware)

Скорость ОЗУ по сравнению с задержкой ОЗУ

В то время как скорость передачи данных ОЗУ говорит вам, сколько мегапередачи (1 000 000 передач данных) ОЗУ может выполнить за одну секунду (ОЗУ DDR4-3200 может провести 3 200 мега передачи за 1 секунду), его задержка CAS также важна для понимания производительности оперативной памяти.

Задержка CAS сообщает вам общее количество циклов, которое требуется ОЗУ для отправки данных, но вы также должны учитывать продолжительность каждого цикла, чтобы получить лучшее представление об общей задержке этой ОЗУ.

Несмотря на то, что ОЗУ DDR4 новее и обладает большей плотностью хранения и энергоэффективностью, чем ОЗУ DDR3, оно, как правило, имеет более высокую задержку CAS. Оперативная память DDR3 обычно имеет задержку CAS 9 или 10, в то время как DDR4 будет иметь задержку CAS не менее 15. Однако из-за более высоких тактовых частот новый стандарт в целом имеет лучшую производительность.