Оперативная память какие тайминги лучше: Как выбрать оперативную память и не ошибиться? Топ-5 планок по версии Игромании — Игромания

Что такое тайминги оперативной памяти

Наверх

29.04.2022

Автор: Дмитрий Мухарев

1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд

Тайминги оперативной памяти: разбираемся, какие значения лучше

3

5

1

89

Разбираемся в том, что такое тайминги оперативной памяти и какое значение они имеют.

От скорости работы оперативной памяти во многом зависит быстродействие всего компьютера, поэтому и ее выбор не менее важен, чем покупка «правильного» процессора или материнской платы. Ну а среди важнейших параметров любой оперативки выделяются частота и тайминги. Но если с первой все понятно, то тайминги для многих остаются темным лесом. Сегодня мы расскажем, что скрывается за этим непонятным набором циферок, и какое значение он имеет.

Содержание

• Что такое тайминги
• Какие тайминги бывают
• Как узнать тайминги ОЗУ
• Как правильно выбрать самую быструю оперативную память

Если говорить очень простым языком, оперативная память представляет собой массивы с двухмерной таблицей, в ячейках которой хранится нужная информация. А массивы с ячейками одинакового размера, в свою очередь, объединяются в так называемые банки.

Для выполнения любой операции с данными из этой таблицы контроллеру и чипу памяти требуется определенное число тактовых циклов шины памяти. Ну а тайминг — это и есть число таких циклов, или число циклов на которое запоздает выполнение определенной операции с памятью. Отсюда и само название — тайминг или задержка.

• Покупка

  Как выбрать оперативную память: разбираемся в нюансах

Собственно, именно поэтому две оперативной памяти с одинаковой частотой, но разными таймингами будут работать по-разному, причем наиболее быстрой окажется память именно с меньшей задержкой.

Каждую операцию с оперативной памятью можно разбить на несколько этапов. Поэтому в характеристиках любой планки ОЗУ указывается несколько таймингов — задержек, которые возникают на определенном этапе работы с памятью. Числа таймингов указывают на выполнение следующих операций:

CL: CAS Latency – число тактов, которое проходит с отправки запроса в память до начала ответа на него.
tRCD: RAS to CAS Delay – количество тактов, которое требуется контроллеру для активации нужной строки банки.
tRP: RAS Precharge – число тактов для заряда и закрытия одной строки, после чего становится возможна активация следующей строки.
tRAS: Row Active Time — минимальное число тактов, в течение которого строка будет активна. Она не может быть закрыта раньше этого времени.

Все эти тайминги указываются в параметрах оперативной памяти именно в том порядке, который мы привели. Возьмем, к примеру, оперативную память Patriot Memory VIPER STEEL DDR4-3733 CL-17 21-21-41. Мы видим, что она относится к типу DDR4 и работает на тактовой частоте 3733 МГц. Ей требуется 17 тактов для начала ответа на поступивший запрос (CL). Активация нужной строки занимает 21 такт (tRCD) и столько же циклов уходит на ее закрытие и активацию следующей строки (tRP). Причем сама строка может быть закрыта не раньше чем через 41 такт (tRAS).

Как вы видите, каждая цифра в названии оперативной памяти имеет свое значение. И, разобравшись в этом, вы легко сможете подобрать самую подходящую для вас оперативку.

• Покупка

  5 оптимальных вариантов оперативной памяти для разгона

Значения таймингов оперативной памяти можно посмотреть на ее странице в любом мало-мальски уважающем себя магазине или на сайте производителя. Если же вы хотите увидеть характеристики уже установленной у вас памяти, вы можете воспользоваться CPU-Z или аналогичными утилитами.

Если кратко, то частота оперативной памяти важнее таймингов, но при одинаковой частоте наиболее быстрой окажется оперативка с меньшей задержкой. Собственно, именно на основе этого и стоит подбирать самые подходящие для вас планки ОЗУ. В общем виде этот алгоритм выглядит так:

1. Определитесь с типом оперативки, которую поддерживает ваш компьютер — DDR3, DDR4, DDR5 и т.д.
2. Определитесь с нужным вам объемом памяти.
3. Узнайте, какую частоту ОЗУ поддерживают процессор и материнская плата вашего ПК.
4. Подберите планки оперативки, работающие на максимально доступной для вашего компьютера частоте.
5. Среди этих планок выберите модели с минимальными таймингами.

