Модуль оперативной памяти ddr3: Оперативная память — купить модули памяти, цены в интернет-магазине Ф-Центр

0373100103121000025 Модуль оперативной памяти DDR3 4 ГБ; Жесткий диск HDD 1 Гб

1. 
   
   Главная
   


/

2. 
   
   Тендеры
   


/

3. 
   
   Регионы
   


/

4. 
   
   Москва
   


/

5. org/ListItem»>
   
   Закупка компьютеров и компьютерной техники
   


/

6. 
   
   ░░░░░░░░
   

Порядок размещения

время МСК

44-ФЗ, Электронный аукцион,


перейти на ЭТП

Подача заявки

08.06.2021 15:15


– 16.06.2021 12:00

Рассмотрение заявок

16.06.2021

Проведение аукциона

17.06.2021

Документы

Заказчик

Объекты закупки

Наименование	Кол-во	Цена за ед.	Стоимость, ₽
Накопитель данных внутренний КТРУ 26.20.21.110-00000002   Накопитель данных внутренний	░░░░░	░░░░░	░░░░░
Накопитель данных внутренний КТРУ 26.20.21.110-00000003   Накопитель данных внутренний	░░░░░	░░░░░	░░░░░
Устройства запоминающие внутренние ОКПД2 26. 20.21.110   Устройства запоминающие внутренние	░░░░░	░░░░░	░░░░░
Устройства запоминающие внутренние ОКПД2 26.20.21.110   Устройства запоминающие внутренние	░░░░░	░░░░░	░░░░░

Условия участия

Требования к участникам

1. 
   
   Единые требования к участникам закупок в соответствии с ч. 1 ст. 31 Закона № 44-ФЗ
2. 
   
   Требования к участникам закупок в соответствии с частью 1.1 статьи 31 Федерального закона № 44-ФЗ

Ограничения и запреты

Закупка у субъектов малого предпринимательства и социально ориентированных некоммерческих организаций

Участники и результаты от


16.06.2021

Электронный аукцион признан несостоявшимся.

Протоколы

Протокол рассмотрения единственной заявки на участие в электронном аукционе



от 16. 06.2021 15:48 (мск)

• 
  
  
  
  
  Протокол рассмотрения единственной заявки
  .html
  
  
• 
  
  
  
  
  Протокол ед.заявка память
  .pdf
  
  

Контракты с поставщиком

Похожие закупки

SO-DIMM

78. C2GDW.4030C

Модуль оперативной памяти SODIMM DDR3/Speed 1866/8GB/512×8/2R/SA/CL13/p/n 78.C2GDW.4030C

Под заказ

В корзину

78.B2GFR.4000B

Модуль оперативной памяти SODIMM DDR4/Speed 2400/4GB/512×16/1R/SA/CL17/p/n 78.B2GFR.4000B

Под заказ

В корзину

78.D2GF6.4010B

Модуль оперативной памяти SODIMM DDR4/Speed 2133/16GB/1024×8/2R/SA/CL15/p/n 78.D2GF6.4010B

Под заказ

В корзину

78.C2GF2.4000B

Модуль оперативной памяти SODIMM DDR4/Speed 2400/8GB/1024×8/1R/SA/CL17/p/n 78.C2GF2.4000B

Под заказ

В корзину

78.C2GF6.4000B

Модуль оперативной памяти SODIMM DDR4/Speed 2133/8GB/1024×8/1R/SA/CL15/p/n 78.C2GF6.4000B

Под заказ

В корзину

78.A2GF7.4000B

Модуль оперативной памяти SODIMM DDR4/Speed 2400/2GB/256×16/1R/SA/CL17/p/n 78. A2GF7.4000B

Под заказ

В корзину

78.D2GF2.4010B

Модуль оперативной памяти SODIMM DDR4/Speed 2400/16GB/1024×8/2R/SA/CL17/p/n 78.D2GF2.4010B

Под заказ

В корзину

78.C2GF4.4010B

Модуль оперативной памяти SODIMM DDR4/Speed 2400/8GB/512×8/2R/SA/CL17/p/n 78.C2GF4.4010B

