Ddr3 1600 тайминги: Тестирование модулей оперативной памяти DDR3-1333 и DDR3-1600 объемом 8 Гбайт (страница 3)

Обзор модуля оперативной памяти DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z объемом 8 ГБ GECID.com.

::>Оперативная память
>2014
> Обзор модуля оперативной памяти DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z объемом 8 ГБ

26-11-2014

Для многих пользователей слово «Strontium» ассоциируется скорее с названием химического элемента, чем с крупной компанией по производству компьютерных комплектующих. Однако такое положение вещей будет сохраняться недолго. Данная компания всерьез нацелилась на рынок стран СНГ, поэтому есть все шансы, что ее продукция не обойдет и прилавки отечественных магазинов.

Под брендом Strontium выпускаются разные комплектующие, связанные в основном с твердотельной памятью. Так, в нашей тестовой лаборатории уже успели побывать: флэш-накопитель Strontium Jet Flash Drive SR16GBBJET и карта памяти формата microSDXC Strontium microSDXC Nitro Plus UHS-1 U3 SRP64GTFU1C. Теперь пришел черед познакомиться и с «тяжелой артиллерией» — оперативной памятью. В ассортименте продукции компании Strontium она представлена разными решениями, начиная со стандарта DDR1. Очевидно, что для многих читателей такие планки памяти сегодня окажутся не особо актуальными. Поэтому для знакомства мы выбрали модуль формата DDR3 — DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z объемом 8 ГБ. К слову, он же является и самым производительным во всей линейке оперативной памяти, выпускаемой под брендом Strontium.

Спецификация:

Упаковка и внешний вид модулей

Модуль DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z поставляется в стандартной пластиковой упаковке с прозрачной верхней крышкой. Она обеспечивает надежную защиту памяти во время транспортировки от механических повреждений и пробоя статического электричества. Поверх коробки можно обнаружить специальную ленту, на которой, помимо логотипа компании, нанесены основные характеристики модуля: объем (8 ГБ) и эффективная частота (1600 МГц).

Несмотря на то, что данный продукт нацелен на массовую аудиторию, он имеет пожизненную гарантию от производителя, как и более дорогие его аналоги.

Во внешнем виде планки памяти DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z нет ничего примечательного. Производитель даже отказался от использования системы охлаждения с целью снизить ее конечную стоимость. Хотя по большому счету дополнительные радиаторы здесь и не нужны. Работу на частоте DDR3-1600 при стандартном напряжении питания 1,5 В уж никак нельзя назвать экстремальным режимом, который будет сопровождаться большим нагревом микросхем памяти. Поэтому в данном случае вполне хватит природной конвекции.

В качестве подтверждения наших слов можем привести температурные показатели, зафиксированные во время тестирования модуля DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z под продолжительной нагрузкой. В таком режиме нагрев чипов памяти составил всего лишь 38,1°С, что является довольно хорошим результатом. Правда, здесь стоит сделать одно уточнение: эксперимент проводился с одной планкой. Скорее всего, в своей системе вы будете использовать два или даже четыре таких модуля, что, естественно, скажется на нагреве микросхем памяти. Однако переживать по этому поводу особо не стоит: температурные показатели все равно будут очень далекими от критических значений.

На всякий случай отметим, что согласно спецификации, максимальная температура воздуха, при которой DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z разрешается эксплуатировать, составляет 95°С.

К тому же у модулей памяти, лишенных дополнительной системы охлаждения, есть и свои преимущества. К примеру, они имеют высоту всего лишь 30 мм, а значит, будут совместимы практически со всеми доступными на рынке процессорными кулерами. Для решений, нацеленных на массовую аудиторию, к которым, безусловно, относится и DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z, это является довольно важным фактором.

Сам модуль выполнен на текстолите зеленого цвета, с обеих сторон которого прикреплено по 8 чипов памяти, емкостью 512 МБ каждый. Таким образом, его суммарный объем составляет 8 ГБ.

Производителем микросхем памяти с маркировкой K4B4G0846D-BCK0 является небезызвестная компания Samsung. Это не самый «удачный» вариант чипов из данной серии. Согласно документации, в нее входят и более производительные решения (с символами «-BCNB» в конце названия), способные работать на частоте 2133 МГц. Однако это не повод ставить крест на разгонном потенциале модуля DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z. Просто с микросхемами памяти Samsung K4B4G0846D-BCK0 шанс на удачную оптимизацию его параметров будет меньше.

Микросхема SPD EEPROM представлена чипом с маркировкой D1U S27 производства компании ON Semiconductor.

На модуле DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z мы обнаружили сразу два стикера. Один из них был наклеен сотрудниками компании Strontium, а второй, по-видимому, остался от OEM-производителя планок памяти. Хотя и без этикетки легко догадаться, что им является компания Samsung.

Что касается технических данных, то на фирменном стикере отмечены лишь основные характеристики: маркировка (SRT8G86U1-P9Z), объем модуля (8 ГБ) и его эффективная частота (1600 МГц). На наш взгляд, не лишним было бы указать еще набор таймингов и номинальное напряжение питания.

Технические характеристики и режимы работы

Более подробную информацию можно получить с помощью специальных утилит. Мы отказались от использования популярных программ AIDA64 и CPU-Z, так как они интерпретируют информацию из SPD по старому алгоритму и не всегда корректно. Чтобы избежать появления возможных неточностей, было решено задействовать утилиту Thaiphoon Burner, разработанную специально для диагностики оперативной памяти. Выше подан краткий и подробный отчеты о технических характеристиках модуля DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z.

Интересно отметить, что специалисты компании Strontium не стали менять информацию в SPD. Поэтому не удивляйтесь, что по данным программы производителем по-прежнему числится Samsung, а маркировка модулей определяется как M378B1G73DB0-CK0.

Вполне очевидно, что для памяти такого уровня не предусмотрено никаких XMP-профилей. После включения системы загружается первый режим DDR3-1600 МГц 11-11-11-28. Он же является и самым оптимальным. Номинальное напряжение питания модуля составляет 1,5 В.

Тестирование

Для проведения тестов мы использовали такую конфигурацию стенда:

Оппонентом в тестировании выступал модуль DDR3-2400 TwinMOS TwiSTER 9DHCGN4B-HAWP объемом 4 ГБ. Соответственно, подсистема памяти работала в одноканальном режиме. Также в данном эксперименте мы решили выяснить влияние количества используемых каналов памяти на производительность ПК. Для этих целей была задействована вторая планка DDR3-2400 TwinMOS TwiSTER 9DHCGN4B-HAWP.

В результате тестирование происходило в следующих режимах работы:

Сначала давайте посмотрим, как проявил себя модуль DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z на фоне своего оппонента, работая в одноканальном режиме. При одинаковых настройках разница в результатах была на уровне погрешности. Из этого можно сделать вывод, что в плане производительности память Strontium в сопоставимых условиях эксплуатации ничем не уступает более именитым аналогам.

Если же сравнивать между собой два режима (DDR3-1333 и DDR3-1600), то использование более высокой частоты выльется в прирост быстродействия ПК на уровне 2-5%. В принципе, немного, но ведь в данном случае мы говорим о повседневных приложениях. В узкоспециализированных программных пакетах, более требовательных к ресурсам компьютера, в том числе и к производительности подсистемы памяти, разница будет измеряться уже десятками процентов. Для подтверждения этих слов достаточно взглянуть на результат бенчмарка AIDA64. Переход с частоты 1333 на 1600 МГц приводит к 20%-ому росту скорости копирования / записи / чтения из памяти.

Что касается целесообразности использования двухканального режима, то графики говорят сами за себя. Солидное преимущество над одноканальным режимом наблюдается лишь в синтетических тестах. Здесь оно может достигать даже 100%. В реальных же приложениях разница менее существенная — на уровне 3-10%. Примечательно, что наиболее чувствительными к количеству используемых каналов памяти оказались игры. Да, использование одноканального режима не приводит к катастрофическому падению количества FPS на экране. Однако если вы желаете выжать максимум производительности из своего компьютера, особенно в играх, то стоит применять именно двухканальную (а по возможности и четырехканальную) организацию подсистемы памяти.

Разгон

Как мы уже писали выше, планки DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z ориентированы на массового пользователя, поэтому требовать от них большого разгонного потенциала было бы неправильно.

Однако каково же было наше удивление, когда тестируемому модулю покорилась отметка в 2400 МГц, что соответствует приросту 50% по сравнению с номинальной частотой. Такой результат можно назвать не иначе, как отличным. Для его достижения тайминги были увеличены до 13-13-13-34, а напряжение питания — до 1,65 В. Как можно убедиться, никаких экстремальных значений не выставлялось. Иными словами, такие параметры можно использовать на постоянной основе, не боясь вывести модуль памяти из строя.

Конечно, с двумя планками DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z, работающими в двухканальном режиме, нам вряд ли удалось бы достичь отметки в 2400 МГц. Скорее всего, пришлось бы довольствоваться чуть меньшими значениями (2133 или 2200 МГц). Поскольку в двухканальном режиме труднее обеспечить стабильную работу подсистемы оперативной памяти на высоких частотах. Однако этот факт ни в коем случае не нивелирует отличный разгонный потенциал, которым обладает модуль DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z.

Средний прирост производительности составил 8,51%, что для оперативной памяти является очень хорошим результатом. Конечно, в повседневных программах или играх (на ПК с дискретной видеокартой) такой прирост не особо будет заметен на глаз, однако в «тяжелых» профессиональных приложениях (CAD, системы для сложных математических расчетов и т.д.) может уже более существенно повлиять на их быстродействие.

Режим DDR3-1600 МГц, задержки — 11-11-11-28

Режим DDR3-2400 МГц, задержки — 13-13-13-34

Не менее ощутимый эффект наблюдается в оверклокерских дисциплинах, например, в бенчмарке SuperPi (32M). В данном случае увеличение частоты с 1600 до 2400 МГц снизило скорость прохождения теста на 23,459 с — огромная, по оверклокерским меркам, разница.

Чтобы убедиться в стабильности функционирования планки DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z после увеличения частоты ее работы, было использовано стандартное средство проверки памяти операционной системы Windows 7. После 27-ми циклов теста никаких ошибок не выявлено, что позволяет говорить об удачном разгоне и стабильной работе всей системы. Во время прохождения эксперимента мы также решили измерить температуру модуля памяти. Она составила 40,9°С, что всего лишь на 2,8°С больше, чем в номинальном режиме работы.

Выводы

Протестировав не один десяток комплектов оперативной памяти, нас уже трудно чем-то удивить в этой области. Но компании Strontium все же удалось это сделать. На первый взгляд, самый обычный модуль DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z на деле оказался достойным звания «оверлокерского». По крайней мере, об этом говорит его отличный разгонный потенциал. С номинальных 1600 МГц нам удалось ускорить его до 2400 МГц. Причем для достижения такого результата не пришлось выставлять запредельные значения задержек или поднимать «до небес» напряжение питания. Отметка в 2400 МГц покорилась при довольно типичных для этого режима показателях: 13-13-13-34 и 1,65 В. Стоит добавить, что и с перегревом чипов памяти тоже не было никаких проблем.

Конечно, такие результаты были достигнуты при тестировании DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z в одноканальном режиме. Использование второго аналогичного модуля для организации двухканального режима в итоге немного ухудшит показатели разгона. Однако, как показала практика, именно такая конфигурация подсистемы оперативной памяти позволяет выжать максимум возможностей из компьютера.

Теперь остается только дождаться появления планок DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z на прилавках магазинов. Уверены, они станут хитом продаж в низшем ценовом сегменте. Ведь в них реализована идея, с которой, собственно, начинался оверклокинг: покупка дешевых комплектующих и дальнейшая оптимизация их параметров с целью достижения уровня производительности более дорогих аналогов.

Автор: Сергей Мещанчук

Выражаем благодарность компании Strontium за предоставленный для тестирования модуль оперативной памяти.

Выражаем благодарность компаниям ASRock, Intel, Sea Sonic Electronics и ZOTAC за предоставленное для тестового стенда оборудование.

Также предлагаем почитать:
Обзор комплекта оперативной памяти DDR3-1866 GeIL ENHANCE Veloce GENV38GB1866C10DC объемом 8 ГБ
Обзор двухканального комплекта оперативной памяти DDR3-1600 GOODRAM Play GY1600D364L9/8GDC объемом 8 ГБ
Обзор 8 ГБ двухканального комплекта памяти DDR3-2400 Transcend aXeRam TX2400KLN-8GK

micro SDXC карта памяти Addlink 128 GB class 10 UHS-I + Adapter SDHC

JavaScript seems to be disabled in your browser.
You must have JavaScript enabled in your browser to utilize the functionality of this website.

Объем оперативной памяти: 8GB
Тип: DDR3
Частота памяти: 1600MHz
Эффективная пропускная способность: 12800
Тайминги: CL 11
Тип охлаждения: Без охлаждения
Страна-производитель: Китай
Назначение: Для настольного ПК
Количество планок: 1
Гарантия: 36 месяцев

Обліковий номер:
TGDR3PC8G1600

Підпишіться для отримання повідомлення, коли цей продукт знову поступить на склад

• Опис товару
• Додаткова інформація
• Відгуки

Опис товару

Деталі

Оперативная память T&G 8GB DDR3 1600 MHz 1. 5V,Тайминги CL 11, PC3-12800, без радиатора  Производитель T&G. Недорогой двусторонний (двуранговый) модуль оперативной памяти стандарта DDR3-1600 емкостью 4 Гб без охлаждения. Производителем позиционируется как продукт базовой ценовой категории, представляет собой одну из самых доступных брендовых моделей DDR3. Может применяться для создания вновь собранных конфигураций персональных компьютеров и модернизации уже существующих систем. Официальные спецификации модуля оперативной памяти T&G 4GB DDR3 1600 MHz 1.5V,Тайминги CL 11, PC3-12800 гарантируют стабильную работу с эффективной тактовой частотой 1600 МГц при агрессивных таймингах CL11 и напряжении питания 1,5 В. В таком режиме обеспечивается пропускная способность 12,8 Гбит/с, чего достаточно для офисных, многоцелевых бытовых и бюджетных геймерских систем. Возможно использование в двух/трехканальных комплектах на платформах с процессорами Intel Core (от 1 до 11-го поколения) и CPU AMD (от моделей Athlon II, Phenom II и AMD FX, до гибридных процессоров А-серии с интегрированной графикой Radeon HD). Благодаря невысокому напряжению питания, демонстрирует низкое тепловыделение. Может использоваться в плотных и слабо вентилируемых компоновках.

Оперативная память T&G 8GB DDR3 1600 MHz 1.5V,Тайминги CL 11, PC3-12800 поставляется в прозрачном блистере. Блистер герметично запаян для защиты модуля памяти. На лицевой стороне упаковки указаны логотип производителя T&G, объём модуля памяти 4 GB, стандарт модуля памяти DDR3 1600. Видна информационная наклейка на модуле памяти, с маркировкой и параметрами карты памяти.

Додаткова інформація

Додаткова інформація

Відгуки

Напишіть власний відгук

You’re reviewing:
Оперативная память T&G 8GB DDR3 1600 MHz 1.5V, Тайминги CL 11, PC3-12800, без радиатора

• *Ім’я

• *Заголовок відгуку

• *Відгук

B2B система

Ми у соціальних мережах

Контакти

+38 096 474 94 09

[email protected]

Вгору

Тайминги

RAM 1600MHz! помощь | Overclock.net

JavaScript отключен. Для лучшего опыта, пожалуйста, включите JavaScript в вашем браузере, прежде чем продолжить.

у меня патриот сектор 5 1600мгц

в 1333 тайминги 7 9 77 25 1т

на 1600 тайминги 11 11 11 30 1т

это плохо???, я не могу не снижать тайминги в 1600 вон старт !

помогите пожалуйста!

Ответить

Сохранить

Нравится

1 — 13 из 13 Сообщений

какие тайминги стоковые? ОЗУ 1600мгц или ты до 1600 разгонял?

Ну, я отомстил здесь с 9 9 9 24 1t @1600MHz

Ответить

Сохранить

Например,

Все в порядке, возможно, потребуется увеличить напряжение, если вы попытаетесь еще больше увеличить время.

Я бы просто оставил их на 1333

, вы не заметите большой разницы в повседневной деятельности, если только вы не распаковываете zip-файлы, как сумасшедший.

Ответить

Сохранить

Нравится

Цитата:

это 1600 МГц оперативной памяти

Увидеть меньше

Узнать больше

Ответить

Сохранить

Нравится

Цитата:

я думаю, что буду придерживаться вашего совета

спасибо

Увидеть меньше

Узнать больше

Ответить

Сохранить

Вроде

CL11 на 1600? странно. ..

Ответить

Сохранить

Нравится

Цитата:

LOL, если так, то это какой-то мусор RAM. Я не могу представить, чтобы какая-либо оперативная память, предназначенная для оверклокеров или геймеров (вот для чего предназначен брендинг Sector 5, верно?), была настолько плохой. Вероятно, вам просто нужно прокачать еще несколько вольт через палочки.

Увидеть меньше

Узнать больше

Ответить

Сохранить

Например,

Неподходящее время. У меня 1866 Vengeance на 1774 7-9-8-15 2T, и люди называют это плохим. Попробуйте подать > 1,6 вольта на драм и сделать тайминги 9-9-9-24.

Отправлено с Windows Phone 7.5 с помощью Board Express

Ответить

Сохранить

Например,

, черт возьми, мой 2133 работает с 9-11-10-30 1T (сток 11-11-11-30)
, какие-нибудь ссылки на оперативную память у вас есть?

Ответить

Сохранить

Нравится

это мой баран, я не знаю, почему задержка не уменьшается, даже когда я поднимаю напряжение, не знаю!

http://patriotmemory. com/products/detailp.jsp?prodline=5&catid=34&prodgroupid=200&id=882&type=1

Ответить

Сохранить

Например,

Я использую 1600 gskill @ 1333 МГц с 7-7-7-21-1T 1,55 В

Так что ваши тайминги кажутся странными

Увидеть меньше

Узнать больше

Ответить

Сохранить

Нравится

Возможно, вам нужно немного увеличить напряжение. Мне пришлось перейти на 1,62 В, чтобы моя загрузилась на 1600 7-7-7-21-1T

Ответить

Сохранить

Например,

, биос позволяет мне увеличить +50 мВ, я не знаю, сколько мне нужно сделать, и я не знаю, сколько вольт работает в памяти.

. хмп! при 1.65в и таймингах 9-9-9-24 2т на 1600 мгц может быть в этом причина??

Ответить

Сохранить

Нравится

1 — 13 из 13 Сообщений

Это старая тема, вы можете не получить ответ и могли
возродить старую ветку. Пожалуйста, рассмотрите возможность создания новой темы.

Верх

настройка памяти DDR3, нужна помощь

JavaScript отключен. Для лучшего опыта, пожалуйста, включите JavaScript в вашем браузере, прежде чем продолжить.

Привет,

Некоторое время назад я отказался от каких-либо настроек в моем BIOS, так как он работает нормально, как сейчас.

Я хотел бы настроить свою оперативную память так, чтобы она работала с оптимальной производительностью, но все мои попытки не увенчались успехом со сбоями.

Рекомендуемое напряжение памяти составляет 1,5 В, а в режиме AUTO моя материнская плата показывает это близко к 1,6 В, это из-за разгона процессора?

PDF со спецификациями этой памяти: http://www.kingston.com/datasheets/HX316C10FBK2_16.pdf
видео моих текущих настроек BIOS: