Какие тайминги лучше для ddr3 1333: Тестирование модулей оперативной памяти DDR3-1333 и DDR3-1600 объемом 8 Гбайт (страница 3)

Содержание

Разгон оперативной памяти. Тайминги, частоты, напряжения. / Блог с перчинкой

Изменение частоты памяти не влияет на её реальную скорость. «Что за бред! Чем выше частота, тем лучше!» — возразите вы. Дочитайте статью до конца и я развею все ваши сомнения.

«Физика» работы памяти

Каждая микросхема памяти состоит из миллионов ячеек данных. Каждая ячейка, в свою очередь, может хранить только одно из двух возможных значений, либо 0, либо 1. Но это только на логическом уровне, на физическом же уровне ячейка представляет из себя конденсатор, запасающий определенный уровень заряда. Если уровень напряжения выше определенного значения, считаем, что в ячейке записана логическая единица, если ниже логический ноль. Таким образом, каждая ячейка памяти хранит 1 бит данных.

Как всегда, в бочке мёда, есть ложка дёгтя. У ячеек данных слишком короткая память, дело в том, что конденсаторы слишком быстро разряжаются, всего за несколько миллисекунд ячейка способна забыть всё. Что тут говорить, даже при чтении данных расходуется заряд. Но помощь приходит контроллер.

Всем этим оркестром ячеек дирижирует контроллер. У микроконтроллера в арсенале есть всего 2 инструмента: вольтметр и «зарядник». Контроллер получает питание с материнской платы и именно «мамка» решает на каком напряжении будет работать память. Именно этим напряжением контроллер заряжает ячейки с логической единицей, при логическом же нуле контроллер разряжает ячейку.

Удерживаем данные в памяти

Как я писал выше, данные нельзя хранить просто так, все записанное будет потеряно в считанные миллисекунды. Умные головы придумали как решить эту проблему и научили контроллер постоянно сканировать ячейки и подзаряжать их. Контроллер памяти проходит все ячейки памяти сотни раз в секунду, считывая значения и записывая в ячейки эти же самые значения, тем самым подзаряжает разрядившиеся ячейки.

Если перестать подзаряжать ячейки памяти, данные будут потеряны. Именно поэтому оперативную память называют энергозависимой.

Разгон оперативной памяти

Все операции в оперативной памяти зависят от:

  • частоты
  • таймингов
  • напряжения

Тестовый образец

Цифра прописанная на планке оперативной памяти не является тактовой частотой. Реальной частотой будет половина от указанной, DDR (Double Data Rate — удвоенная скорость передачи данных). Поэтому память DDR-400 работает на частоте 200 МГц, DDR2-800 на частоте 400 МГц, а DDR3-1333 на 666 МГц и т.д.

Итак, если на нашей планке оперативной памяти стоит метка 1600 МГц, значит оперативная память работает на частоте 800 МГц и может выполнить ровно 800 000 000 тактов за 1 секунду. А один такт будет длиться 1/800 000 000 = 125 нс (наносекунд)

Физические ограничения

Мы подобрались к главному в разгоне, а именно физическому ограничению, контроллер просто не успеет зарядить ячейку памяти за 1 шаг, на это требуется потратить времени не меньше, чем определенного физическими законам. А то, что нельзя сделать за 1 шаг, делается за несколько.

физическое ограничение памяти

Например, в нашем случае, требуется потратить около 7 шагов на зарядку. Таким образом, зарядка ячейки длится 875 нс. Полное кол-во шагов, за которые можно выполнить одну операцию, буть то чтение, запись, стирание или зарядка, называют таймингами.

Стоит оговориться и сказать. Есть способ зарядить ячейку быстрее, нужно заряжать её большим напряжением. Если мы увеличиваем базовое напряжение работы оперативной памяти, то получаем преимущество по времени зарядки и следовательно можем уменьшить тайминг, тем самым увеличив скорость.

Итак, мы знает, что частота памяти это количество операций, которое может совершить контроллер за 1 секунду, в то время как тайминги это количество шагов контроллера, требуемое для полного завершения 1 действия.

В оперативной памяти реализовано множество таймингов, каких именно в рамках статьи не имеет особо значения. Важно лишь одно, чем ниже тайминги, тем быстрее работает память.

Именно увеличивая частоты, исключительно в сочетании с таймингами можно добиться увеличения производительности.

Стандартные профили таймингов

Качественная материнская плата даёт массу возможностей по оверклокингу. В оперативную память же встроены стандартные профили таймингов, оперативная память точно знает какие тайминги нужно выставлять с предлагаемыми частотами и настойчиво рекомендует «мамке» использовать именно их. Войдя в BIOS в раздел оверклокинга оперативной памяти, первое за что хочется подергать, это частота оперативной памяти. При изменении частоты автоматически пересчитываются таймтинги. По факту вы получаете примерно ту же производительность, но для другой частоты. Кроме того, матплата старается держать тайминги в стабильной зоне работы.

Тайминги наглядно

Продолжаем рассматривать тестовый образец. Как будет вести себя память после разгона?

Частота
памяти,
Mhz
Тактов за
секунду,
шт
Время 1
таминга,
нс
Таймингов до
стабильной
зоны, шт
Всего
затрачено
времени, нс
24001 200 000 0008311913
1600800 000 0001257875
1333666 500 0001506900
1066533 000 0001805900
800400 000 00025041000

График таймингов, в зависимости от частоты. Красным обозначено минимальное количество таймингов до преодоления физического ограничения.

Как видим из таблицы и графика, поднимая частоту, нам необходимо увеличивать тайминги, а вот время затрачиваемое на операцию практически не изменяется, как и не растёт скорость.