Читайте также

• Как выбрать оперативную память: разбираемся в нюансах
• Выжимаем соки из ПК: разгон памяти

Теги

оперативная память

Автор

Дмитрий Мухарев

Редактор направлений «Компьютерное железо» и «Технологии»

Была ли статья интересна?

Поделиться ссылкой

Нажимая на кнопку «Подписаться»,
Вы даете согласие на обработку персональных данных

Рекомендуем

Обзор смартфона HONOR Magic Vs: все складывается, как надо

Как выбрать телевизор и не переплатить за ненужные технологии

Как установить Google-сервисы на смартфоны HUAWEI: самый простой способ

Что взять на дачу: 7 беспроводных гаджетов для отдыха и работы

Как выбрать SSD для ноутбука: подробный гайд

10 лучших мощных вертикальный пылесосов: рейтинг 2023

Что такое спидран или как пройти Atomic Heart за 6 минут?

Лучшие игровые ноутбуки: что выбрать в 2023 году

Какой Айфон лучше купить в 2023 году: выбираем между iPhone 12, iPhone 13, iPhone 14 и iPhone SE

Реклама на CHIP
Контакты

что это, как поменять — гайд в 4 разделах

Что такое — тайминг оперативной памяти? На что он влияет и как его определить? Информация — в статье. Здесь также есть инструкция, которая поэтапно показывает, как это значение можно изменить.

Как работает оперативная память

Ее функционирование тесно связано с CPU и информационными носителями. Данные с жесткого диска или другого накопителя первоначально попадают в оперативную память и только после их обрабатывает ЦП.

Структура оперативки похожа на таблицу, где сперва выбирается строчка, а после — столбец. Она делится на банки — ячейки SDRAM. Например, современные варианты DDR4 отличаются от DDR3 удвоенным числом банков. За счет растет производительность. Быстрота DDR4 достигает 25,6 ГБ/c, при этом шина может функционировать на 3200 МГц.

В тему: Что такое оперативная память компьютера, на что она влияет: ответы на 6 популярных вопросов

Что такое тайминги в оперативной памяти, расшифровка

Это значения, отражающие время, за которое обрабатываются данные. Показатели выглядят как три числа, идущие по порядку. Каждое число — временной отрезок, который измеряется в тактах шины.

Следует разобраться с аббревиатурами CAS и RAS. Последние две буквы означают Address Strobe — строб-сигнал адреса. Только в первом случае это про колонку (Column), а во втором — про строку (Row).

CAS Latency

Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание.

RAS-CAS

Указывает на число тактов, которое занимает получение доступа к RAM и активации строки, а потом — колонки, которая содержит необходимое инфо, и команды на считывание данных или же их запись.

Полезно: Что делать, если Windows не видит всю ОЗУ: 4 причины и пути решения

RAS Precharge 

Поскольку ОЗУ — динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ.

Таким образом, показатель RAS Precharge в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку — регенерацию ОЗУ — и разрешением на доступ к следующей строчке информации.

Row Active

Означает время, которое активна одна табличная строчка перед тем, как данные считаются или запишутся.

Примечание: в некоторых случаях может быть использован Command Rate. Он показывает, сколько времени тратится на инфообмен между RAM и ее контроллером. Как правило, это занимает один или два такта.

Пригодится: Как проверить оперативную память в Windows 10: 2 способа

На что влияют тайминги

Если кратко — на скорость, с которой считывается информация, и быстроту инфообмена между планкой и процессором. Естественно, это воздействует и на быстроту функционирования компьютера в целом.

Чем ниже тайминг, тем выше производительность, тем скорее ЦП получает доступ к банкам.

Как узнать тайминг оперативной памяти

Эти данные, как и прочую полезную информацию, можно узнать, посмотрев на сам модуль ОЗУ. Обычно они прописаны на наклейке. Тайминги указываются числовыми значениями. Иногда на маркировке написана полная информация о латентности RAM, а в некоторых вариантах — только CL задержка. При необходимости все тайминги можно посмотреть на сайте изготовителя планки, вбив в поиск номер модели.