Под заказ

В корзину

78.B2GF4.4000B

Модуль оперативной памяти SODIMM DDR4/Speed 2400/4GB/512×8/1R/SA/CL17/p/n 78.B2GF4.4000B

Под заказ

В корзину

78.C2GF0.4010B

Модуль оперативной памяти SODIMM DDR4/Speed 2133/8GB/512×8/2R/SA/CL15/p/n 78.C2GF0.4010B

Под заказ

В корзину

78.B2GF0.4000B

Модуль оперативной памяти SODIMM DDR4/Speed 2133/4GB/512×8/1R/SA/CL15/p/n 78.B2GF0.4000B

Под заказ

В корзину

78.C2GCY.4030C

Модуль оперативной памяти SODIMM DDR3/Speed 1333/8GB/512×8/2R/SA/CL9/p/n 78. C2GCY.4030C

Под заказ

В корзину

78.B2GCY.4000C

Модуль оперативной памяти SODIMM DDR3/Speed 1333/4GB/512×8/1R/SA/CL9/p/n 78.B2GCY.4000C

Под заказ

В корзину

78.C2GCZ.4030C

Модуль оперативной памяти SODIMM DDR3/Speed 1600/8GB/512×8/2R/SA/CL11/p/n 78.C2GCZ.4030C

Под заказ

В корзину

78.B2GCZ.4000C

Модуль оперативной памяти SODIMM DDR3/Speed 1600/4GB/512×8/1R/SA/CL11/p/n 78.B2GCZ.4000C

Под заказ

В корзину

78.02G50.443

Модуль оперативной памяти SODIMM DDR/Speed 400/1GB/64×8 BGA/2R/PM/CL3/p/n 78.02G50.443

Под заказ

В корзину

78.B2GDW.4040B

Модуль оперативной памяти SODIMM DDR3/Speed 1866/4GB/512×8/1R/SA/CL13/p/n 78.B2GDW.4040B

Под заказ

В корзину

78.A2GEJ.4010C

Модуль оперативной памяти SODIMM DDR3/Speed 1866/2GB/256×16/1R/SA/CL13/p/n 78. A2GEJ.4010C

Под заказ

В корзину

78.C2GFR.4010B

Модуль оперативной памяти SODIMM DDR4/Speed 2400/8GB/512×16/2R/SA/CL17/p/n 78.C2GFR.4010B

Под заказ

В корзину

78.B2GF7.4010B

Модуль оперативной памяти SODIMM DDR4/Speed 2400/4GB/256×16/2R/SA/CL17/p/n 78.B2GF7.4010B

Под заказ

В корзину

D22.23308S.001

Модуль оперативной памяти SODIMM DDR4/Speed 2666/32GB/2048×8/2R/SA/CL19/p/n D22.23308S.001

Под заказ

В корзину

78.D2GG7.4010B

Модуль оперативной памяти SODIMM DDR4/Speed 2666/16GB/1024×8/2R/SA/CL19/p/n 78.D2GG7.4010B

Под заказ

В корзину

78.C2GG7.4000B

Модуль оперативной памяти SODIMM DDR4/Speed 2666/8GB/1024×8/1R/SA/CL19/p/n 78.C2GG7.4000B

Под заказ

В корзину

78.C2GG6.4010B

Модуль оперативной памяти SODIMM DDR4/Speed 2666/8GB/512×16/2R/SA/CL19/p/n 78. C2GG6.4010B

Под заказ

В корзину

78.B2GG6.4000B

Модуль оперативной памяти SODIMM DDR4/Speed 2666/4GB/512×16/1R/SA/CL19/p/n 78.B2GG6.4000B

Под заказ

В корзину

78.B2GG5.4000B

Модуль оперативной памяти SODIMM DDR4/Speed 2666/4GB/512×8/1R/SA/CL19/p/n 78.B2GG5.4000B