Как видим, средняя оперативная память с частотой 800 будет равна по производительности оперативной памяти с частотой 2400. На что действительно стоит обратить внимание, так это качество материалов, которые применил производитель. Более качественные модули дадут возможность выставлять более низкие тайминги, а следовательно большее кол-во полезных операций.

Получается нельзя заставить работать память быстрее?

Можно, для это придётся увеличить напряжение. Повышенное напряжение быстрее заряжает ячейки памяти и тем самым зона физических ограничений уменьшается, следовательно можно уменьшить тайминги.

Изменяя частоту памяти никак не увеличить скорость?

Да, мои поздравления, теперь вы всё поняли! Меняя только частоту, скорость не увеличить. Для увеличения производительности дополнительно следует уменьшать тайминги и увеличивать напряжение.



Упсс.. что-то пошло не так, кажется, мы слишком занизили тайминги.

Обзор и тест оперативной памяти Kingston HyperX Beast DDR3-2133 16Gb — i2HARD

Руслан

4 июля 2013

Компания Kingston Technology – мировой лидер по производству оперативной памяти, который постоянно совершенствует свое производство и предлагает рынку все новые и новые продукты. 2013-й год не явился…

Компания Kingston Technology – мировой лидер по производству оперативной памяти, который постоянно совершенствует свое производство и предлагает рынку все новые и новые продукты. 2013-й год не явился исключением, компания обновила практически все линейки оперативной памяти для энтузиастов.

Так, в свет вышла серия оперативной памяти Kingston HyperX Beast. Модули HyperX Beast представлены в рамках семейства Predator, которое включает в себя самую современную память, ориентированную на продвинутых пользователей. Комплекты HyperX Beast поддерживают рабочую частоту до 2400 МГц для быстрой обработки данных и доступны в различных вариантах с емкостью от 8 Гб до 64 Гб. Новый дизайн и цветовое оформление радиаторов выделяют модули HyperX на фоне других предложений на рынке. Модули предназначены для использования в системах на базе процессоров Intel Core i5 и i7 3-го поколения и на базе новейших процессоров AMD серии A. Новинка обеспечивает высокую скорость работы, имеет самую большую емкость и поддерживает профили XMP.

Упаковка и внешний вид

К нам в редакцию i2Hardпопал двухканальный комплект оперативной памяти Kingston HyperX Beast KHX21C11T3K2/16X. Два модуля DDR3-2133 объемом по 8Гб каждый. Память поставляется в пластиковом блистере. Упаковка имеет прозрачную крышку, благодаря чему мы имеем возможность рассмотреть модули, не вскрывая упаковки.

На лицевой части упаковки указана маркировка и штрих-код товара.

Внутри пластикового контейнера модули уложены отдельно, каждый в свой отсек. Под одним из них находится документация.

На модули памяти серии HyperX Beast производитель дает пожизненную гарантию и бесплатную техническую поддержку.

Благодаря радиаторам агрессивной формы и темного цветового оформления, Kingston HyperX Beast имеет достаточно выразительный дизайн.

На одной из сторон каждого модуля находится наклейка с маркировкой и серийным номером продукта.

По фото наглядно видно, насколько радиатор системы охлаждения по высоте превышает сам модуль памяти.

Габариты Kingston HyperX Beast представлены на фото ниже.

Радиаторы системы охлаждения контактируют с микросхемами оперативной памяти через термопрокладки. Снимаются радиаторы несложно – достаточно нагреть модуль памяти феном или печкой-обогревателем.

Модули памяти без радиаторов собственной персоной. Под радиаторами скрываются микросхемы памяти от компании Hynix.

Чипы емкостью 512 Мб с маркировкой H5TQ4G83MFR установлены по обе стороны модуля памяти. Микросхема SPD имеет маркировку 34Ch2B2NM.

Установленные на материнскую плату модули памяти имеют следующий вид.

Технические характеристики

  • Тип памяти: DDR3
  • Объем одного модуля: 8 GB
  • Количество модулей: 2
  • Частота памяти: 2133 МГц
  • Тайминги: DDR3-1333 9-9-9-25; XMP DDR3-1600 9-9-9-27; XMP DDR-2133 11-12-11-30 1T
  • Пропускная способность: 17000 Мб/с
  • Напряжение: 1.6 B
  • Гарантия: пожизненная
  • XMP профили: есть

Конфигурация тестового стенда

Процессор Intel Core i7-3770k 3,5GHz LGA1155 (HyperThreading On, TurboBoost On, Vcpu 1.152V)
Материнская плата Gigabyte GA-Z77-D3H (Rev. 1.0 bios v.f18)
Оперативная память Kingston HyperX Beast DDR3-2133 16Gb (4Gb*2 PC-17000 CL 11-12-11-30 1,6V XMP Profile)
Видеокарта ZOTAC GeForce GTX 770 AMP! Edition
Блок питания Thermaltake ToughPower XT 775W
Жесткий диск SATA-3 1Tb Seagate 7200 Barracuda (ST1000DM003)
Монитор Samsung BX2335 23″ (1920×1080)
Кулер Thermalright SilverArrow SB-E Extreme
Термоинтерфейс Gelid GC-Extreme
Операционная система Windows 7 x64 SP1
Прочее ПО CPU-Z ROG 1.63, Aida64 3.00.2529 Beta

Используемый нами процессор Intel Core i7-3770k работал в штатном режиме с активированной технологией TurboBoost.

Информация из CPU-Z гласит, что модули произведены на 11-й неделе 2013 года. Kingston HyperX Beast имеют два профиля XMP DDR3-1600 и XMP DDR3-2133. Во время активации последнего напряжение на память увеличивается до 1,6 В.