Совет: при замене или установке дополнительных модулей ОЗУ в систему рекомендуется ставить планки комплектом, например, 2 штуки по 8 Гб. Таким образом можно будет активировать двухканальный режим работы памяти, что ускорит всю систему. Но при этом важно, чтобы показатели обеих планок были идентичными. Благодаря этому удастся избежать конфликтов между устройствами, которые препятствуют стабильной работе компьютера.

Узнайте: Как увеличить оперативную память (RAM) ноутбука в 5 шагов: способы и советы

Как настроить тайминги оперативной памяти

Как только пользователь установит планки и включит компьютер, БИОС автоматически узнает частотные показатели и тайминги. Однако смена настроек оперативы может положительно повлиять производительность лэптопа, ПК.

Подсистема предоставляет довольно широкие возможности для манипуляций с параметрами планок. Впрочем, число доступных для редактирования параметров ОЗУ может существенно отличаться для разных материнских плат, даже если их чипсеты идентичны.

По этому признаку их можно поделить на модели с:

1. Минимальными возможностями изменения настроек: поддерживается возможность установки частоты модулей и одного-двух таймингов. Возможности разгона ощутимо ограничены. Подобное явление — норма для вариантов бюджетного уровня класса H для INTEL и А для AMD.
2. Поддержкой редактирования базовых параметров — можно поменять частоту, основные тайминги. Это стандарт для большинства материнок класса B.
3. Расширенными возможностями (маркируются как Z и X): предоставляют пользователю доступ к редактированию максимума параметров.

Предупреждение! Менять значения лучше постепенно: по полшага за раз. Действовать необходимо осторожно, иначе можно повредить оперативу.

Примечание: лучше всего разгон переносят варианты с радиаторами, которые поддерживают XMP.

Дополнение: Как настроить оперативную память в БИОСе: инструкция в 4 простых разделах

Чем короче тайминги, тем лучше. Если изначально они не такие маленькие, как хотелось бы, их можно поменять, поколдовав немного в BIOS. Главное — делать все не спеша и после любой перемены проверять работоспособность.
 

Понимание таймингов ОЗУ — аппаратные секреты

Скорость ОЗУ

ОЗУ DDR, DDR2 и DDR3 классифицируются в соответствии с максимальной скоростью, с которой они могут работать, а также их таймингами. Тайминги оперативной памяти — это числа, такие как 3-4-4-8, 5-5-5-15, 7-7-7-21 или 9-9-9-24, чем меньше, тем лучше. В этом уроке мы объясним, что именно означает каждый из этих таймингов RAM.

Память DDR, DDR2 и DDR3 Ram соответствует классификации DDRxxx/PCyyyy. Кстати, если вам интересно узнать разницу между оперативной памятью DDR, DDR2 и DDR3, прочитайте наш учебник на эту тему.

Как разобраться в классификации оперативной памяти?

Первая классификация

Первое число, xxx, указывает максимальную тактовую частоту, поддерживаемую микросхемами памяти. Например, память DDR400 работает не более чем на частоте 400 МГц, DDR2-800 может работать на частоте до 800 МГц, а DDR3-1333 может работать на частоте до 1333 МГц. Важно отметить, что это не реальная тактовая частота памяти. Реальные часы памяти DDR, DDR2 и DDR3 составляют половину заявленной тактовой частоты. Таким образом, память DDR400 работает на частоте 200 МГц, память DDR2-800 работает на частоте 400 МГц, а память DDR3-1333 работает на частоте 666 МГц.

Вторая классификация

Второе число указывает максимальную скорость передачи, которой достигает память, в МБ/с. Память DDR400 передает данные со скоростью не более 3200 МБ/с, поэтому она помечена как PC3200. Память DDR2-800 передает данные со скоростью 6400 МБ/с и имеет маркировку PC2-6400. Память DDR3-1333 может передавать данные со скоростью 10 664 МБ/с и имеет маркировку PC3-10600 или PC3-10666. Как видите, мы используем цифру «2» или «3» после «DDR» или «ПК», чтобы указать, что мы говорим о памяти DDR2 или DDR3, а не о DDR.

Первая классификация, DDRxxx, — это стандарт, используемый для классификации микросхем памяти, а вторая классификация, PCyyyy, — стандарт, используемый для классификации модулей памяти. На рисунке 1 вы видите модуль памяти PC3-10666, в котором используются микросхемы памяти DDR3-1333. Обратите внимание на тайминги ОЗУ (7-7-7-18) и напряжение (1,5 В).

Обзор продукта

КОМПЬЮТЕРНЫЙ ОТДЕЛИТЕЛЬ 2 ГБ (2 x 1 ГБ) DDR DIMM (184 PIN) 400 МГц PC3200 CL 3.0 НАСТОЛЬНАЯ ПАМЯТЬ

• KOMPUTERBAY 2GB (2 x 1GB ) DDR DIMM (184 PIN) 400Mhz PC3200 CL 3.0 DESKTOP MEMORY
• WORKS ON MAC AND PC — 64×8 LOW DENSITY
• BRAND NEW 2 X 1GB PC3200 DDR 400 Mhz
• SUPPORTS DUAL CHANNEL 100 % ОБЪЕМ СОВМЕСТИМОЙ ПАМЯТИ: 2 ГБ (2×1 ГБ)
• Пожизненная гарантия

Комплект DUOMEIQI 8 ГБ (4X 2 ГБ) DIMM UDIMM PC2-6400U DDR2 800 МГц PC2-6400 CL6 1,8 В 240-контактный модуль оперативной памяти для настольных ПК Подходит для системы Intel AMD без ECC без буферизации

• ✅Модель: Настольная оперативная память pc2-6400 ddr2 800 МГц udimm ram 2RX8 240 Pin Non-ECC Unbuffered Desktop ddr2 sdram. (Перед установкой осторожно протрите фигуру соединения ластиком, не используйте едкие вещества, такие как этиловый спирт)
• ✅Примечание: перед заказом убедитесь, что модель материнской платы вашего настольного компьютера и максимальный объем оперативной памяти
• ✅Соединительный палец: расширенный процесс гальванического покрытия наносится на соединительный палец оперативной памяти pc2 6400 ddr2 800 МГц для улучшения коррозионной стойкости и электропроводности.
• ✅Многофункциональность: этот комплект оперативной памяти ddr2 8 Гб увеличит пропускную способность, улучшит производительность системы, снизит энергопотребление и продлит срок службы батареи. Увеличенная скорость пакетного доступа для повышения пропускной способности последовательной передачи данных обеспечит вам отличный опыт работы в сети и в играх.
• ✅ГАРАНТИЙНОЕ ОБСЛУЖИВАНИЕ: Пожизненная гарантия для вашей уверенной покупки этой оперативной памяти udimm ddr2-800. Любые проблемы, пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам, мы здесь для вас 24 часа.

Распродажа

Память Patriot 16 ГБ (2×8 ГБ) Viper III DDR3 1600 МГц (PC3 12800) CL9 для настольных ПК с радиатором Black Mamba — PV316G160C9K

• Емкость: 16 ГБ (2 x 8 ГБ) Частота: PC3-12800 (1600 МГц)
• Тайминги XMP: 9-9-9-24
• Совместимость: Процессорные платформы Intel и AMD, поддержка XMP

Как рассчитать максимальную скорость передачи для модуля памяти?

Рис. 1: Модуль памяти DDR3-1333/PC3-10666

Максимальная скорость передачи для модуля памяти может быть рассчитана по следующей формуле:

Максимальная теоретическая скорость передачи = тактовая частота x количество битов / 8

Поскольку модули DIMM передают 64 бита за раз «количество битов» будет равно 64. Поскольку 64/8 равно 8, мы можем упростить эту формулу до:

Максимальная теоретическая скорость передачи = часы x 8

Если модуль памяти установлен в системе, где шина памяти работает с более низкой тактовой частотой, максимальная скорость передачи, которую может достичь модуль памяти, будет ниже теоретической максимальной скорости передачи. На самом деле, это очень распространенное заблуждение.

Как работает память RAM?

Допустим, вы купили пару модулей оперативной памяти DDR3-2133/PC3-17000. Несмотря на то, что они помечены как DDR3-2133, они не будут автоматически работать на частоте 2133 МГц в вашей системе. Это максимальная тактовая частота, которую они поддерживают, а не тактовая частота, с которой они будут работать.

Если вы установите его на обычный ПК, поддерживающий память RAM DDR3, она, вероятно, будет работать на частоте 1333 МГц (DDR3-1333), что является максимальной стандартной скоростью ОЗУ DDR3, достигая максимальной скорости передачи 10 664 МБ/с (или 21 328 МБ/с, если они работают в двухканальном режиме, прочтите наше руководство по двухканальному режиму, чтобы узнать больше об этом предмете). Таким образом, они не будут автоматически работать на частоте 2133 МГц и не будут автоматически достигать скорости передачи 17 000 МБ/с.

Почему стоит или не стоит покупать эти модули?

Итак, зачем кому-то покупать эти модули? Кто-то купит их для разгона. Поскольку производитель гарантирует, что эти модули будут работать на частоте до 2133 МГц, вы знаете, что можете увеличить тактовую частоту шины памяти до 1066 МГц, чтобы повысить производительность вашей системы. Однако ваша материнская плата должна поддерживать такой разгон (подробнее см. в нашем руководстве по разгону памяти). Таким образом, покупка модуля памяти с заявленной тактовой частотой выше той, которую поддерживает ваша система, бесполезна, если вы не собираетесь разгонять свою систему.

Для обычного пользователя это все, что нужно знать о памяти DDR, DDR2 и DDR3. Для продвинутого пользователя есть еще одна характеристика: временное использование памяти, также известное как тайминги или латентность. Давай поговорим об этом.

Тайминги ОЗУ

Из-за таймингов два модуля памяти с одинаковой теоретической максимальной скоростью передачи могут достигать разных уровней производительности. Почему это возможно, если оба работают с одинаковой тактовой частотой?

Тайминги измеряют время, в течение которого микросхема памяти выполняет какие-либо внутренние действия. Вот пример. Рассмотрим самый известный параметр, который называется CAS Latency (или CL или «время доступа»), который говорит нам, сколько тактов задержит модуль памяти при возврате данных, запрошенных ЦП.

Общие сведения о модулях памяти CL

Модуль памяти с CL 9 будет задерживать девять тактов для доставки запрошенных данных, тогда как модуль памяти с CL 7 задержит семь тактов для доставки. Хотя оба модуля могут работать с одинаковой тактовой частотой, второй будет быстрее, так как он будет доставлять данные раньше, чем первый. Эта проблема известна как «задержка». Как вы можете видеть на рис. 1, показанный на нем модуль имеет CL, равный 7.

Объяснение таймингов ОЗУ

Тайминги ОЗУ задаются последовательностью чисел; например, 4-4-4-8, 5-5-5-15, 7-7-7-21 или 9-9-9-24. Эти числа указывают количество тактов, которое требуется памяти для выполнения определенной операции. Чем меньше число, тем быстрее память. Модуль памяти, изображенный на рисунке 1, имеет тайминги 7-7-7-18, а модуль памяти, изображенный на рисунке 2, имеет тайминги 8-8-8-24.

Рис. 2: Модуль памяти DDR3-1600/PC3-12800 с таймингами 8-8-8-24

Эти номера обозначают следующие операции: CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD. Чтобы понять их, имейте в виду, что память внутренне организована как матрица. Здесь данные хранятся на пересечении строк и столбцов.

• CL: задержка CAS. Время, которое проходит между отправкой команды в память и началом ответа на нее. Это время, которое проходит между запросом процессором некоторых данных из памяти и их возвратом.
• tRCD: Задержка от RAS к CAS. Время, которое проходит между активацией строки (RAS) и столбца (CAS), где данные хранятся в матрице.
• tRP: предварительная зарядка RAS. Время, которое проходит между отключением доступа к строке данных и началом доступа к другой строке данных.
• tRAS: Активен для задержки предварительной зарядки. Как долго память должна ждать, пока можно будет инициировать следующий доступ к памяти.
• CMD: Частота команд. Время, которое проходит между активацией микросхемы памяти и моментом, когда первая команда может быть отправлена ​​в память. Иногда это значение не объявляется. Обычно это T1 (1 такт) или T2 (2 такт).

Обычно у вас есть два варианта. Первый — настроить ПК на использование стандартных таймингов ОЗУ, обычно устанавливая для конфигурации памяти значение «Авто» в настройках материнской платы. Второй — вручную настроить компьютер на использование более низких таймингов памяти.

Тайминги материнской платы

Обратите внимание, что не все материнские платы позволяют изменять тайминги памяти. Кроме того, некоторые материнские платы могут не работать с очень низкими таймингами, и из-за этого они могут настроить ваш модуль памяти на работу с более высокими таймингами.

Рисунок 3: Конфигурация таймингов памяти при настройке материнской платы

Как работает разгон?

При разгоне памяти может потребоваться увеличить тайминги памяти, чтобы система работала стабильно. Вот тут и происходит кое-что очень интересное. Из-за увеличенных таймингов производительность памяти может снизиться, хотя теперь она настроена на работу с более высокой тактовой частотой из-за введенной задержки.

Еще одно преимущество модулей памяти, продаваемых специально для разгона. Производитель не только гарантирует, что ваш модуль памяти будет работать с заявленной тактовой частотой, но и гарантирует, что вы сможете поддерживать указанные тайминги на уровне указанных часов.

Чтобы легче было понять.

Например, даже если вы можете достичь частоты 1600 МГц (800 МГц x2) с модулями DDR3-1333/PC3-10600, на этих модулях может потребоваться увеличение таймингов памяти, а на модулях DDR3-1600/PC3-12800 производитель гарантирует, что вы сможете достичь 1600 МГц, сохраняя указанные тайминги.

Теперь мы пойдем еще дальше и подробно объясним каждый из параметров синхронизации памяти.

Задержка CAS (CL) Влияние на скорость ОЗУ

Как упоминалось ранее, задержка CAS (CL) является наиболее известным параметром памяти. Он сообщает нам, сколько тактов память будет задерживать возврат запрошенных данных. Память с CL = 7 задержит семь тактов для доставки данных, а память с CL = 9 задержит девять тактов для выполнения той же операции. Таким образом, для двух модулей памяти, работающих с одинаковой тактовой частотой, быстрее будет тот, у которого наименьший CL.

Прямой пример

Обратите внимание, что тактовая частота здесь — это реальная тактовая частота, на которой работает модуль памяти, т. е. половина номинальной тактовой частоты. Поскольку оперативная память DDR, DDR2 и DDR3 может передавать два данных за такт, их номинальная частота удваивается по сравнению с реальной тактовой частотой.

На рис. 4 показано, как работает CL. Мы привели два примера: модуль памяти с CL = 7 и модуль памяти с CL = 9. Синим цветом будет команда «чтения».

Рис. 4: Задержка CAS (CL)

Память с CL = 7 обеспечит улучшение задержки памяти на 22,2% по сравнению с памятью с CL = 9, учитывая, что обе работают с одинаковой тактовой частотой.

Можно даже рассчитать время задержки памяти до начала доставки данных. Период каждого тактового цикла можно легко рассчитать по формуле:

T = 1 / f

Таким образом, период каждого тактового цикла оперативной памяти DDR3-1333, работающей на частоте 1333 МГц (тактовая частота 666,66 МГц), будет равен 1,5. нс (нс = наносекунда; 1 нс = 0,000000001 с). Имейте в виду, что вам нужно использовать реальную тактовую частоту, которая составляет половину заявленной тактовой частоты. Таким образом, эта память DDR3-1333 будет задерживать 10,5 нс, чтобы начать доставку данных, если у нее CL = 7, или 13,5 нс, если у нее CL = 9., например.

Объяснение пакетного режима

ОЗУ SDRAM, DDR, DDR2 и DDR3 реализуют пакетный режим, при котором данные, хранящиеся по следующим адресам, могут покинуть память только за один тактовый цикл. Таким образом, в то время как первые данные будут задерживать тактовые циклы CL для выхода из памяти, следующие данные будут доставлены сразу после этого. Априорные данные, которые только что вышли из памяти, не должны ждать другого цикла CL. Кроме того, память DDR, DDR2 и DDR3 передает два данных за такт, поэтому они помечены как имеющие удвоенную тактовую частоту.

Задержка RAS-CAS (tRCD) Влияние на скорость ОЗУ

Рис. 5: Задержка RAS-CAS (tRCD)

Каждая микросхема памяти организована внутри как матрица. На пересечении каждой строки и столбца у нас есть небольшой конденсатор, который отвечает за хранение «0» или «1» — данных. Внутри памяти процесс доступа к сохраненным данным осуществляется путем активации сначала строки, а затем столбца, в котором она расположена.

RAS и CAS

Эта активация осуществляется с помощью двух управляющих сигналов, называемых RAS (строб адреса строки) и CAS (строб адреса столбца). Чем меньше времени между этими двумя сигналами, тем лучше, так как данные будут считаны раньше. На этот раз измеряется задержка RAS to CAS или tRCD. На рисунке 5 мы иллюстрируем это, показывая память с tRCD = 3,9.0007

Как видите, задержка RAS to CAS — это также количество тактовых циклов между командой «Активно» и командой «чтения» или «записи».

Как и в случае с задержкой CAS, задержка RAS to CAS работает с реальными часами памяти (что составляет половину помеченных часов). Чем ниже этот параметр, тем быстрее будет работать память, так как она раньше начнет чтение или запись данных.

Предварительная зарядка RAS (tRP) Влияние на скорость ОЗУ

Рис. 6. Предварительная зарядка RAS (tRP)

После сбора данных из памяти необходимо выполнить команду Precharge, закрыть
нг используемой строки памяти и позволяет активировать новую строку. Время предварительной зарядки RAS (tRP) — это время, прошедшее между подачей команды Precharge и следующей активной командой. Как мы узнали из предыдущей страницы, команда Active запускает цикл чтения или записи.

На рис. 6 мы приводим пример памяти с tRP = 3.

Как и в случае с другими параметрами, RAS Precharge работает с реальными часами памяти (что составляет половину помеченных часов). Чем ниже этот параметр, тем быстрее будет работать память, так как она раньше выдаст команду Active.

Суммируя все, что мы видели, время, прошедшее между выдачей команды Precharge и фактическим получением данных, будет tRP + tRCD + CL.

Другие параметры, влияющие на тайминги ОЗУ

Давайте подробнее рассмотрим два других параметра: задержку активной до предварительной зарядки (tRAS) и скорость выполнения команд (CMD). Как и в случае с другими параметрами, эти два параметра работают с реальными часами памяти (которые составляют половину часов памяти, помеченных как часы). Чем ниже эти параметры, тем быстрее будет работать память.

• Задержка от активного до предварительного заряда (tRAS): после того, как выдана активная команда, другая команда предварительного заряда не может быть выдана до тех пор, пока не истечет время tRAS. Таким образом, этот параметр ограничивает, когда память может начать чтение (или запись) другой строки.
• Command Rate (CMD): это время, которое требуется чипу памяти от активации (через его CS – Chip Select – вывод) и когда любая команда может быть передана в память. Этот параметр имеет букву «Т». Возможные значения: 1T или 2T, что означает один тактовый цикл или два тактовых цикла соответственно.

Часто задаваемые вопросы

Насколько быстрой должна быть оперативная память для игрового ПК?

Для игр мы рекомендуем модули оперативной памяти, которые являются максимально быстрыми по понятным причинам. Начнем с того, что видеоигры в наши дни не только занимают довольно много оперативной памяти, но и разделяют эти данные. Вот почему вам понадобится ваша оперативная память, чтобы получить доступ ко всему как можно быстрее для бесперебойной работы. Вы должны выбрать двухканальную оперативную память DDR4 или DDR5 с частотой 3000 МГц или более. Эти модули могут быть довольно дорогими, но это лучше, чем сталкиваться с узкими местами во время интенсивных игровых сцен.

Влияют ли тайминги на оперативную память?

В целом, мы обнаружили, что если вы копнете достаточно глубоко, вы обнаружите, что время определенно имеет значение. Это не повлияет на каждую игру или приложение. Тем не менее, имеет смысл хотя бы учитывать тайминги при покупке оперативной памяти, особенно если вы можете получить лучшие тайминги. При этом мы рекомендуем покупать оперативную память только у проверенных брендов и у проверенных розничных продавцов.

2 Причины, по которым ваша гарантия может быть аннулирована.

Даже если теоретически гарантия на модуль ОЗУ действует пожизненно, на практике эту гарантию можно легко аннулировать. Это могло произойти из-за двух факторов. Во-первых, если кто-то в прошлом вмешивался в модуль, гарантия будет аннулирована. Во-вторых, если на нем слишком много слизи или жидкости, произойдет то же самое.

Скорость оперативной памяти ограничена процессором?

На самом деле именно сочетание процессора и материнской платы ограничивает скорость DIMM. Скорость DIMM будет только достигать нижнего предела скорости между ЦП и материнской платой. Например, ЦП может поддерживать скорость до 1600, а материнская плата поддерживает скорость до 2400. Однако модули DIMM будут поддерживать скорость до 1600. Короче говоря, скорость вашего компьютера равна скорости его самого слабого компонента.

Последнее обновление 28.03.2023 в 06:16 / Партнерские ссылки / Изображения из Amazon Product Advertising API

Разница между скоростью ОЗУ и задержкой CAS

Производительность памяти (DRAM) полностью зависит от соотношения между скоростью и задержкой. Хотя они тесно связаны, они не связаны так, как вы могли бы подумать. Вот как скорость и задержка связаны на техническом уровне, и как вы можете использовать эту информацию для оптимизации производительности вашей памяти.

Если вас интересует, сколько памяти должно быть на вашем компьютере, прочитайте здесь.

Восприятие и правда о латентности

Восприятие

• Многие пользователи считают, что задержка CAS является точным индикатором реальных показателей задержки
• Многие пользователи также считают, что, поскольку задержки CAS увеличиваются с увеличением скорости, часть скорости обнуляется

Правда

• Инженеры-полупроводники знают, что задержки CAS являются неточным показателем производительности
• Задержку лучше всего измерять в наносекундах, которые представляют собой комбинацию скорости и задержки CAS
• И увеличение скорости, и уменьшение задержки приводят к повышению производительности системы
   
  • Пример: поскольку задержка в наносекундах для DDR4-2400 CL17 и DDR4-2666 CL19 примерно одинакова, более высокая скорость ОЗУ DDR4-2666 обеспечит лучшую производительность
  • Пример: если рейтинг скорости стандартного модуля и игрового модуля одинаков (например, DDR4-2666), но задержки CAS различаются (например, CL16 и CL19), то меньшая задержка CAS обеспечит лучшую производительность

Разница между восприятием задержки и истинной задержкой сводится к тому, как определяется и измеряется задержка.

Парадокс задержки

Задержку часто неправильно понимают, потому что на листовках продуктов и при сравнении спецификаций она указывается в CAS Latency (CL), что составляет только половину уравнения задержки. Поскольку рейтинги CL показывают только общее количество тактовых циклов, они не имеют ничего общего с продолжительностью каждого тактового цикла, и поэтому их не следует экстраполировать как единственный показатель производительности задержки.

Глядя на задержку модуля в наносекундах, вы можете лучше всего судить, действительно ли один модуль более отзывчив, чем другой. Чтобы вычислить задержку модуля, умножьте продолжительность тактового цикла на общее количество тактовых циклов. Эти номера будут отмечены в официальной технической документации в паспорте модуля. Вот как выглядят эти расчеты.

Что такое задержка и уравнение задержки?

На базовом уровне под задержкой понимается задержка между вводом команды и доступностью данных. Задержка — это промежуток между этими двумя событиями. Когда контроллер памяти сообщает памяти о доступе к определенному местоположению, данные должны пройти несколько тактовых циклов в стробе адреса столбца (CAS), чтобы попасть в нужное место и выполнить команду. Имея это в виду, есть две переменные, которые определяют задержку модуля:

• Общее количество тактовых циклов, через которые должны пройти данные (измеряется в CAS Latency, или CL, в таблицах данных)
• Продолжительность каждого тактового цикла (измеряется в наносекундах)

Объединение этих двух переменных дает нам уравнение задержки: означает, что время тактового цикла уменьшилось), значения задержки CAS также увеличились, однако из-за более быстрого тактового цикла истинная задержка, измеренная в наносекундах, осталась примерно такой же. Оптимизируя баланс между максимальной скоростью, на которую способен ваш процессор, и памятью с минимальной задержкой, доступной в рамках вашего бюджета, вы можете достичь более высокого уровня производительности, используя новую, более быструю и эффективную память.