Под заказ

В корзину

78.A2GG4.4000B

Модуль оперативной памяти SODIMM DDR4/Speed 2666/2GB/256×16/1R/SA/CL19/p/n 78.A2GG4.4000B

Под заказ

В корзину

78.02G87.405

Промышленная память DDR2 667 32Bit SODIMM 1GB 128×8 SA

В наличии

В корзину

77.G0937.442

Модуль оперативной памяти SODIMM SODIMM DDR 400 128MB 16×16 1R PM CL3

Под заказ

В корзину

78.D2GF2.AF10B

Модуль оперативной памяти SODIMM SODIMM DDR4 2400 16GB 1024×8 2R HY CL17

Под заказ

В корзину

78. C2GF2.AF00B

Модуль оперативной памяти SODIMM SODIMM DDR4 2400 8GB 1024×8 1R HY CL17

Под заказ

В корзину

78.A2G86.405

Модуль оперативной памяти DDR2 SO-DIMM 800 2GB 128×8 2R SA CL6

Под заказ

В корзину

78.A2GCL.4000C

Модуль оперативной памяти SODIMM SODIMM DDR3L 1333 2GB 256×8 1R SA CL9

Под заказ

В корзину

78.A2GCR.4000C

Модуль оперативной памяти SODIMM SODIMM DDR3L 1600 2GB 256×8 1R SA CL11

Под заказ

В корзину

78.C2GCM.4030C

Модуль оперативной памяти SODIMM SODIMM DDR3 1333 8GB 512×8 2R SA CL9

Под заказ

В корзину

78.B2GCM.4000C

Модуль оперативной памяти SODIMM SODIMM DDR3 1333 4GB 512×8 1R SA CL9

Под заказ

В корзину

78. B2GC9.4010C

Модуль оперативной памяти SODIMM SODIMM DDR3 1333 4GB 256×8 2R SA CL9

Под заказ

В корзину

78.A2GC9.4000C

Модуль оперативной памяти SODIMM SODIMM DDR3 1333 2GB 256×8 1R SA CL9

Под заказ

В корзину

78.02GC6.4000C

Модуль оперативной памяти SODIMM SODIMM DDR3 1333 1GB 128×8 1R SA CL9

Под заказ

В корзину

78.B2GCN.4000C

Модуль оперативной памяти SODIMM SODIMM DDR3 1600 4GB 512×8 1R SA CL11

Под заказ

В корзину

78.A2GCJ.4000C

Модуль оперативной памяти SODIMM SODIMM DDR3 1600 2GB 256×8 1R SA CL11

Под заказ

В корзину

77.G0637.440

Модуль оперативной памяти DDR SO-DIMM 400 256MB 32×8 1R PM CL3

Под заказ

В корзину

78. B2GCR.4010C

Модуль оперативной памяти SODIMM SODIMM DDR3L 1600 4GB 256×8 2R SA CL11

Под заказ

В корзину

77.G1737.440

Модуль оперативной памяти DDR SO-DIMM 400 512MB 64×8 1R PM CL3

Под заказ

В корзину

78.A2G72.405

Модуль оперативной памяти DDR2 SO-DIMM 667 2GB 128×8 2R SA CL5

Под заказ

В корзину

78.02G72.402

Модуль оперативной памяти DDR2 SO-DIMM 667 1GB 128×8 1R SA CL5

Под заказ

В корзину

78.02G86.402

Модуль оперативной памяти DDR2 SO-DIMM 800 1GB 128×8 1R SA CL6

Под заказ

В корзину

78.B2GEJ.4000C

Модуль оперативной памяти DDR3 SO-DIMM 1866 4GB 256×16 1R SA CL13 78. B2GEJ.4000C

Под заказ

В корзину

78.A2GEC.4040B

Модуль оперативной памяти DDR3 SO-DIMM 1866 2GB 256×8 1R SA CL13 78.A2GEC.4040B

Под заказ

В корзину

78.02GEK.4010C

Модуль оперативной памяти DDR3 SO-DIMM 1866 1GB 128×16 1R SA CL13 78.02GEK.4010C

Под заказ

В корзину

78.C2GGA.4010B

Модуль оперативной памяти DDR4 SO-DIMM 32bit 2400 8GB 1024×8 1R SA CL17 78.C2GGA.4010B

Под заказ

В корзину

78.B2GFZ.4010B

Модуль оперативной памяти DDR4 SO-DIMM 32bit 2400 4GB 512×8 1R SA CL17 78.B2GFZ.4010B

Под заказ

В корзину

78.D2GDY.AT30C

Модуль оперативной памяти SODIMM SODIMM DDR3L 1600 16GB 1024×8 2R MC CL11

Под заказ

В корзину

78. 02GC3.AF0

DDR3 1066 SO-DIMM 1GB 128×8 HY

Под заказ

В корзину

71.G0670.400

PC133 SO-DIMM 256MB 32×8 SA

Под заказ

В корзину

71.G0370.400

PC133 SO-DIMM 128MB 16×8 SA

Под заказ

В корзину

78.02G50.403

DDR 400 SO-DIMM 1GB 64X8(BGA) SA

Под заказ

В корзину

77.G1737.400

DDR 400 SO-DIMM 512MB 64×8 SA

Под заказ

В корзину

77.G0637.400

DDR 400 SO-DIMM 256MB 32×8 SA

Под заказ

В корзину

77.G0937.AC20C

DDR 400 SO-DIMM 128MB 16×16 NAN

Под заказ

В корзину

78. 92G87.402

DDR2 667 32Bit SODIMM 512MB 128×8 SA

Под заказ

В корзину

78.02G63.405

Модуль памяти DDR2 SODIMM 1G 64×8 5300-5 G

Под заказ

В корзину

78.B2G84.AT50C

Модуль оперативной памяти SODIMM DDR2 800 4GB 256×8 2R MC CL6

Под заказ

В корзину

78.A2G84.AT20C

DDR2 800 SO-DIMM 2GB 256×8 MC

Под заказ

В корзину

78.C2GCZ.AT30C

DDR3 1600 1.35V SO-DIMM 8GB 512×8 MC

Под заказ

В корзину

78.B2GCR.AT10C

DDR3 1600 1.35V SO-DIMM 4GB 256×8 MC

Под заказ

В корзину

78.A2GCR.AT00C

DDR3 1600 1. 35V SO-DIMM 2GB 256×8 MC

Под заказ

В корзину

78.C2GCY.AT30C

DDR3 1333 1.35V SO-DIMM 8GB 512×8 MC

Под заказ

В корзину

Использование модуля памяти DDR3 с DS34S132

Скачать PDF

Abstract

В этих указаниях по применению объясняется, как соединить DS34S132, 32-точечную ИС TDM-over-packet, с микросхемой памяти DDR3. DS34S132 использует внешнее синхронное устройство DRAM с удвоенной скоростью передачи данных (DDR) (или DDR1) для буферизации данных. Память обеспечивает достаточное буферное пространство для поддержки изменения задержки пакетов (PDV) на 256 мс для каждого из 256 псевдопроводов (PW)/пакетов и для обеспечения возможности переупорядочивания пакетов.

Введение

DS34S132, 32-портовая ИС TDM-over-packet, использует внешнее синхронное устройство DRAM с удвоенной скоростью передачи данных (DDR) (также называемое «DDR1») для буферизации данных. Большой объем памяти обеспечивает достаточное пространство буфера для поддержки изменения задержки пакетов (PDV) на 256 мс для каждого из 256 индивидуально настраиваемых псевдопроводов (PW)/связок. Память также позволяет переупорядочивать пакеты, если сеть коммутации пакетов (PSN) неправильно упорядочивает пакеты. Поскольку память DDR3 легкодоступна, более удобно использовать микросхему памяти DDR типа 3 (DDR3) с DS34S132. В этих указаниях по применению объясняется, как подключить DS34S132 к микросхеме памяти DDR3.

На рис. 1 показана предлагаемая блок-схема замены DDR1 на FPGA и DDR3.

Рисунок 1. Замена DDR1 на DDR3 и FPGA.

Интерфейс DDR SDRAM имеет более высокую скорость передачи, чем обычная SDRAM, благодаря сложному управлению синхронизацией электрических данных и тактовых сигналов. Например, DDR SDRAM с тактовой частотой 125 МГц может почти в два раза увеличить пропускную способность (BW) SDRAM, работающей на той же частоте. Таким образом, теперь Maxim использует DDR1 вместо SDRAM, которая использовалась в устройствах Maxim TDM over Packet (TDMoP) предыдущего поколения.

DDR3 SDRAM — это спецификация интерфейса DRAM. Фактические массивы DRAM, в которых хранятся данные, аналогичны более ранним типам с аналогичной производительностью. DDR3 SDRAM может передавать данные в четыре раза быстрее, чем DDR1, и, таким образом, обеспечивает более высокую пропускную способность.

В наши дни модули памяти DDR1 не так широко доступны, как DDR2 или DDR3. К сожалению, DDR2 и DDR3 не имеют ни обратной, ни прямой совместимости с DDR1. Таким образом, модули памяти DDR2 или DDR3 не будут работать в материнских платах с DDR, и наоборот.

Конфигурация интерфейса DDR DS34S132

Внутри устройства DS34S132 TDMoP,

• Интерфейс DDR1 должен быть запрограммирован на задержку строба столбца адреса (CAS) 3.
• «Частота обновления» должна быть рассчитана и запрограммирована так, чтобы иметь достаточно быстрый интервал для модуля памяти DDR3.
• Тактовая частота DDR составляет 125 МГц.

Стоит отметить, что DDR3 имеет 8 банков. DS34S132 имеет только 2 бита выбора банка. Следовательно, половина модуля памяти DDR3 (верхние банки) не будет использоваться.

Конфигурация DDR3

DDR3 должна работать на тактовой частоте 500 МГц. Эта частота выбрана потому, что она в четыре раза превышает тактовую частоту DDR1, равную 125 МГц.

Для моделирования Verilog® RTL мы использовали 8-битные данные, которые будут иметь полосу пропускания 500 МГц × 2 × 8 бит. Эта полоса пропускания в два раза превышает полосу пропускания 125 МГц × 2 × 16 бит на стороне DDR. Дополнительный BW будет использоваться для конвейерной передачи и передачи считанных данных из DDR3 в DS34S132 без использования памяти FIFO FPGA. Для DDR3 мы использовали:

• Задержка CAS: 8
• Задержка записи CAS: 6
• DLL сбрасывается, затем включается.

Для моделирования использовались спецификации Micron DDR3 MT41J128M8 (16 МБ × 8 × 8 банков).
время цикла для DDR3 составило 1,87 нс при CL = 8 (DDR3 — 1066) -187. Поддержка других конфигураций/скоростей DDR3 может потребовать дополнительных или значительных усилий.
DDR3, который мы использовали для моделирования, имел следующие характеристики:

 'elsif sg187 // sg187 эквивалентен бину скорости JEDEC DDR3-1066G (8-8-8)
время TCK_MIN 1875; // tCK ps Минимальное время такта
через TJIT_PER 90; // tJIT(per) ps Период JItter
эфир TJIT_CC 180; // tJIT(cc) ps Цикл за циклом джиттера
эфир TERR_2PER 132; // tERR(2per) ps Накопленная ошибка (2 цикла)
эфир TERR_3PER 157; // tERR(3per) ps Накопленная ошибка (3 цикла)
эфир TERR_4PER 175; // tERR(4per) ps Накопленная ошибка (4 цикла)
эфир TERR_5PER 188; // tERR(5per) ps Накопленная ошибка (5 циклов)
эфир TERR_6PER 200; // tERR(6per) ps Суммарная ошибка (6 циклов)
эфир TERR_7PER 209; // tERR(7per) ps Накопленная ошибка (7-цикл)
эфир TERR_8PER 217; // tERR(8per) ps Накопленная ошибка (8 циклов)
эфир TERR_9ПЕР 224; // tERR(9per) ps Накопленная ошибка (9-цикл)
эфир TERR_10PER 231; // tERR(10per)ps Суммарная ошибка (10 циклов)
эфир TERR_11PER 237; // tERR(11per)ps Суммарная ошибка (11 циклов)
эфир TERR_12PER 242; // tERR(12per)ps Суммарная ошибка (12 циклов)
эфир TDS 75; // tDS ps Время настройки входа DQ и DM относительно DQS
эфир ТДХ 100; // tDH ps Время удержания входа DQ и DM относительно DQS
эфир TDQSQ 150; // tDQSQ ps Перекос DQS-DQ, от DQS до последнего действительного DQ, на группу, на доступ
эфир TDQSS 0,25; // tDQSS tCK Нарастающий фронт тактового сигнала к переходу с фиксацией DQS/DQS#
эфир ТДСС 0,20; // tDSS tCK Спадающий фронт DQS на нарастающий CLK (время установки)
эфир ТДШ 0,20; // tDSH tCK DQS спадающий фронт от нарастания CLK (время удержания)
эфир TDQSCK 300; // tDQSCK ps Время доступа к выходу DQS из CK/CK#
эфир TQSH 0,38; // tQSH tCK DQS Длительность выходного высокого импульса
эфир TQSL 0,38; // tQSL tCK DQS Низкая длительность выходного импульса
эфир TDIPW 490; // tDIPW ps DQ и длительность входного импульса DM
эфир TIPW 780; // tIPW ps Управляющий и адресный ввод Длительность импульса
эфир ТИС 275; // tIS ps Время настройки входа
эфир ТИХ 200; // tIH ps Время удержания ввода
время TRAS_MIN 37500; // tRAS ps Минимальное время команды Active to Precharge
эфир TRC 52500; // tRC ps Active to Active/Auto Refresh command time
эфир 15000 турецких лир; // tRCD ps Активен для чтения/записи времени команды
эфир 15000 рупий; // tRP ps Период команды предварительной зарядки
эфир TXP 7500; // tXP ps Выключить питание до действительной команды
эфир TCKE 5625; // tCKE ps Минимальная ширина импульса CKE высокого или низкого уровня
эфир ТАОН 300; // tAON ps RTT включение по ссылке ODTLon
эфир TWLS 245; // tWLS ps Время установки для флопа tDQS
эфир TWLH 245; // tWLH ps Время удержания флопа tDQS
эфир TWLO 9000; // tWLO ps Запись выходной задержки выравнивания
через ТАА_МИН 15000; // TAA ps Внутренняя команда READ для первых данных
через CL_TIME 15000; // CL ps Минимальная задержка CAS
 

Конфигурация ПЛИС

FPGA имеет критические функции:

• При включении инициализирует микросхему памяти DDR3.
• После завершения инициализации он обслуживает следующие входящие команды DDR1 от DS34S132 путем преобразования в команды/данные DDR3.
  • и. Читать
  • ii. Напишите
  • III. Предварительная зарядка
  • ив. Используйте модуль цифровых часов (DCM) для умножения входящего тактового сигнала DDR1 (125 МГц) от DS34S132 на 4 для получения тактового сигнала DDR3 (500 МГц).
  • v. Используйте второй модуль DCM для генерации четырех фаз тактового сигнала DDR3 для синхронизации по фронту с DDR3. Кроме того, тактовая частота обратной связи (снаружи и сзади панели ввода-вывода) будет оптимально регулировать фазовое соотношение этих тактовых импульсов с фронтом тактового сигнала DDR1. Это помогло бы считывать синхронизацию данных с DS34S132.

Затем объединенная память FPGA и DDR3 будет выглядеть как память DDR1 для DS34S132. Код FPGA включает примитивы DCM и IO DDR. Пожалуйста, загрузите эти коды и спецификации по этой ссылке здесь.

Используемая ПЛИС Spartan для моделирования Verilog RTL имеет класс скорости -4, который должен поддерживать частоту 500 МГц. Ресурсы FPGA используют около 300 триггеров без использования оперативной памяти FPGA. Мы также использовали два DCM для преобразования тактовой частоты. Чтобы проверить работу схемы преобразования DDR1 в DDR3, мы провели следующие тесты в Verilog RTL-моделировании:

• Запустите тест в режиме DDR1 и запишите результаты.
• Запустите тест в режиме DDR3 через FPGA и запишите результаты.
• Мониторинг некоторых операций записи и чтения DDR3 проверяется индивидуально с помощью мониторинга операций записи и чтения DDR1. На Рис. 2 и Рис. 3 показаны результаты моделирования записи и чтения памяти DDR1 и DDR3.

В этой симуляции Verilog RTL мы смогли успешно отправить сигнал с DDR3 через FPGA на устройство. Мы также успешно считываем сигнал с устройства на DDR3. Таким образом, результат моделирования подтвердил, что эта тестовая схема конвертации из DDR1 в DDR3 работает корректно.

Рис. 2. Результаты моделирования записи для DDR1 (вверху) и DDR3 (внизу).

Рис. 3. Результаты моделирования чтения памяти DDR1 (вверху) и DDR3 (внизу).

Заключение

Мы реализовали моделирование Verilog RTL для FPGA с моделью параметров Micron DDR3 MT41J128M8 и уверены, что она будет работать с DDR3 и Spartan FPGA. Однако это решение не будет успешным для всех DDR3, и разработчик должен знать, какую DDR3 использовать. Отображение ПЛИС не реализовано и битовый файл не используется.

Для получения дополнительной информации об устройствах TDMoP или других телекоммуникационных продуктах Maxim обратитесь в службу технической поддержки.

Список продуктов | Synology Inc.

ФС6400

24 отсека

• 240 000 4K произвольная запись IOPS
• Двойной 8-ядерный ЦП 2,1 ГГц
• Synology RAID F1 для долговечности флэш-накопителей

FS3600

24 отсека

• 12-ядерный ЦП, ускорение Turbo Boost до 2,7 ГГц
• Более 195 000 операций ввода-вывода в секунду с произвольной записью iSCSI 4K
• Масштабирование до 72 твердотельных накопителей SAS/SATA

ФС3410

24 отсека

• Более 129 400 iSCSI 4K операций ввода-вывода в секунду со случайной записью
• Двойная встроенная сеть 10GbE
• 24 отсека для дисков SATA

ФС2500

12 отсеков

• Более 80 000 операций ввода-вывода в секунду с произвольной записью iSCSI 4K
• 4-ядерный ЦП, до 32 ГБ ОЗУ
• 12 отсеков для дисков SATA

HD6500

60 отсеков

• Два 10-ядерных процессора, ускорение до 3,2 ГГц в турборежиме
• До 300 отсеков для дисков
• Более 6688/6662 МБ/с при последовательном чтении/записи

СА6400

12 отсеков

• До 1,944 ПБ хранилища с 8 модулями расширения RX1223RP
• Более 6500/4000 МБ/с при последовательном чтении/записи
• Дополнительно 25/40GbE или Fibre Channel через расширение PCIe 3. 0

СА3610

12 отсеков

• 12-ядерный процессор Turbo Boost до 2,7 ГГц
• До 1,728 ПБ хранилища с 7 модулями расширения RX1222sas
• Более 6200/3000 МБ/с при последовательном чтении/записи

СА3410

12 отсеков

• 8-ядерный процессор Turbo Boost до 2,7 ГГц
• До 1,728 ПБ хранилища с 7 модулями расширения RX1222sas
• Более 6200/3000 МБ/с при последовательном чтении/записи

СА3200Д

12 отсеков

• Архитектура с двумя контроллерами
• 4-ядерный процессор Turbo Boost до 2,7 ГГц
• Более 90 000 операций ввода-вывода в секунду при произвольной записи 4K

RS4021xs+

16 отсеков

• Более 234 698 операций ввода-вывода в секунду при произвольном чтении 4K
• Два встроенных порта 10GbE
• До 40 отсеков с RX1217(RP)

RS3621xs+

12 отсеков

• Intel ^® Xeon ^® 8-ядерный процессор
• Два встроенных порта 10GbE
• До 64 ГБ DDR4 ECC UDIMM

RS3621RPxs

12 отсеков

• Intel ^® Xeon ^® 6-ядерный процессор
• Два слота PCIe
• Резервное питание

RS3618xs

12 отсеков

• Четырехъядерный ЦП 2,4 ГГц
• Масштабирование до 36 дисков
• Расширяемая память до 64 ГБ

RS1619xs+

4 отсека

• Четырехъядерный ЦП 2,2 ГГц
• Масштабирование до 224 ТБ Дополнительная поддержка 10GbE
• Встроенные слоты M. 2 NVMe для SSD-кэша

DS3622xs+

12 отсеков

• Шестиядерный процессор Intel ^® Xeon ^® 2,2 ГГц ЦП
• 2 x 10GbE и выделенное внешнее управление
• Весы до 36 приводов

DS1823xs+

8 отсеков

• Встроенные слоты M.2 NVMe для SSD-кэша или пулов хранения
• 1 x 10GbE RJ-45 и выделенное внешнее управление
• Весы до 18 приводов

RS2821RP+

16 отсеков

• Четырехъядерный ЦП 2,2 ГГц
• Масштабирование до 28 дисков
• Дополнительная поддержка 10/25GbE

RS2423RP+

12 отсеков

• Более 3500/1700 МБ/с при последовательном чтении/записи
• Масштабирование до 24 приводов
• Встроенный 1/10GbE с возможностью расширения 1/10/25GbE

RS2423+ / RS2423RP+

12 отсеков

• Более 3500/1700 МБ/с при последовательном чтении/записи
• Масштабирование до 24 приводов
• Встроенный 1/10GbE с возможностью расширения 1/10/25GbE

RS2421RP+

12 отсеков

• Четырехъядерный ЦП 2,2 ГГц
• Масштабирование до 24 дисков
• Дополнительная поддержка 10/25GbE

RS2421+ / RS2421RP+

12 отсеков

• Четырехъядерный ЦП 2,2 ГГц
• Масштабирование до 24 дисков
• Дополнительная поддержка 10/25GbE

RS1221RP+

8 отсеков

• Четырехъядерный ЦП 2,2 ГГц
• Масштабирование до 12 дисков
• Дополнительная поддержка 10GbE

RS1221+ / RS1221RP+

8 отсеков

• Четырехъядерный ЦП 2,2 ГГц
• Масштабирование до 12 дисков
• Дополнительная поддержка 10GbE

RS822RP+

4 отсека

• Более 2103/1074 МБ/с при последовательном чтении/записи
• 2 ГБ DDR4 ECC (макс. 32 ГБ)
• Встроенные 4 порта 1GbE с возможностью расширения 10/25 GbE

RS822+ / RS822RP+

4 отсека

• Более 2103/1074 МБ/с при последовательном чтении/записи
• 2 ГБ DDR4 ECC (макс. 32 ГБ)
• Встроенные 4 порта 1GbE с возможностью расширения 10/25 GbE

RS422+

4 отсека

• Скорость последовательного чтения более 590 МБ/с
• Компактная конструкция высотой 1U и глубиной 12 дюймов
• Дополнительная поддержка 10GbE

DS2422+

12 отсеков

• Четырехъядерный ЦП 2,2 ГГц
• До 32 ГБ DDR4 ECC SODIMM
• Масштабирование до 24 приводов

DS1821+

8 отсеков

• Четырехъядерный ЦП 2,2 ГГц
• Встроенные слоты M.2 NVMe для SSD-кэша
• Весы до 18 приводов

DS1621+

6 отсеков

• Четырехъядерный ЦП 2,2 ГГц
• Встроенные слоты M.