Тестирование

При тестировании Kingston HyperX Beast на платформе Intel LGA 1155 была поставлена задача, как будут работать модули в штатном режиме, а также насколько корректно будет обеспечиваться работа при активации XMP профилей.При включении штатного режима DDR3-1333 биос материнской платы автоматически вставил тайминги 8-8-8-21-1Т. Такие задержки, конечно же, лучше прописанных в SPD модулей 9-9-9-25.

Тест Cache & Memory в Aida64.

Следующим на очереди в нашем тестировании идет профиль XMP DDR3-1600. При его активации материнская плата выставила настройки по таймингам 8-8-8-23-1Т. Данные настройки задержек также значительно лучше прописанных в SPD таймингов 9-9-9-27.

Проведем тест Cache & Memory в Aida64 и при режиме XMP DDR3-1600. Сравнив показания чтения, записи и копирования в памяти видно, что показатели возросли значительно.

Третьим на очереди идет профиль XMP DDR3-2133. При его активации настройки по таймингам автоматически приняли значения 10-11-10-26-2Т. Хотя в SPD модулей при XMP DDR3-2133 прописаны тайминги 11-12-11-30-1Т. Здесь мы не случайно выделяем тайминг Command Rate. Дело в том, при выставлении автоматических настроек именно его тестовая материнская плата предпочла понизить до значения 2Т. Поскольку данный тайминг оказывается слишком сильное влияние на производительность памяти в целом, то мы решили «восстановить справедливость», выставив вручную настройки Command Rate в положение 1Т, и уже при таких настройках провести тесты на производительность.

Снова тест Cache & Memory в Aida64, но теперь уже в режиме XMP DDR3-2133. Как видно по полученным результатам, показатели, по сравнению с тем же режимом DDR3-1333, возросли практически на 50%. Программа Aida64 упрямо детектирует тайминг Command Rate как 2Т, но это не более, чем ошибка программы на стадии бета-тестирования.

Протестировав память в синтетическом тесте Aida64, перейдем к более серьезным испытаниям.

Как видно по результатам тестов, повышение частоты оперативной памяти до заоблачных значений мало, что дает в играх, но любители бенчмарков могут получить при использовании этой памяти неплохую прибавку в производительности.

Вывод

Kingston HyperX Beast отлично показали себя в тестировании, позволив вкупе с материнской платойGigabyte GA-Z77-D3H использовать при активации XMP профилей более агрессивные настройки таймингов. Немаловажным плюсом в копилку этих модулей памяти будет и малый нагрев: во время тестирования радиаторы модулей памяти были чуть теплые. Что касается внешнего вида оперативной памяти Kingston HyperX Beast, то с такими радиаторами выглядят модули несколько агрессивно. Такой дизайн непременно придется по вкусу любителям моддинга. Отличная прибавка в производительности в ряде популярных бенчмарков 3D mark при активации XMP профилей позволяет с уверенностью рекомендоватьKingston HyperX Beast оверклокерам и энтузиастам.

Обзор и тест процессора Intel Core i5-9600k: 6-ядерник для разгона!

Что может предложить любителям оверклокинга 6-ядерный Intel Core i5-9600k, и до какой частоты можно разогнать этот процессор на материнской плате среднего уровня? Ответы на эти и другие вопросы в материале редакции I2HARD.ru.

Обзор и тестирование блока питания be quiet! System Power 9 500W

В нашей редакции побывали все модели блоков питания известного производителя из Германии be quiet!, в том числе и линейка System Power, рассчитанная на пользователей с ограниченным бюджетом. В начале…

Обзор и тест блока питания Cougar VTE 600W

В нашей редакции на тестировании побывало уже несколько блоков питания разных моделей производства фирмы Cougar. Не так давно были рассмотрены бюджетные представители серий STE и STX, теперь подошла…

Понимание таймингов ОЗУ — аппаратные секреты

Скорость ОЗУ

ОЗУ DDR, DDR2 и DDR3 классифицируются в соответствии с максимальной скоростью, с которой они могут работать, а также их таймингами. Тайминги оперативной памяти — это числа, такие как 3-4-4-8, 5-5-5-15, 7-7-7-21 или 9-9-9-24, чем меньше, тем лучше. В этом уроке мы объясним, что именно означает каждый из этих таймингов RAM.

Память DDR, DDR2 и DDR3 Ram соответствует классификации DDRxxx/PCyyyy. Кстати, если вам интересно узнать разницу между оперативной памятью DDR, DDR2 и DDR3, прочитайте наш учебник на эту тему.

Как разобраться в классификации оперативной памяти?

Первая классификация

Первое число, xxx, указывает максимальную тактовую частоту, поддерживаемую микросхемами памяти. Например, память DDR400 работает не более чем на частоте 400 МГц, DDR2-800 может работать на частоте до 800 МГц, а DDR3-1333 может работать на частоте до 1333 МГц. Важно отметить, что это не реальная тактовая частота памяти. Реальные часы памяти DDR, DDR2 и DDR3 составляют половину заявленной тактовой частоты. Таким образом, память DDR400 работает на частоте 200 МГц, память DDR2-800 работает на частоте 400 МГц, а память DDR3-1333 работает на частоте 666 МГц.

Вторая классификация

Второе число указывает максимальную скорость передачи, которой достигает память, в МБ/с. Память DDR400 передает данные со скоростью не более 3200 МБ/с, поэтому она помечена как PC3200. Память DDR2-800 передает данные со скоростью 6400 МБ/с и имеет маркировку PC2-6400. Память DDR3-1333 может передавать данные со скоростью 10 664 МБ/с и имеет маркировку PC3-10600 или PC3-10666. Как видите, мы используем цифру «2» или «3» после «DDR» или «ПК», чтобы указать, что мы говорим о памяти DDR2 или DDR3, а не о DDR.

Первая классификация, DDRxxx, — это стандарт, используемый для классификации микросхем памяти, а вторая классификация, PCyyyy, — стандарт, используемый для классификации модулей памяти. На рисунке 1 вы видите модуль памяти PC3-10666, в котором используются микросхемы памяти DDR3-1333. Обратите внимание на тайминги ОЗУ (7-7-7-18) и напряжение (1,5 В).

Обзор продукта

KOMPUTERBAY 2 ГБ (2 x 1 ГБ) DDR DIMM (184 PIN) 400 МГц PC3200 CL 3.0 Настольная память

  • KOMPUTERBAY 2GB (2 x 1GB ) DDR DIMM (184 PIN) 400Mhz PC3200 CL 3.0 DESKTOP MEMORY
  • WORKS ON MAC AND PC — 64×8 LOW DENSITY
  • BRAND NEW 2 X 1GB PC3200 DDR 400 Mhz
  • SUPPORTS DUAL CHANNEL 100 % ОБЪЕМ СОВМЕСТИМОЙ ПАМЯТИ: 2 ГБ (2×1 ГБ)
  • Пожизненная гарантия

Распродажа

Комплект DUOMEIQI 8 ГБ (4X 2 ГБ) DIMM UDIMM PC2-6400U DDR2 800 МГц PC2-6400 CL6 1,8 В 240-контактный модуль оперативной памяти для настольных ПК Подходит для системы Intel AMD без ECC без буферизации

  • ✅Модель: Настольная оперативная память pc2-6400 ddr2 800 МГц udimm ram 2RX8 240 Pin Non-ECC Unbuffered Desktop ddr2 sdram. (Перед установкой осторожно протрите фигуру соединения ластиком, не используйте едкие вещества, такие как этиловый спирт)
  • ✅Примечание: перед заказом убедитесь, что модель материнской платы вашего настольного компьютера и максимальный объем оперативной памяти
  • ✅Соединительный палец: расширенный процесс гальванического покрытия наносится на соединительный палец оперативной памяти pc2 6400 ddr2 800 МГц для улучшения коррозионной стойкости и электропроводности.
  • ✅Многофункциональность: этот комплект оперативной памяти ddr2 8 Гб увеличит пропускную способность, улучшит производительность системы, снизит энергопотребление и продлит срок службы батареи. Увеличенная скорость пакетного доступа для повышения пропускной способности последовательной передачи данных обеспечит вам отличный опыт работы в сети и в играх.
  • ✅ГАРАНТИЙНОЕ ОБСЛУЖИВАНИЕ: Пожизненная гарантия для вашей уверенной покупки этой оперативной памяти udimm ddr2-800. Любые проблемы, пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам, мы здесь для вас 24 часа.

Patriot 16 ГБ (2×8 ГБ) Viper III DDR3 1600 МГц (PC3 12800) CL9Память для настольных ПК с радиатором Black Mamba — PV316G160C9K

  • Емкость: 16 ГБ (2 x 8 ГБ) Комплект
  • Тип DIMM: 240-контактный UDIMM без ECC
  • Напряжение: 1,5 В
  • Частота:
  • Частота: PC3-160029 Тайминги: 9-9-9-24

Как рассчитать максимальную скорость передачи для модуля памяти?

Рисунок 1: Модуль памяти DDR3-1333/PC3-10666

Максимальная скорость передачи для модуля памяти может быть рассчитана по следующей формуле:

Максимальная теоретическая скорость передачи = часы x количество битов / 8

Поскольку модули DIMM передают 64 бита за раз, «количество битов» будет равно 64. Поскольку 64/8 равно 8, мы можем упростить эту формулу до:

Максимальная теоретическая скорость передачи = часы x 8

Если модуль памяти установлен в системе, в которой шина памяти работает с более низкой тактовой частотой, максимальная скорость передачи, которую может достичь модуль памяти, будет ниже его теоретической максимальной скорости передачи. . На самом деле, это очень распространенное заблуждение.

Как работает память RAM?

Допустим, вы купили пару модулей оперативной памяти DDR3-2133/PC3-17000. Несмотря на то, что они помечены как DDR3-2133, они не будут автоматически работать на частоте 2133 МГц в вашей системе. Это максимальная тактовая частота, которую они поддерживают, а не тактовая частота, с которой они будут работать.

Если вы установите его на обычный ПК, поддерживающий память RAM DDR3, она, вероятно, будет работать на частоте 1333 МГц (DDR3-1333), что является максимальной стандартной скоростью ОЗУ DDR3, достигая максимальной скорости передачи 10 664 МБ/с (или 21 328 МБ/с, если они работают в двухканальном режиме, прочтите наше руководство по двухканальному режиму, чтобы узнать больше об этом предмете). Таким образом, они не будут автоматически работать на частоте 2133 МГц и не будут автоматически достигать скорости передачи 17 000 МБ/с.

Почему стоит или не стоит покупать эти модули?

Итак, зачем кому-то покупать эти модули? Кто-то купит их для разгона. Поскольку производитель гарантирует, что эти модули будут работать на частоте до 2133 МГц, вы знаете, что можете увеличить тактовую частоту шины памяти до 1066 МГц, чтобы повысить производительность вашей системы. Однако ваша материнская плата должна поддерживать такой разгон (подробнее см. в нашем руководстве по разгону памяти). Таким образом, покупка модуля памяти с заявленной тактовой частотой выше той, которую поддерживает ваша система, бесполезна, если вы не собираетесь разгонять свою систему.

Для обычного пользователя это все, что нужно знать о памяти DDR, DDR2 и DDR3. Для продвинутого пользователя есть еще одна характеристика: временное использование памяти, также известное как тайминги или латентность. Давайте поговорим об этом.

Тайминги ОЗУ

Из-за таймингов два модуля памяти с одинаковой теоретической максимальной скоростью передачи могут достигать разных уровней производительности. Почему это возможно, если оба работают с одинаковой тактовой частотой?

Тайминги измеряют время, в течение которого микросхема памяти выполняет какие-либо внутренние действия. Вот пример. Рассмотрим самый известный параметр, который называется CAS Latency (или CL или «время доступа»), который говорит нам, сколько тактов будет задерживать модуль памяти при возврате данных, запрошенных ЦП.

Общие сведения о модулях памяти CL

Модуль памяти с CL 9 будет задерживать девять тактов для доставки запрошенных данных, тогда как модуль памяти с CL 7 задержит семь тактов для доставки. Хотя оба модуля могут работать с одинаковой тактовой частотой, второй будет быстрее, так как он будет доставлять данные раньше, чем первый. Эта проблема известна как «задержка». Как вы можете видеть на рис. 1, показанный на нем модуль имеет CL, равный 7.

Объяснение таймингов ОЗУ

Тайминги ОЗУ задаются последовательностью чисел; например, 4-4-4-8, 5-5-5-15, 7-7-7-21 или 9-9-9-24. Эти числа указывают количество тактов, которое требуется памяти для выполнения определенной операции. Чем меньше число, тем быстрее память. Модуль памяти, изображенный на рисунке 1, имеет тайминги 7-7-7-18, а модуль памяти, изображенный на рисунке 2, имеет тайминги 8-8-8-24.

Рис. 2: Модуль памяти DDR3-1600/PC3-12800 с таймингами 8-8-8-24

Эти номера обозначают следующие операции: CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD. Чтобы понять их, имейте в виду, что память внутренне организована как матрица. Здесь данные хранятся на пересечении строк и столбцов.

  • CL: задержка CAS. Время, которое проходит между отправкой команды в память и началом ответа на нее. Это время, которое проходит между запросом процессором некоторых данных из памяти и их возвратом.
  • tRCD: Задержка от RAS к CAS. Время, которое проходит между активацией строки (RAS) и столбца (CAS), где данные хранятся в матрице.
  • tRP: предварительная зарядка RAS. Время, которое проходит между отключением доступа к строке данных и началом доступа к другой строке данных.
  • tRAS: Активен для задержки предварительной зарядки. Как долго память должна ждать, пока можно будет инициировать следующий доступ к памяти.
  • CMD: Частота команд. Время, которое проходит между активацией микросхемы памяти и моментом, когда первая команда может быть отправлена ​​в память. Иногда это значение не объявляется. Обычно это T1 (1 такт) или T2 (2 такт).

Обычно у вас есть два варианта. Первый — настроить ПК на использование стандартных таймингов ОЗУ, обычно устанавливая для конфигурации памяти значение «Авто» в настройках материнской платы. Второй — вручную настроить компьютер на использование более низких таймингов памяти.

Тайминги материнской платы

Обратите внимание, что не все материнские платы позволяют изменять тайминги памяти. Кроме того, некоторые материнские платы могут не работать с очень низкими таймингами, и из-за этого они могут настроить ваш модуль памяти на работу с более высокими таймингами.

Рисунок 3: Конфигурация таймингов памяти при настройке материнской платы

Как работает разгон?

При разгоне памяти может потребоваться увеличить тайминги памяти, чтобы система работала стабильно. Вот тут и происходит кое-что очень интересное. Из-за увеличенных таймингов производительность памяти может снизиться, хотя теперь она настроена на работу с более высокой тактовой частотой из-за введенной задержки.

Еще одно преимущество модулей памяти, продаваемых специально для разгона. Производитель не только гарантирует, что ваш модуль памяти будет работать с заявленной тактовой частотой, но и гарантирует, что вы сможете поддерживать указанные тайминги на уровне указанных часов.

Чтобы легче было понять.

Например, даже если вы можете достичь частоты 1600 МГц (800 МГц x2) с модулями DDR3-1333/PC3-10600, на этих модулях может потребоваться увеличение таймингов памяти, а на модулях DDR3-1600/PC3-12800 производитель гарантирует, что вы сможете достичь 1600 МГц, сохраняя указанные тайминги.

Теперь мы пойдем еще дальше и подробно объясним каждый из параметров синхронизации памяти.

Задержка CAS (CL) Влияние на скорость ОЗУ

Как упоминалось ранее, задержка CAS (CL) является наиболее известным параметром памяти. Он сообщает нам, сколько тактов память будет задерживать возврат запрошенных данных. Память с CL = 7 задержит семь тактов для доставки данных, а память с CL = 9 задержит девять тактов для выполнения той же операции. Таким образом, для двух модулей памяти, работающих с одинаковой тактовой частотой, быстрее будет тот, у которого наименьший CL.

Прямой пример

Обратите внимание, что тактовая частота здесь — это реальная тактовая частота, на которой работает модуль памяти, т. е. половина номинальной тактовой частоты. Поскольку оперативная память DDR, DDR2 и DDR3 может передавать два данных за такт, их номинальная частота удваивается по сравнению с реальной тактовой частотой.

На рис. 4 показано, как работает CL. Мы привели два примера: модуль памяти с CL = 7 и модуль памяти с CL = 9. Синим цветом будет команда «чтения».

Рис. 4: Задержка CAS (CL)

Память с CL = 7 обеспечит улучшение задержки памяти на 22,2% по сравнению с памятью с CL = 9, учитывая, что обе работают с одинаковой тактовой частотой.

Можно даже рассчитать время задержки памяти до начала доставки данных. Период каждого тактового цикла можно легко рассчитать по формуле:

T = 1 / f

Таким образом, период каждого тактового цикла оперативной памяти DDR3-1333, работающей на частоте 1333 МГц (тактовая частота 666,66 МГц), будет равен 1,5. нс (нс = наносекунда; 1 нс = 0,000000001 с). Имейте в виду, что вам нужно использовать реальную тактовую частоту, которая составляет половину заявленной тактовой частоты. Таким образом, эта память DDR3-1333 будет задерживать 10,5 нс, чтобы начать доставку данных, если у нее CL = 7, или 13,5 нс, если у нее CL = 9., Например.

Объяснение пакетного режима

ОЗУ SDRAM, DDR, DDR2 и DDR3 реализуют пакетный режим, при котором данные, хранящиеся по следующим адресам, могут покинуть память только за один такт. Таким образом, в то время как первые данные будут задерживать тактовые циклы CL для выхода из памяти, следующие данные будут доставлены сразу после этого. Априорные данные, которые только что вышли из памяти, не должны ждать другого цикла CL. Кроме того, память DDR, DDR2 и DDR3 передает два данных за такт, поэтому они помечены как имеющие удвоенную тактовую частоту.

Задержка RAS-CAS (tRCD) Влияние на скорость ОЗУ

Рис. 5: Задержка RAS-CAS (tRCD)

Каждая микросхема памяти организована внутри как матрица. На пересечении каждой строки и столбца у нас есть небольшой конденсатор, который отвечает за хранение «0» или «1» — данных. Внутри памяти процесс доступа к сохраненным данным осуществляется путем активации сначала строки, а затем столбца, в котором она расположена.

RAS и CAS

Эта активация осуществляется с помощью двух управляющих сигналов, называемых RAS (строб адреса строки) и CAS (строб адреса столбца). Чем меньше времени между этими двумя сигналами, тем лучше, так как данные будут считаны раньше. На этот раз измеряется задержка RAS to CAS или tRCD. На рисунке 5 мы иллюстрируем это, показывая память с tRCD = 3,9.0007

Как видите, задержка RAS to CAS также является количеством тактовых циклов между командой «Active» и командой «read» или «write».

Как и в случае с задержкой CAS, задержка RAS to CAS работает с реальными часами памяти (что составляет половину помеченных часов). Чем ниже этот параметр, тем быстрее будет работать память, так как она раньше начнет чтение или запись данных.

RAS Precharged (tRP) Влияние на скорость ОЗУ

Рисунок 6: RAS Precharged (tRP)

После сбора данных из памяти необходимо выполнить команду Precharge, закрыть
нг используемой строки памяти и позволяет активировать новую строку. Время предварительной зарядки RAS (tRP) — это время, прошедшее между подачей команды Precharge и следующей активной командой. Как мы узнали из предыдущей страницы, команда Active запускает цикл чтения или записи.

На рис. 6 мы приводим пример памяти с tRP = 3.

Как и в случае с другими параметрами, RAS Precharge работает с реальными часами памяти (что составляет половину помеченных часов). Чем ниже этот параметр, тем быстрее будет работать память, так как она раньше выдаст команду Active.

Суммируя все, что мы видели, время, прошедшее между выдачей команды Precharge и фактическим получением данных, будет tRP + tRCD + CL.

Другие параметры, влияющие на тайминги ОЗУ

Давайте подробнее рассмотрим два других параметра: задержку активной до предварительной зарядки (tRAS) и скорость выполнения команд (CMD). Как и в случае с другими параметрами, эти два параметра работают с реальными часами памяти (которые составляют половину часов памяти, помеченных как часы). Чем ниже эти параметры, тем быстрее будет работать память.

  • Задержка от активного до предварительного заряда (tRAS): после того, как выдана активная команда, другая команда предварительного заряда не может быть выдана до тех пор, пока не истечет время tRAS. Таким образом, этот параметр ограничивает, когда память может начать чтение (или запись) другой строки.
  • Command Rate (CMD): это время, которое требуется чипу памяти от активации (через его CS – Chip Select – вывод) и когда любая команда может быть передана в память. Этот параметр имеет букву «Т». Возможные значения: 1T или 2T, что означает один тактовый цикл или два тактовых цикла соответственно.

Часто задаваемые вопросы

Насколько быстрой должна быть оперативная память для игрового ПК?

Для игр мы рекомендуем модули оперативной памяти, которые являются максимально быстрыми по понятным причинам. Начнем с того, что видеоигры в наши дни не только занимают довольно много оперативной памяти, но и разделяют эти данные. Вот почему вам понадобится ваша оперативная память, чтобы получить доступ ко всему как можно быстрее для бесперебойной работы. Вы должны выбрать двухканальную оперативную память DDR4 или DDR5 с частотой 3000 МГц или более. Эти модули могут быть довольно дорогими, но это лучше, чем сталкиваться с узкими местами во время интенсивных игровых сцен.

Влияют ли тайминги на оперативную память?

В целом, мы обнаружили, что если вы копнете достаточно глубоко, вы обнаружите, что время определенно имеет значение. Это не повлияет на каждую игру или приложение. Тем не менее, имеет смысл хотя бы учитывать тайминги при покупке оперативной памяти, особенно если вы можете получить лучшие тайминги. При этом мы рекомендуем покупать оперативную память только у проверенных брендов и у проверенных розничных продавцов.

2 Причины, по которым ваша гарантия может быть аннулирована.

Даже если теоретически гарантия на модуль ОЗУ действует пожизненно, на практике эту гарантию можно легко аннулировать. Это могло произойти из-за двух факторов. Во-первых, если кто-то в прошлом вмешивался в модуль, гарантия будет аннулирована. Во-вторых, если на нем слишком много слизи или жидкости, произойдет то же самое.

Скорость оперативной памяти ограничена процессором?

На самом деле именно сочетание процессора и материнской платы ограничивает скорость DIMM. Скорость DIMM будет только достигать нижнего предела скорости между ЦП и материнской платой. Например, ЦП может поддерживать скорость до 1600, а материнская плата поддерживает скорость до 2400. Однако модули DIMM будут поддерживать скорость до 1600. Короче говоря, ваш компьютер работает настолько быстро, насколько быстр его самый слабый компонент.

Последнее обновление 15.01.2023 в 00:06 / Партнерские ссылки / Изображения из Amazon Product Advertising API

Выводы: Вам нужен комплект памяти C12 3000 МГц?

Ян Катресс, , 26 сентября 2013 г. , 16:00 по восточному поясному времени, ,

,

    ,

  • Память
  • G.Skill
  • Хасуэлл
  • DDR3

89 Комментарии
|

89 Комментарии

Масштабирование памяти на Haswell: от DDR3-1333 до DDR3-3000 протестировано с помощью G.SkillВключение XMP с ASUS, GIGABYTE, ASRock и MSI на Z87Масштабирование памяти на Haswell: CPU Real WorldMemory Scaling на Haswell: CPU ComputeMemory Scaling на Haswell: IGP ComputeMemory Scaling on Haswell: IGP GamingMemory Scaling на Haswell: Single dGPU GamingMemory Scaling на Haswell: Tri-GPU CrossFireX GamingЦены и влияние Hynix FireВыводы: нужен ли вам комплект памяти C12 с частотой 3000 МГц?

Все основные производители памяти для энтузиастов соревнуются в гонке за МГц, чтобы продавать как можно больше МГц. Это почти все комплекты памяти Hynix MFR, известные своей высокой частотой МГц, но эти комплекты по-прежнему собираются тысячами, чтобы получить один или два модуля, которые бьют по высоким нотам. Поскольку контроллеры памяти Haswell с радостью принимают DDR3-2800, все сводится к , насколько полезен это увеличение памяти по сравнению с ценой, по которой она стоит для хранения и производства.

С точки зрения конкурентного разгона, результаты реальны — там, где важен каждый МГц, а производительность не стоит в меню, энтузиасты рады разогнать эти топовые комплекты до 4000 МГц+ (последние новости от G.Skill показывают 4x4GB DDR3-4072 в Ivy Bridge-E, самый быстрый результат в четырехканальном режиме). Реальность этой памяти часто такова, что энтузиасты не покупают, а заполняют память, снижая рентабельность.

Что касается реального использования на нашей платформе Haswell, следует дать некоторые рекомендации.

Избегать DDR3-1333 (и DDR3-1600)

Хотя скорость памяти не обязательно влияла на наши игровые результаты с одним графическим процессором, для реального использования или использования IGP скорость памяти выше этих поглотителей может привести к ощутимой (5% +) разнице в пропускной способности. Исходя из текущих цен, после пожара Hynix это может оказаться целесообразным, поскольку комплекты памяти выше DDR3-1600 теперь стоят примерно по той же цене.

МГц Имеет большее значение, чем tCL, если только вы не сравниваете в больших диапазонах МГц

При обсуждении комплектов памяти в нашем тестировании часто наблюдается небольшая разница при сравнении различных значений скорости команд — единственные проблемы, которые когда-либо возникали вместе с DDR3-1333 C9 и DDR3-1600 C11, которых, как мы уже советовали, лучше избегать. Тем не менее, выше DDR3-2400 преимущества в лучшем случае минимальны, возможно, с несколькими % точками, обеспечиваемыми настройками с несколькими графическими процессорами.

Однако tCL может играть роль при сравнении больших различий в МГц, таких как 2400 C12 и 1866 C8. Чтобы обеспечить подходящее сравнение, я мысленно использую «индекс производительности», который представляет собой значение МГц, деленное на tCL:

В качестве общего правила , ниже 2666 МГц, мой индекс производительности дает чрезвычайно приблизительное руководство относительно того, какие наборы предлагают более высокую производительность, чем другие. В целом мы видим 1333 С7 > 1333 С9, но 1333 С7 хуже, чем, например, 2133 С11.

При представлении двух комплектов рассчитайте этот индекс эффективности. Если комплекты одинаковые по количеству (в пределах 10%), то берем комплект с большей МГц. Если мы возьмем результаты минимальной частоты кадров Dirt 3 в конфигурации CFX и сопоставим их с индексом производительности, указанным выше, мы построим следующую кривую:

На графике показана тенденция убывающей отдачи в этом бенчмарке — чем выше PI, тем выше асимптотический предел. Обратите внимание на несколько результатов под линией с PI 167, 190 и 229 — это комплекты памяти с частотой 1333 МГц, что подтверждает идею о том, что при аналогичных значениях PI следует выбирать комплект с более высокой частотой МГц.

Конечно, стоимость является фактором — цена возрастает больше с MHz, чем с tCL, поэтому вступает в действие анализ «выгод от работы» — если покупка комплекта повышает вашу производительность на x процентов, сколько времени потребуется, чтобы окупить затраты? В играх с одним графическим процессором для нашей установки преимущества кажутся минимальными, но я вижу, что улучшения рабочей нагрузки происходят для чего-то более быстрого, чем 1600 C9. .

Помните порядок важности

Как я упоминал в начале этого обзора, порядок важности для памяти должен быть:

1.      Объем памяти

2.      Количество планок памяти

3.      Размещение этих планок в материнской плате

4.      МГц памяти

5.      Если XMP/AMP включен

6.      Подтайминги памяти

Я бы всегда советовал пользователю покупать больше памяти, если она ему нужна, а не покупать меньшее количество более быстрой памяти. Для геймеров общий совет, который можно услышать на форумах, состоит в том, чтобы взять сумму памяти ваших графических процессоров и добавить 4 ГБ или около того для Windows 7/8 — это должен быть минимальный объем памяти в вашей системе. Для большинства геймеров с одним графическим процессором это значение будет равно 8 ГБ (для всего, кроме Titan или двух графических процессоров) или для геймеров с двумя графическими процессорами выше 8 ГБ (рекомендуется придерживаться степени двойки).

G.Skill 2x4GB DDR3-3000 12-14-14 Комплект 1,65 В: нужен ли он нам?

Во-первых, большое спасибо G.Skill за комплект памяти, на котором проводились эти тесты — 3000 МГц в эфире может быть непростой задачей без комплекта, который действительно рассчитан на это. Этот комплект прошел испытания на всех основных материнских платах для разгона Z87, включая ASRock Z87 OC Formula в этом тесте.

На первый взгляд, инвестиции в этот комплект означают небольшой скачок к BCLK, который дает дополнительный прирост производительности исключительно за счет скорости шины даже при немного более низком множителе процессора. Помимо этого, есть лишь несколько сценариев, в которых память DDR3-3000 C12 превосходит что-либо в 5 раз дешевле — пара наших вычислительных тестов IGP, пара игровых сценариев IGP и пара игр Crossfire с тремя графическими процессорами. Тем не менее, тогда возникает спор о том, не стоит ли покупать дискретный графический процессор (или более совершенные графические процессоры) за дополнительную плату за память.

У комплекта памяти есть одно преимущество — оверклокерам, стремящимся к высоким частотам МГц, это нравится. В нашем тестировании мы стабильно набирали 3100 C12 для повседневного использования, одна из планок разгонялась до 3300 МГц в эфире при очень низких таймингах, а наш оверклокер K404 разогнал одну из планок до 3500 МГц на жидком азоте. В руках оверклокеров с гораздо большим количеством свободного времени (и знанием подсистемы) мы также видели DDR3-4400 МГц.

69 долларов0 для комплекта 2×4 ГБ смеются опытные сборщики систем. Это высокая цена для комплекта, который предлагает мало, кроме парада номеров. Возможно, следует помнить, что многие производители памяти также нацелены на высокие МГц — Corsair, Avexir, TeamGroup, Apacer и другие. Если бы у меня были эти деньги, чтобы тратить их на ежедневную систему Haswell, я мог бы купить 4×8 ГБ памяти DDR3-2400 C10 и обновить графический процессор на оставшиеся деньги.

Рекомендации Haswell

Для пользователей дискретных графических процессоров рекомендовать какой-либо комплект другому — непростой вопрос. С учетом ежедневных нагрузок хороший DDR3-1866 C9Комплект МГц будет соответствовать кривой в нужном месте, чтобы оставаться экономически эффективным. Пользователи с несколькими дополнительными долларами в заднем кармане могут обратить внимание на 2133 C9/2400 C10, которые немного продвигаются вверх по кривой и имеют потенциал, если выйдет игра, сильно зависящая от памяти. В конечном счете, тот же совет применим и к пользователям с несколькими графическими процессорами, а также к IGP: избегайте частот 1600 МГц и ниже.

Один из важных вопросов в связи с этим заключается в том, имеет ли значение скорость памяти в пространстве ноутбука. Это остается неиспользованным ресурсом для производителей памяти, главным образом потому, что это область, где экономия 5 долларов здесь и там может означать разницу между хорошим и недорогим продуктом. Но даже при наличии ноутбуков стоимостью более 2000 долларов 1333 МГц C9и 1600 C9-11 по-прежнему безраздельно господствуют. Мне сказали, что часто XMP даже не вариант для многих моделей, а это означает, что у некоторых накаченных комплектов SO-DIMM, недавно появившихся на рынке, мало возможностей.

Приложение:

Один момент, который я должен затронуть, который я не упомянул в статье. Рейтинг XMP для комплекта памяти определяется плотностью этого комплекта, т. е. комплект памяти 2×8 ГБ DDR3-2400 C11 может быть нестабильным при 2400 C11 при добавлении двух комплектов вместе в одной системе. Если у комплекта большой запас по высоте, то это возможно, но это не гарантия. Единственная гарантия заключается в том, что если вы приобретете один комплект (например, 4×8 2400 C11), то будет подтверждено, что он будет работать с номинальным временем. При определенных обстоятельствах это может быть немного дороже, но избавляет от головной боли, если приобретаемые вами комплекты не будут работать в системе с полной плотностью. Я определенно рекомендую покупать один комплект, а не играть с двумя комплектами меньшей плотности, даже если они из одной семьи. Рейтинг на комплекте соответствует плотности этого комплекта.

Ценообразование и эффект Hynix Fire

Масштабирование памяти на Haswell: от DDR3-1333 до DDR3-3000 протестировано с помощью G.

Читайте также: